三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
然而，整個通用存儲芯片市場仍面臨著不確定性。此外，隨著HBM（高帶寬內(nèi)存）需求的持續(xù)旺盛，三星電子和SK海力士正積極擴產(chǎn)HBM，這勢必會抑制通用DRAM的晶圓投片量。在此背景下，兩大公司對于提高標準DRAM和NAND芯片產(chǎn)量的決策更顯審慎。未來市場走勢如何，還需進一步觀察。
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