91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光刻膠去膠工藝

jf_90731233 ? 來源:汶顥 ? 作者:汶顥 ? 2024-07-08 15:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

通常,光刻膠只是用作構(gòu)建圖形步驟中的臨時掩膜。因此,光刻工藝的最后一步通常是需要去除光刻膠,我們稱之為去膠或者除膠。并且對去膠過程的要求是:迅速去膠且沒有殘留,對襯底以及沉積在上面的材料無損傷,因此這并不是很容易實(shí)現(xiàn)的步驟。這里我們稱用于去除光刻膠的溶劑或者溶液為去膠劑或者去膠液、除膠劑,lift-off工藝中我們也稱之為剝離液。
光刻膠薄膜的溶解度
非交聯(lián)型的光刻通??梢允褂闷胀ü饪棠z去膠劑進(jìn)行處理并且無殘留。如果去膠效果不良,應(yīng)考慮以下可能的原因:
正膠在140℃左右開始熱交聯(lián)(例如在堅(jiān)膜、干法刻蝕或涂膠階段),這大大降低了它的溶解度。如果可以的話,應(yīng)降低處理溫度。
光學(xué)誘導(dǎo)交聯(lián)是通過深紫外光輻射(波長 < 250 nm)并結(jié)合高溫使得光刻膠不能溶解在去膠劑中,這種情況在蒸發(fā)鍍層(如金屬化、濺射或干法刻蝕)中很常見。由于超短波輻射的穿透深度較低,所以只有光刻膠的表面受到交聯(lián)的影響。
負(fù)膠在較高的溫度下處理其交聯(lián)可以通過后續(xù)的工藝步驟進(jìn)一步加強(qiáng),這步會導(dǎo)致光刻膠的去除變得更加困難。另外,干法刻蝕過程中,重新沉積在光刻膠上的材料將會成為去膠過程中的障礙層,從而導(dǎo)致光刻膠的去除變得更加困難。
溶劑型去膠劑
丙酮
丙酮一般不推薦作為光刻膠的去膠劑,因?yàn)樗哂泻芨叩恼魵鈮毫ΑH绻褂昧吮?,?yīng)在丙酮蒸發(fā)和形成條紋前使用異丙醇清洗丙酮處理過的樣品。不建議對丙酮進(jìn)行加熱以增加其溶解度,因?yàn)槠湔羝麎毫Ω?,極易發(fā)生火災(zāi)危險。
NMP及NEP
NMP(1-甲基-2-吡咯烷酮),NEP(氮乙基吡咯烷酮)是去除光刻膠層的一種普遍適用的溶劑。NMP的蒸氣壓非常低,可以加熱到80℃,以便能夠去除更多交聯(lián)的光刻膠薄膜。由于NMP已被列為對生殖有害物質(zhì),應(yīng)考慮替代品,如DMSO。
DMSO
DMSO(二甲亞砜)加熱至60- 80℃時,作為光刻膠去膠劑的性能可與NMP的性能相媲美,是NMP的一種“安全溶劑”替代品。 DMSO容易從空氣中吸收水汽, 另外DMSO人體皮膚有滲透性 ,操作時注意防護(hù)。
原則上,其他溶劑也適合用作去膠劑:IPA,PGMEA(PMA),甲乙酮(MEK)或稀釋劑,可用于溶解穩(wěn)定性不是很強(qiáng)的光刻膠的殘留。但是,在大多數(shù)情況下,用這些溶劑作為去膠液則需要更長的時間。溶劑去除劑同樣適用于酚醛樹脂型光刻膠以及所有聚合物光刻膠(例如PMMA)。
堿性去膠劑
如果襯底材料的化學(xué)穩(wěn)定性允許,且不使用特殊的去除劑,那么可以使用最簡單高效的堿性去膠劑,最常見的是氫氧化鈉(NaOH)和氫氧化鉀(KOH)溶液。4%的KOH溶液將在幾秒鐘內(nèi)去除所有基于酚醛樹脂基的光刻膠以及電子束光刻膠,專門為耐堿而設(shè)計光科技啊除外。當(dāng)我們將NaOH或KOH的濃度增加到40%時,可用于去膠比較困難的穩(wěn)定性膠,特別是硬烘后的光刻膠結(jié)構(gòu)。堿性溶液通常不能完全去除光刻膠殘留物,但是在這種情況下會在光刻膠膜產(chǎn)生下蠕變。然后或多或少地將殘留物帶離襯底上,然后將其完全清除。但是,應(yīng)該考慮到,高濃度的堿性溶液也可能腐蝕硅晶圓,從而破壞表面。綜上所述 可以使用基于緩沖堿性鹽的濃縮顯影劑(堿當(dāng)量濃度1.1N)來替代堿性溶液實(shí)現(xiàn)去膠。這種顯影液在未稀釋狀態(tài)下可以迅速去除大多數(shù)光刻膠膜。
四甲基氫氧化銨(TMAH)溶液也用作去除劑,最大濃度為25%。在此濃度下,TMAH可與高濃度的NaOH和KOH溶液媲美。TMAH也會侵蝕硅,在使用過程中同樣需要小心。由于TMAH的消耗量較低,稀釋型的TMHA溶液更容易操作,而且對環(huán)境更友好。堿性水去膠劑不適用于所有聚合物(PMMA,聚苯乙烯,碳?xì)浠衔铮?。但是,我們可以利用此特點(diǎn)用于兩層膠系統(tǒng)(PMMA /光刻膠;碳?xì)?光刻膠)應(yīng)用,以選擇性去除上層光刻膠層。
通用去膠方案
通用去除劑
在去膠發(fā)生困難的情況下(例如在密集的等離子蝕刻或?yàn)R射之后),超聲或兆聲清洗會對去除光刻膠帶來很大的幫助。但是,在此過程中必須保護(hù)襯底上的敏感結(jié)構(gòu),否則將其破壞如下圖1所示,所以我們建議這種帶有高深寬比的結(jié)構(gòu)的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加,去膠劑隨著長時間的發(fā)展其去膠效果在逐漸變?nèi)?。即使仍未達(dá)到理論上的飽和極限(遠(yuǎn)高于50%的固含量),使用過溶液會隨著顆粒的富集并變得不透明,因此不再適合進(jìn)行重復(fù)清洗。常見的做法是級聯(lián)清洗。在此過程中,去除劑用于三個不同的清洗步驟。將樣品放在第一個溶液池中,此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉(zhuǎn)移到第二個溶液池中,然后轉(zhuǎn)移到第三個槽中,在最后一個步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達(dá)到預(yù)定的溶解能力,就將第一個浴液丟棄,將第二個和第三個浴液向上移動一個位置。
除此之外的功能還可以通過強(qiáng)氧化酸來實(shí)現(xiàn),例如王水,食人魚,硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環(huán)境保護(hù)方面(廢酸的處理),這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠,而且也會腐蝕襯底表面的其他材料。
免責(zé)聲明:文章來源汶顥 www.whchip.com 以傳播知識、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息,版權(quán)歸原作者所有,如侵犯權(quán)益,請聯(lián)系刪除。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    356

    瀏覽量

    31821
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?6802次閱讀

    光刻膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關(guān)鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質(zhì)量與芯片良率。隨著光刻技術(shù)向極紫外(EUV,13.5?nm)工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn),
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?421次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的<b class='flag-5'>工藝</b>控制與缺陷分析

    光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    在浸沒式光刻技術(shù)中,為提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質(zhì)(如去離子水或高折射率液體),卻引發(fā)了光刻膠與液體間復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用,成為制約工藝穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題。光刻膠在接觸水后會
    的頭像 發(fā)表于 01-16 18:04 ?359次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    晶圓去膠工藝之后要清洗干燥嗎

    在半導(dǎo)體制造過程中,晶圓去膠工藝之后確實(shí)需要進(jìn)行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹:一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片:盡管去膠工藝旨在完全去
    的頭像 發(fā)表于 12-16 11:22 ?301次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>去膠</b><b class='flag-5'>工藝</b>之后要清洗干燥嗎

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?2176次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離<b class='flag-5'>工藝</b>

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1873次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    半導(dǎo)體濕法去膠原理

    半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù),用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明:化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系:針對正性
    的頭像 發(fā)表于 08-12 11:02 ?1985次閱讀
    半導(dǎo)體濕法<b class='flag-5'>去膠</b>原理

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業(yè)對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進(jìn)口。不過近期,國產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報頻
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?7149次閱讀

    針對晶圓上芯片工藝光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1147次閱讀
    針對晶圓上芯片<b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?964次閱讀
    用于 ARRAY 制程<b class='flag-5'>工藝</b>的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?890次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?963次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離<b class='flag-5'>工藝</b>對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    ,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說,光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié),是芯片制造過程里
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1743次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1436次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?1w次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性