91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一種晶圓表面形貌測(cè)量方法-WD4000

中圖儀器 ? 2023-10-24 09:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時(shí)生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算,達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度,實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能;

4、紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計(jì)算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測(cè)量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。

wKgaomU3IHiAXpMEAAKQ1gx_Hfs939.png

測(cè)量功能

1、厚度測(cè)量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測(cè)量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測(cè)量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等;粗糙度分析包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。

應(yīng)用場(chǎng)景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

wKgaomU3IFSAH7OpAAKLszcXxwg242.png

通過非接觸測(cè)量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量

wKgZomU3IGCAHQj1AAMJQHXDvvM161.png

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm,測(cè)量穩(wěn)定性良好。

懇請(qǐng)注意:因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請(qǐng)諒解。

wKgZomU3IISAUpuYAAZCrHDdfS4397.png

WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)??蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。

部分技術(shù)規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號(hào)ED4000

厚度和翹曲度測(cè)量系統(tǒng)

可測(cè)材料

砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

測(cè)量范圍

150μm~2000μm

掃描方式

Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn)

測(cè)量參數(shù)

厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度

三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)量原理

白光干涉

干涉物鏡

10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè))

可測(cè)樣品反射率

0.05%~100

粗糙度RMS重復(fù)性

0.005nm

測(cè)量參數(shù)

顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)

膜厚測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)量范圍

90um(n= 1.5)

景深

1200um

最小可測(cè)厚度

0.4um

紅外干涉測(cè)量系統(tǒng)

光源

SLED

測(cè)量范圍

37-1850um

晶圓尺寸

4"、6"、8"、12"

晶圓載臺(tái)

防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái)

X/Y/Z工作臺(tái)行程

400mm/400mm/75mm

如有疑問或需要更多詳細(xì)信息,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264214
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5410

    瀏覽量

    132298
  • 測(cè)量
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    5636

    瀏覽量

    116730
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    表面的納米級(jí)缺陷光學(xué)3D輪廓測(cè)量-3D白光干涉儀

    失真、薄膜沉積不均,進(jìn)而引發(fā)器件漏電、功能失效。傳統(tǒng)二維測(cè)量方法難以精準(zhǔn)捕捉納米級(jí)缺陷的三維輪廓特征,無法滿足先進(jìn)制程的嚴(yán)苛質(zhì)量管控需求。3D白光干涉儀憑借非接觸測(cè)量特性、亞納米級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:11 ?162次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面</b>的納米級(jí)缺陷光學(xué)3D輪廓<b class='flag-5'>測(cè)量</b>-3D白光干涉儀

    三維表面形貌測(cè)量中的共聚焦顯微成像技術(shù)研究

    隨著精密儀器制造與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對(duì)微小結(jié)構(gòu)表面形貌的高精度、高效率測(cè)量需求日益迫切。共聚焦顯微成像技術(shù)以其高分辨率、高信噪比和優(yōu)異的光學(xué)層切能力,在三維表面
    的頭像 發(fā)表于 12-09 18:05 ?322次閱讀
    三維<b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>形貌</b><b class='flag-5'>測(cè)量</b>中的共聚焦顯微成像技術(shù)研究

    基于線共聚焦原理的表面三維測(cè)量

    共焦測(cè)量技術(shù)作為一種非接觸式光學(xué)測(cè)量方法,因其高精度和抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn),逐漸成為精密測(cè)量領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文首先從物理光學(xué)與信息論角度解釋其原理;其次闡述海伯森
    的頭像 發(fā)表于 11-07 17:22 ?780次閱讀
    基于線共聚焦原理的<b class='flag-5'>表面</b>三維<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    華昕|如何測(cè)量振好壞-最后一種最實(shí)用

    網(wǎng)傳很多晶振的測(cè)量方法,都說的頭頭是道,可是經(jīng)華昕FAE實(shí)際實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),很多沒有效果,萬用表,測(cè)電筆,示波器到底哪種才是最準(zhǔn)確的。我們測(cè)試下網(wǎng)上說的幾種測(cè)試振好壞的方法,看
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:15 ?1299次閱讀
    華昕|如何<b class='flag-5'>測(cè)量</b><b class='flag-5'>晶</b>振好壞-最后<b class='flag-5'>一種</b>最實(shí)用

    邊緣 TTV 測(cè)量的意義和影響

    摘要:本文探討邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?739次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>邊緣 TTV <b class='flag-5'>測(cè)量</b>的意義和影響

    表面缺陷類型和測(cè)量方法

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
    的頭像 發(fā)表于 05-29 16:00 ?3408次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面</b>缺陷類型和<b class='flag-5'>測(cè)量方法</b>

    MICRO OLED 金屬陽(yáng)極像素制作工藝對(duì) TTV 厚度的影響機(jī)制及測(cè)量優(yōu)化

    與良品率,因此深入探究二者關(guān)系并優(yōu)化測(cè)量方法意義重大。 影響機(jī)制 工藝應(yīng)力引發(fā)變形 在金屬陽(yáng)極像素制作時(shí),諸如光刻、蝕刻、金屬沉積等步驟會(huì)引入工藝應(yīng)力。光刻中,光刻膠的涂覆與曝光過程會(huì)因光刻膠固化收縮產(chǎn)生應(yīng)力。蝕刻階段,蝕刻氣體或液體對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:43 ?748次閱讀
    MICRO OLED 金屬陽(yáng)極像素制作工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 厚度的影響機(jī)制及<b class='flag-5'>測(cè)量</b>優(yōu)化

    wafer厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量的設(shè)備

    和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)在線檢測(cè),可減少其對(duì)芯片性能的影響。 WD40
    發(fā)表于 05-28 16:12

    表面清洗靜電力產(chǎn)生原因

    表面清洗過程中產(chǎn)生靜電力的原因主要與材料特性、工藝環(huán)境和設(shè)備操作等因素相關(guān),以下是系統(tǒng)性分析: 1. 靜電力產(chǎn)生的核心機(jī)制 摩擦起電(Triboelectric Effect) 接觸分離:
    的頭像 發(fā)表于 05-28 13:38 ?982次閱讀

    wafer幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量

    在先進(jìn)制程中,厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000
    發(fā)表于 05-28 11:28 ?2次下載

    提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法

    )增大,影響器件性能與良品率。因此,探索提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法,對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合 TTV 質(zhì)量
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:24 ?1153次閱讀
    提高鍵合<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 質(zhì)量的<b class='flag-5'>方法</b>

    wafer幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量

    在先進(jìn)制程中,厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:27 ?1419次閱讀
    wafer<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>幾何<b class='flag-5'>形貌</b><b class='flag-5'>測(cè)量</b>系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)<b class='flag-5'>測(cè)量</b>

    浸泡式清洗方法

    浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù),它旨在通過將浸泡在特定的化學(xué)溶液中,
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:18 ?924次閱讀