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三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-08 10:10 ? 次閱讀
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三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。

據(jù)悉,HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s,這一數(shù)字相較于前代產(chǎn)品有了顯著的增長(zhǎng)。同時(shí),其產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB,為高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力。

與三星之前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比,HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度超過(guò)50%。這一重大進(jìn)步不僅體現(xiàn)了三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先實(shí)力,也預(yù)示著高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力。

HBM3E 12H的發(fā)布,標(biāo)志著三星在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的又一重大突破。通過(guò)采用先進(jìn)的12層堆疊技術(shù),該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和更低的功耗,為人工智能、數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為可靠和高效的硬件支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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