目前，基于模型的 OPC已成為先進半導體制造的標準程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光學、光刻膠和工藝效應所有類型的方法。先進的光學模型不僅涵蓋了高數(shù)值孔徑成像系統(tǒng)中的偏振效應，而且還涵蓋了雜散光（來自粗糙表面的隨機散射光）和激光帶寬效應（波像差和其他成像特性對微小的波長變化的響應）的影響。對來自掩模和非平整晶圓的光散射效應的正確建模，即所謂三維掩模效應和晶圓形貌效應，需要運用電磁場求解方法。三維光刻膠模型和蝕刻模型可以足夠準確地描述圖形轉(zhuǎn)移過程。對掩?？虒懞脱谀９に囆Ｕ陂g的效應進行建模也變得越來越重要。EUV 光刻也給 OPC帶來了獨特的挑戰(zhàn)。

Peter De Bisschop 概述了關于OPC建模方法，以及構(gòu)建和驗證OPC模型的實際方面的文獻。一般而言，OPC模型的基本思想源自用于傳統(tǒng)光刻仿真的純物理模型。為了在合理、可接受的時間內(nèi)實現(xiàn)一塊完整掩模版圖的鄰近效應校正，模型以卷積核的形式被重新制定，以支持高效計算。這些緊湊型模型的大部分參數(shù)無法被直接測量，尤其是光刻膠模型的參數(shù)。此類模型參數(shù)必須根據(jù)實驗數(shù)據(jù)進行調(diào)整。OPC模型中用于三維掩模和晶圓效應的內(nèi)核參數(shù)必須通過完全嚴格仿真或?qū)嶒灁?shù)據(jù)進行標定。為了獲得構(gòu)建 OPC模型所需的實驗數(shù)據(jù)，開發(fā)了專用的量測程序和采樣策略。在某些情況下，此類實驗數(shù)據(jù)與純物理仿真的仿真數(shù)據(jù)相輔相成。掩模規(guī)則檢查（mask rule check, MRC）也是掩模數(shù)據(jù)準備的重要組成部分，可確保設計的掩模能以足夠的精度被制造出來。最后，構(gòu)建的模型必須通過嚴格仿真和專門的晶圓曝光進行驗證。

除了需要提高掩模制作的分辨率外，OPC 不需要任何新材料或新工藝。它可以應用于標準（二元）鉻-石英掩模和其他掩模技術。OPC 對掩模設計的影響是中等的，取決于OPC 的激進程度（碎片化的大小和數(shù)量，輔助特征圖形的數(shù)量等）。具有數(shù)目多且細節(jié)化的OPC特征圖形的掩模，其規(guī)范和制造涉及大量的數(shù)據(jù)處理和較長的掩?？虒憰r間。同時，OPC 也增加了掩模檢測的復雜性。例如，對亞分辨率OPC特征和掩模缺陷進行區(qū)分就并不容易。OPC 對工藝提升的影響也是中等的。OPC可以實現(xiàn)更小的工藝因子k，并提高工藝的線性度和可實現(xiàn)的工藝窗口。