YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒(méi)有穩(wěn)定時(shí)間，從而降低了死區(qū)損失，提高了效率。GaN的開(kāi)關(guān)頻率更高，電流紋波更低，這樣就可以減小無(wú)源器件的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN設(shè)計(jì)。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。

集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能

PD快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722BAS通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。U8722BAS系列還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開(kāi)通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。

谷底鎖定及降頻工作模式

PD快充芯片U8722BAS采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722BAS采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無(wú)噪音。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個(gè)數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過(guò)6個(gè)時(shí)，不再檢測(cè)谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過(guò)進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率，減小開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。

U8722BAS

PD快充芯片U8722BAS憑借高級(jí)別的集成度和散熱性能，可為手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域，進(jìn)一步簡(jiǎn)化和加速芯片尺寸緊湊、高功率密度的芯片應(yīng)用開(kāi)發(fā)。U8722BAS工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。