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CES 2025 :AI影響下的存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品走向

晶芯觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2025-01-13 09:11 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)2025年1月在CES展上,存儲(chǔ)大廠紛紛秀肌肉,而他們無(wú)一例外地展示了其存儲(chǔ)之于AI應(yīng)用的實(shí)力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來(lái)了最新的技術(shù)和產(chǎn)品,他們引領(lǐng)著AI存儲(chǔ)新的方向。

SK海力士

SK海力士在CES展上展示了公司在推動(dòng)人工智能時(shí)代進(jìn)步方面所推出的變革性存儲(chǔ)器產(chǎn)品。包括SK海力士的HBM、服務(wù)器DRAM、eSSD、CXL及PIM產(chǎn)品。

作為領(lǐng)先的HBM供應(yīng)商,SK海力士公開(kāi)了16層HBM3E樣品。這是全球容量最大的HBM產(chǎn)品,48GB 16層HBM3E專(zhuān)門(mén)針對(duì)人工智能學(xué)習(xí)和推理進(jìn)行了優(yōu)化。目前,該產(chǎn)品仍處于開(kāi)發(fā)階段。此外,還有DDR5 RDIMM和MCR DIMM,這兩款高速服務(wù)器DRAM模塊是專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心環(huán)境量身定制的,能夠提供快速的數(shù)據(jù)處理能力和大容量?jī)?nèi)存支持。

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圖源:SK海力士


隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在人工智能領(lǐng)域的重要性日益凸顯,SK海力士特別展示了其創(chuàng)新的eSSD解決方案,包括PS1010、PEB110和PE9010。這些產(chǎn)品專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心量身定制,具備應(yīng)對(duì)人工智能應(yīng)用所產(chǎn)生的大規(guī)模數(shù)據(jù)所需的卓越可靠性與快速的讀寫(xiě)速度。

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圖源:SK海力士


此外,SK海力士還展示了其前沿的CXL技術(shù),如CMM-DDR5和CMM-Ax,這些技術(shù)正在引領(lǐng)內(nèi)存接口的發(fā)展趨勢(shì),以提升人工智能系統(tǒng)的靈活性與可擴(kuò)展性。與此同時(shí),還展出了PIM解決方案,包括GDDR6-AiM和AiMX,這是一種高速且低功耗的加速卡,能夠執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算功能,從而徹底革新人工智能環(huán)境中的數(shù)據(jù)處理效率。

同時(shí),SK海力士還展示了其端側(cè)AI解決方案,以彰顯其產(chǎn)品在人工智能服務(wù)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。這些創(chuàng)新產(chǎn)品包括LPCAMM2、移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0,以及業(yè)界領(lǐng)先的用于端側(cè)AI PC的最高性能固態(tài)硬盤(pán)PCB01。通過(guò)這一系列展示,SK海力士強(qiáng)調(diào)了這些技術(shù)如何憑借卓越的能效實(shí)現(xiàn)極致性能,為從移動(dòng)AI到消費(fèi)電子等多元化應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支持。

三星

在拉斯維加斯舉行的CES 2025展上,三星展示全系列以人工智能驅(qū)動(dòng)的智能產(chǎn)品,這些產(chǎn)品已被重新構(gòu)想,以塑造一個(gè)更可持續(xù)和更易于訪(fǎng)問(wèn)的世界,連接最好的技術(shù)和生活方式。早前,其10.7Gbps LPDDR5X DRAM產(chǎn)品獲得了2025年CES創(chuàng)新獎(jiǎng)。

三星開(kāi)發(fā)出的業(yè)界首款12納米級(jí)LPDDR5X DRAM,支持高達(dá)10.7Gbps的業(yè)界最快速度。LPDDR5X具有高性能和業(yè)界最小的芯片尺寸,針對(duì)下一代端側(cè)AI應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。三星存儲(chǔ)器產(chǎn)品策劃團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人JunYoung Lee和首席工程師JinSuk Chung對(duì)LPDDR5X的技術(shù)特點(diǎn)進(jìn)行了解讀。

LPDDR5X是一種針對(duì)智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等需要高性能的端側(cè)AI優(yōu)化的內(nèi)存解決方案。設(shè)計(jì)關(guān)鍵是創(chuàng)造一種具有較低的耗電量及提供增強(qiáng)性能的薄型芯片。LPDDR5X通過(guò)從策劃到設(shè)計(jì)、工藝、PKG技術(shù)等與各開(kāi)發(fā)部門(mén)的合作,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最快的10.7Gbps速度和業(yè)界最薄的0.65mm厚度。

為了實(shí)現(xiàn)業(yè)界最快的10.7Gbps速度,必須確保高速數(shù)據(jù)傳輸輸入輸出電路的性能。 此外,它還利用了降低內(nèi)部運(yùn)行電壓的設(shè)計(jì)技術(shù),實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行的同時(shí)保持低功耗。

三星的F-DVFS(全動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié))技術(shù),是通過(guò)在特定的周期間隔內(nèi),將實(shí)際數(shù)據(jù)路徑中使用的電壓降低到某個(gè)水平以下,來(lái)降低信號(hào)傳輸所涉及的功耗。 三星的F-DVFS技術(shù)擴(kuò)展了此功能,允許在從最小周期到最大周期的整個(gè)范圍內(nèi)調(diào)整電壓。這種靈活性使其更容易根據(jù)運(yùn)行速度改變電壓,從而最大限度地降低功耗,延長(zhǎng)電池壽命。

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圖源:三星半導(dǎo)體


三星的LPDDR5X是業(yè)界最薄的12nm級(jí)DRAM。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),將兩個(gè)芯片結(jié)合為一個(gè)單元,形成四個(gè)單元的內(nèi)聚系統(tǒng),并通過(guò)更改保護(hù)半導(dǎo)體電路的電路保護(hù)材料——EMC(環(huán)氧樹(shù)脂模塑料)來(lái)進(jìn)行優(yōu)化。 最后,背面打磨技術(shù)的開(kāi)發(fā)至關(guān)重要,該技術(shù)通過(guò)拋光晶圓背面來(lái)保持操作特性和可靠性,同時(shí)減少晶圓厚度。

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圖源:三星半導(dǎo)體


為了進(jìn)行開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證,與客戶(hù)合作是至關(guān)重要的。三星半導(dǎo)體內(nèi)部,特別是負(fù)責(zé)低功耗高性能產(chǎn)品設(shè)計(jì)的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),以及為了打造更薄的LPDDR5X而進(jìn)行不懈研發(fā)的PKG開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)之間的合作協(xié)同效應(yīng)是非常大的。從內(nèi)部到整個(gè)行業(yè)的協(xié)作貫穿于開(kāi)發(fā)過(guò)程中,最終促使了我們的成功,得到CES創(chuàng)新獎(jiǎng)。

隨著智能手機(jī)市場(chǎng)對(duì)可折疊產(chǎn)品的需求不斷增加,消費(fèi)者正在尋找更纖薄的設(shè)備。為了減小設(shè)備的厚度,必須減小每個(gè)組件的厚度。當(dāng)組件的厚度減小時(shí),設(shè)備內(nèi)部的氣流空間得以增加,從而更容易管理熱量。這使得智能手機(jī)能夠在不受因升溫帶來(lái)性能限制的情況下進(jìn)行高性能操作,如游戲。

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圖源:三星半導(dǎo)體


三星專(zhuān)家表示,隨著人工智能的進(jìn)步,運(yùn)行大規(guī)模服務(wù)器的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)正在增長(zhǎng),能效正成為一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。很多人一想到AI內(nèi)存技術(shù)就會(huì)想到HBM。然而,市場(chǎng)上除了像HBM這種不計(jì)功耗、要求最高性能的產(chǎn)品外,對(duì)像LPDDR這種在低功耗下也能達(dá)到一定性能水平的產(chǎn)品的需求也日益增長(zhǎng)。對(duì)于替代現(xiàn)有DDR模塊的LP模塊產(chǎn)品(LPCAMM、SOCAMM等)來(lái)說(shuō)也是如此。

與DDR相比,LPDDR在能效和高性能操作方面具有優(yōu)勢(shì),因此使用LPDDR的需求日益增長(zhǎng)。 此外,LPDDR在個(gè)人電腦中的應(yīng)用也在增加,并且由于電動(dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛的普及,Auto LPDDR5X在汽車(chē)市場(chǎng)的使用也在增加。

三星電子正在積極開(kāi)發(fā)2026年下一代解決方案LPDDR6。與LPDDR5X相比,LPDDR6將在性能和能效方面進(jìn)一步升級(jí)。另外,LPCAMM、SOCAMM等模塊型產(chǎn)品目前正在與客戶(hù)公司進(jìn)行驗(yàn)證,正在準(zhǔn)備開(kāi)發(fā)高性能、低功耗DRAM技術(shù),如通過(guò)增加數(shù)據(jù)輸入輸出數(shù)量來(lái)確保高帶寬的LPW,以及增加計(jì)算功能的LP-PIM。 預(yù)計(jì)這將超越端側(cè)AI,擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

美光

美光科技在2025CES期間宣布擴(kuò)大其Crucial消費(fèi)者內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合,包括推出高速CrucialP510 SSD,并擴(kuò)大其現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品組合中的密度和外形選項(xiàng),以提供更廣泛的選擇和靈活性給消費(fèi)者。P510具有高達(dá)11,000/9,550兆字節(jié)每秒(MB/s)的讀寫(xiě)速度,為大眾帶來(lái)了驚人的Gen5性能。

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圖源:美光科技


新的SSD產(chǎn)品P510專(zhuān)為筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)設(shè)計(jì),采用全新、更省電的架構(gòu),比之前CrucialGen5 固態(tài)硬盤(pán)省電25%,以支持更長(zhǎng)的電池壽命。

其快速的讀寫(xiě)速度使用戶(hù)能夠最大限度地提高生產(chǎn)力,并從游戲到創(chuàng)意應(yīng)用,享受更流暢、更沉浸式的體驗(yàn)。這款SSD提供1TB和2TB容量選項(xiàng),帶有集成散熱片。P510還提供了單面設(shè)計(jì),易于安裝,即使在支持Gen5的較新筆記本電腦中也是如此。

Crucial系列還推出了帶有散熱片的 Crucial P310 2280 SSD。集成的散熱片設(shè)計(jì)用于與 PlavStation5配合使用,但也可以用于臺(tái)式機(jī),為桌面游戲玩家和創(chuàng)作者提供無(wú)限制的卓越性能。該 SSD 的讀取速度為 7,100 MB/S,提供快速、可靠且經(jīng)濟(jì)高效的存儲(chǔ)和容量。

小結(jié):

眼下存儲(chǔ)廠商除了在高帶寬內(nèi)存HBM上競(jìng)爭(zhēng)激烈、加速HBM4的研發(fā)和量產(chǎn)之外,高速、低功耗的存儲(chǔ)產(chǎn)品在AI應(yīng)用爆發(fā)的時(shí)代更加不可或缺,高性能的存儲(chǔ)產(chǎn)品對(duì)于AI數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)效能至關(guān)重要,這將推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新。

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