深入解析onsemi FQA24N60 N - Channel MOSFET

在電源設(shè)計(jì)和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件。今天，我們就來(lái)深入了解 onsemi 公司的 FQA24N60 N - Channel MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的地方。

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產(chǎn)品概述

FQA24N60 是一款 N - Channel 增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用了 onsemi 專有的平面條紋和 DMOS 技術(shù)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，旨在降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。它適用于開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

關(guān)鍵特性

電氣性能

• 電流與電壓額定值：能夠承受 23.5 A 的連續(xù)漏極電流（$T_{C}=25^{circ}C$），漏源電壓額定值為 600 V。在脈沖條件下，漏極電流可達(dá) 94 A。
• 低導(dǎo)通電阻：在 $V{GS}=10 V$、$I{D}=11.8 A$ 時(shí)，$R_{DS(on)}$ 最大為 240 mΩ，有助于降低功率損耗。
• 低柵極電荷：典型值為 110 nC，這意味著更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的驅(qū)動(dòng)功率需求。
• 低 $C_{rss}$：典型值為 56 pF，有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振蕩和電磁干擾。

雪崩特性

該器件經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量為 1300 mJ，重復(fù)雪崩能量為 31 mJ，具有良好的抗雪崩能力，能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定。

環(huán)保特性

FQA24N60 是無(wú)鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

在設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)，需要根據(jù)這些熱阻參數(shù)來(lái)確保器件在安全的溫度范圍內(nèi)工作。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：$V{GS}=0 V$、$I{D}=250 mu A$ 時(shí)，$BVDSS$ 為 600 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：$I_{D}=250 mu A$ 時(shí)，參考 $25^{circ}C$，典型值為 0.6 V/°C。
• 零柵壓漏極電流：$V{DS}=600 V$、$V{GS}=0 V$ 時(shí)，最大為 10 μA；$V{DS}=480 V$、$T{C}=125^{circ}C$ 時(shí)，最大為 100 μA。
• 柵體泄漏電流：正向和反向在 $V{GS}=pm 30 V$、$V{DS}=0 V$ 時(shí)，最大為 ± 100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：$V{DS}=V{GS}$、$I_{D}=250 mu A$ 時(shí)，范圍為 3.0 - 5.0 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：$V{GS}=10 V$、$I{D}=11.8 A$ 時(shí)，典型值為 0.18 Ω，最大值為 0.24 Ω。
• 正向跨導(dǎo)：$V{DS}=50 V$、$I{D}=11.8 A$ 時(shí)，典型值為 22.5 S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：$V{DS}=25 V$、$V{GS}=0 V$、$f = 1.0 MHz$ 時(shí)，典型值為 4200 pF，最大值為 5500 pF。
• 輸出電容：典型值為 550 pF，最大值為 720 pF。
• 反向傳輸電容：典型值為 56 pF，最大值為 75 pF。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間：$V{DD}=300 V$、$I{D}=23.5 A$、$R_{G}=25 Ω$ 時(shí)，典型值為 90 ns，最大值為 190 ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間：典型值為 270 ns，最大值為 550 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：典型值為 200 ns，最大值為 410 ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間：典型值為 170 ns，最大值為 350 ns。
• 總柵極電荷：$V{DS}=480 V$、$I{D}=23.5 A$、$V_{GS}=10 V$ 時(shí)，典型值為 110 nC，最大值為 145 nC。
• 柵源電荷：典型值為 25 nC。
• 柵漏電荷：典型值為 53 nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：23.5 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：94 A。
• 漏源二極管正向電壓：$V{GS}=0 V$、$I{S}=23.5 A$ 時(shí)，典型值為 1.4 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：$V{GS}=0 V$、$I{S}=23.5 A$、$dl_{F} / dt=100 A / mu s$ 時(shí)，為 470 ns。
• 反向恢復(fù)電荷：6.2 μC。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能。

封裝信息

FQA24N60 采用 TO - 3P - 3L（無(wú)鉛）封裝，每管裝 450 個(gè)。這種封裝具有良好的散熱性能，適合高功率應(yīng)用。

應(yīng)用建議

在使用 FQA24N60 時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：

1. 散熱設(shè)計(jì)：根據(jù)熱特性參數(shù)，合理設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)，確保器件在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
2. 驅(qū)動(dòng)電路：由于其低柵極電荷特性，可以選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 保護(hù)措施：考慮到其雪崩特性，在電路中可以添加適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施，以防止器件在異常情況下?lián)p壞。

總之，onsemi 的 FQA24N60 N - Channel MOSFET 是一款性能優(yōu)異的功率器件，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。通過(guò)深入了解其特性和參數(shù)，工程師可以更好地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)類似 MOSFET 的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。