LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期過流保護(hù)、鎖存短路保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。

*附件：具有集成驅(qū)動器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽車級 650V 30mΩ GaN FET.pdf

LMG352XEVM-04X作為半橋子卡運行，可以是更大的定制設(shè)計系統(tǒng)的一部分，也可以與主板配對。TI提供兩個主板（LMG342X-BB-EVM和LMG34XX-BB-EVM）與LMG352XEVM-04X接口。LMG342X-BB-EVM可支持高達(dá)4-kW的功率，LMG34XX-BB-EVM可提供高達(dá)1.7kW的功率。主板設(shè)計用于在開環(huán)同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中操作LMG352XROX0。提供探針位置以測量邏輯和功率級電壓。
注：
TI提供了一個定制的插入板，當(dāng)LMG352XEVM-04X與LMG34XX-BB-EVM配對時必須使用該插入板。LMG342x BB EVM不需要插入板。

LMG352XEVM-04X子卡
LMG352XEVM-04X具有兩個半橋配置的LMG352XROX0 GaN FET。包括所有偏置和電平移位組件，這允許低側(cè)參考信號控制兩個FET。高頻去耦電容器以優(yōu)化的布局包含在功率級上，以最小化寄生電感并減少電壓過沖。

特征

• 輸入電壓高達(dá) 650 V
• 用于評估 LMG3522R030-Q1 性能的簡單開環(huán)設(shè)計
• 板載單/雙 PWM 輸入，用于具有可變死區(qū)時間的 PWM 信號
• 逐周期過流保護(hù)功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進(jìn)行邏輯和功率級測量的便捷探測點

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf