91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM,革新電機驅(qū)動設(shè)計

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-18 16:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

德州儀器TI)近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機驅(qū)動器應(yīng)用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能,為大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。

工程師們在設(shè)計大型電機驅(qū)動系統(tǒng)時,常常需要面對性能、尺寸和成本之間的權(quán)衡。然而,DRV7308 GaN IPM的問世,徹底改變了這一局面。它憑借高達99%以上的逆變器效率,不僅顯著提升了系統(tǒng)的能源利用率,更在聲學(xué)性能上實現(xiàn)了優(yōu)化,為用戶帶來了更加靜謐的使用體驗。

此外,DRV7308 GaN IPM還通過其高度集成的設(shè)計,大大縮減了解決方案的尺寸,使得系統(tǒng)更加緊湊、輕便。這不僅提高了系統(tǒng)的整體美觀性,還降低了生產(chǎn)和運輸成本,為廠商帶來了實實在在的經(jīng)濟效益。

德州儀器此次推出的DRV7308 GaN IPM,無疑為電機驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計帶來了新的革命。它的高性能、小尺寸和低成本,將助力工程師們打造出更加出色、高效、經(jīng)濟的電機驅(qū)動系統(tǒng),滿足市場對高性能、高品質(zhì)產(chǎn)品的不斷追求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 德州儀器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    123

    文章

    1974

    瀏覽量

    145128
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1893

    瀏覽量

    119763
  • 電機驅(qū)動器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    860

    瀏覽量

    66431
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    德州儀器LMG2610:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用解析

    德州儀器LMG2610:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用解析 在當(dāng)今的電源設(shè)計領(lǐng)域,高效、緊湊且可靠的電源解決方案需求日益增長。德州儀器
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:50 ?977次閱讀

    探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動器的卓越性能

    深入探討德州儀器(TI)推出的LMG3616——一款集成了驅(qū)動器的650-V 270-mΩ GaN FET,看看它在開關(guān)模式電源應(yīng)用中能帶來怎樣的驚喜。 文件下載: lmg3616.p
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:45 ?816次閱讀

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

    : lmg3522r050.pdf 一、產(chǎn)品特性 1. 高性能GaN FET與集成驅(qū)動器 LMG352xR050采用了650V GaN-on
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?537次閱讀

    探索LMG2640:650V GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用潛力

    德州儀器(TI)的LMG2640,一款集成了650V GaN功率FET半橋的創(chuàng)新產(chǎn)品,看看它如何在開關(guān)電源應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。 文件下載: lmg2640.pdf 一、LMG2640核心特性 集成設(shè)計優(yōu)勢 LMG2640將半橋功
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:35 ?522次閱讀

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 半橋芯片的卓越性能與應(yīng)用解析

    LMG2652:650V 140mΩ GaN 半橋芯片的卓越性能與應(yīng)用解析 在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域,高效、緊湊且性能卓越的功率器件是實現(xiàn)先進電源解決方案的關(guān)鍵。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?488次閱讀

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動的卓越性能 在開關(guān)模式電源應(yīng)用的領(lǐng)域中,LMG3614這款650V 170m
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:15 ?481次閱讀

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用 在當(dāng)今的電子世界中,電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷發(fā)展,對高性能、高效率的功率器件的需求也日益增長。
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:10 ?495次閱讀

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應(yīng)用 在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?512次閱讀

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力 在電力電子領(lǐng)域,不斷追求更高的功率密度和效率是永恒的目標(biāo)。德州儀器(TI)推出的LMG365xR07
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?507次閱讀

    LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動器的卓越之選

    LMG2650:650V 95mΩ GaN半橋集成驅(qū)動器的卓越之選 在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)正以其卓越的性能逐漸嶄露頭
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:05 ?494次閱讀

    德州儀器DRV8231:高性能有刷直流電機驅(qū)動芯片的深度解析

    德州儀器DRV8231:高性能有刷直流電機驅(qū)動芯片的深度解析 在電子工程師的日常工作中,有刷直流電機驅(qū)動
    的頭像 發(fā)表于 01-07 17:45 ?504次閱讀

    德州儀器DRV8262:高性能H橋電機驅(qū)動芯片的深度解析

    德州儀器DRV8262:高性能H橋電機驅(qū)動芯片的深度解析 在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,電機驅(qū)動芯片的
    的頭像 發(fā)表于 01-07 14:35 ?247次閱讀

    DRV7167A:高性能GaN半橋電機驅(qū)動器的卓越之選

    DRV7167A:高性能GaN半橋電機驅(qū)動器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,尋找一款性能卓越、功能豐富且易于設(shè)計的
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:25 ?247次閱讀

    德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)深度解析

    Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
    的頭像 發(fā)表于 08-06 11:29 ?919次閱讀
    <b class='flag-5'>德州儀器</b>LMG3526R050 <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> FET集成<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>技術(shù)深度解析

    德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)解析

    Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
    的頭像 發(fā)表于 08-06 11:20 ?976次閱讀
    <b class='flag-5'>德州儀器</b>LMG3522R050 <b class='flag-5'>650V</b> <b class='flag-5'>GaN</b> FET集成<b class='flag-5'>驅(qū)動</b>技術(shù)解析