FDB0170N607L N-Channel PowerTrench? MOSFET：高性能工業(yè)應(yīng)用利器

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)場景。今天，我們就來深入了解一下FDB0170N607L這款N-Channel PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用優(yōu)勢。

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一、公司背景與產(chǎn)品變更說明

Fairchild Semiconductor現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，特別是Fairchild零件編號中的下劃線（_）將更改為破折號（-）。大家可以通過ON Semiconductor的網(wǎng)站（www.onsemi.com）來驗證更新后的器件編號。

二、產(chǎn)品概述

FDB0170N607L是一款N-Channel MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor先進(jìn)的PowerTrench?工藝。該工藝專門針對工業(yè)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在保持出色的耐用性和開關(guān)性能的同時，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻。

（一）關(guān)鍵參數(shù)

• 電壓與電流：耐壓60V，連續(xù)漏極電流在(T_C = 25^{circ}C)時可達(dá)300A，(T_C = 100^{circ}C)時為210A，脈沖電流可達(dá)1620A。
• 導(dǎo)通電阻：在(V_{GS}=10V)，(ID = 39A)時，最大(r{DS(on)} = 1.4mΩ)。

（二）產(chǎn)品特性

1. 快速開關(guān)速度：能夠?qū)崿F(xiàn)快速的導(dǎo)通和關(guān)斷，減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 低柵極電荷：降低了驅(qū)動電路的功耗，提高了開關(guān)速度和響應(yīng)性能。
3. 高性能溝槽技術(shù)：實現(xiàn)了極低的(R_{DS(on)})，減少了導(dǎo)通損耗，提高了功率轉(zhuǎn)換效率。
4. 高功率和電流處理能力：能夠承受較大的功率和電流，適用于高功率應(yīng)用場景。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

該MOSFET具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于以下幾個方面：

1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動：為電機(jī)提供高效的功率控制，實現(xiàn)精確的速度和轉(zhuǎn)矩調(diào)節(jié)。
2. 工業(yè)電源：在電源轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用，提高電源的效率和穩(wěn)定性。
3. 工業(yè)自動化：用于自動化設(shè)備的功率控制，確保設(shè)備的可靠運(yùn)行。
4. 電池供電工具：延長電池的使用時間，提高工具的性能。
5. 電池保護(hù)：防止電池過充、過放和短路，保護(hù)電池的安全。
6. 太陽能逆變器：將太陽能轉(zhuǎn)換為電能，提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率。
7. UPS和能量逆變器：在不間斷電源和能量轉(zhuǎn)換中提供可靠的功率支持。
8. 能量存儲：用于能量存儲系統(tǒng)，實現(xiàn)能量的高效存儲和釋放。
9. 負(fù)載開關(guān)：實現(xiàn)對負(fù)載的快速開關(guān)控制，提高系統(tǒng)的靈活性。

四、電氣特性

（一）截止特性

• 漏源擊穿電壓（(B_{VDS})）：在(ID = 250μA)，(V{GS} = 0V)時，為60V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)（(Delta B_{VDS}/Delta T_J)）：在(I_D = 250μA)，參考溫度為(25^{circ}C)時，為13mV/°C。
• 零柵壓漏極電流（(I_{DSS})）：在(V{DS} = 48V)，(V{GS} = 0V)時，為μA（文檔未明確具體數(shù)值）。
• 柵源泄漏電流（(I_{GSS})）：在(V{GS} = ±20V)，(V{DS} = 0V)時，為±100nA。

（二）導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（(V_{GS(th)})）：在(VS = V{PS})，(I_D = 250A)時，最小值為2V，典型值為3V，最大值為4V。
• 柵源閾值電壓溫度系數(shù)（(Delta V_{GS(th)}/Delta T_J)）：在(I_D = 250A)，參考溫度為(25^{circ}C)時，為 -13mV/°C。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）：在(V_{GS} = 10V)，(ID = 39A)時，典型值為1.1mΩ，最大值為1.4mΩ；在(V{GS} = 10V)，(I_D = 39A)，(T_J = 150^{circ}C)時，典型值為1.9mΩ，最大值為3.5mΩ。
• 正向跨導(dǎo)（(g_{FS})）：在(V_{DS} = 10V)，(I_D = 39A)時，典型值為159S。

（三）動態(tài)特性

• 輸入電容（(C_{iss})）：范圍為13750 - 19250pF。
• 輸出電容（(C_{oss})）：在(V{DS} = 30V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)時，范圍為3235 - 4530pF。
• 反向傳輸電容（(C_{rss})）：范圍為240 - 340pF。
• 柵極電阻（(R_g)）：為2.5Ω。

（四）開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間（(t_{d(on)})）：范圍為61 - 97ns。
• 上升時間（(t_r)）：范圍為64 - 103ns。
• 關(guān)斷延遲時間（(t_{d(off)})）：范圍為83 - 133ns。
• 下降時間（(t_f)）：范圍為37 - 60ns。
• 總柵極電荷（(Q_g)）：在(V{GS} = 0V)到10V時，范圍為173 - 243nC；在(V{GS} = 0V)到5V時，范圍為89 - 125nC。
• 柵源柵極電荷（(Q_{gs})）：為61nC。
• 柵漏“米勒”電荷（(Q_{gd})）：為26nC。

（五）漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流：為300A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流：為1620A。
• 源漏二極管正向電壓：在(V_{GS} = 0V)，(I_S = 39A)時，為0.8V。
• 反向恢復(fù)時間（(t_r)）：在(I = 39A)，(di/dt = 100A/s)時，范圍為90 - 144ns。
• 反向恢復(fù)電荷（(Q)）：范圍為95 - 152nC。

五、熱特性

（一）熱阻

• 結(jié)到殼熱阻（(R_{θJC})）：為0.6°C/W。
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（(R_{θJA})）：在1in2的2oz銅焊盤上為40°C/W；在最小的2oz銅焊盤上為62.5°C/W。

（二）熱響應(yīng)曲線

文檔中還給出了結(jié)到殼的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線，這對于工程師在設(shè)計散熱系統(tǒng)時非常重要，可以幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的溫度變化情況。

六、封裝與訂購信息

該MOSFET采用D2-PAK (TO263) 封裝，器件標(biāo)記為FDB0170N607L，卷盤尺寸為330mm，膠帶寬度為24mm，每卷數(shù)量為800個。

七、注意事項

1. 由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，所以Fairchild零件編號中的下劃線將被替換為破折號（-），使用時需注意核對更新后的器件編號。
2. 文檔中的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間而變化，因此所有工作參數(shù)（包括“典型值”）都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗證。
3. ON Semiconductor的產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國醫(yī)療設(shè)備，以及任何用于人體植入的設(shè)備。如果買家將產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買家應(yīng)承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。

FDB0170N607L N-Channel PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為工業(yè)電子設(shè)計提供了一個可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師們需要根據(jù)具體的設(shè)計需求，結(jié)合器件的電氣特性和熱特性，合理選擇和使用該器件，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用過程中，有沒有遇到過類似MOSFET的應(yīng)用挑戰(zhàn)呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。