LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。

GaN FET 具有零反向恢復(fù)和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS，因此為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著的優(yōu)勢(shì)。所有器件都安裝在完全無(wú)鍵合絲的封裝平臺(tái)上，最大限度地減少了封裝寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 無(wú)鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
*附件：LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET.pdf

TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平，而與 VCC 電壓無(wú)關(guān)。專(zhuān)有的自舉電壓箝位技術(shù)確保增強(qiáng)型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內(nèi)。

該器件通過(guò)提供更用戶(hù)友好的界面，擴(kuò)展了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于需要高頻、高效率運(yùn)行、小尺寸的應(yīng)用，它是理想的解決方案。

TI LMG2100R044特性：

• 集成 4.4mΩ 半橋 GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器
• 90V 連續(xù)，100V 脈沖額定電壓
• 封裝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，便于 PCB 布局
• 高轉(zhuǎn)換速率開(kāi)關(guān)，低振鈴
• 5V 外部偏置電源
• 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
• 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 10MHz 的開(kāi)關(guān)頻率
• 出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配性（典型值為 2ns）
• 內(nèi)部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過(guò)驅(qū)
• 用于鎖定保護(hù)的電源軌欠壓
• 低功耗
• 外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻
• 用于底部冷卻的大型 GND 焊盤(pán)

TI LMG2100R044參數(shù)：

TI LMG2100R044方框圖：

TI LMG2100R044應(yīng)用：
?降壓、升壓、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
?LLC轉(zhuǎn)換器
?太陽(yáng)能逆變器
?電信和服務(wù)器電源
?電機(jī)驅(qū)動(dòng)
?電動(dòng)工具
?D類(lèi)音頻放大器