臺(tái)積電創(chuàng)新推出萬億晶體管封裝平臺(tái)，專注于高性能計(jì)算和AI芯片應(yīng)用
近期，臺(tái)積電將其高性能計(jì)算與 AI 芯片封裝技術(shù)亮相于國際固態(tài)電路大會(huì)（簡稱 ISSCC 2024），據(jù)悉，此技術(shù)有望將芯片晶體管數(shù)目由現(xiàn)有的1000億級躍升至1萬億級。
臺(tái)積電高級研發(fā)副總裁張曉強(qiáng)指出，本項(xiàng)新技術(shù)主要針對AI芯片性能增強(qiáng)。新型HBM高帶寬存儲(chǔ)器與Chiplet架構(gòu)小芯片的引入需求大量組件及IC基板，由此引發(fā)的連通性及能源消耗等問題難免產(chǎn)生。他特別強(qiáng)調(diào)，借助硅光科技與光纖替代傳統(tǒng)I/O電路，實(shí)現(xiàn)高效率的數(shù)據(jù)傳輸；此外，通過異質(zhì)芯片堆疊和混合鍵合，最大限度優(yōu)化I/O。值得注意的是，這項(xiàng)封裝技術(shù)將運(yùn)用集成穩(wěn)壓器應(yīng)對供電問題，但具體商用時(shí)間尚未透露。
臺(tái)積電透露，當(dāng)前全球前沿芯片最多可容納1000億晶體管，然而新的封裝平臺(tái)能使之增加到1萬億級別。盡管該封裝內(nèi)將搭載集成穩(wěn)壓器解決供電問題，但未來商業(yè)化仍待進(jìn)一步確認(rèn)。此外，張曉強(qiáng)還暗示臺(tái)積電的3nm制程技術(shù)很可能迅速應(yīng)用于汽車領(lǐng)域。
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