中興事件讓我們認(rèn)識(shí)了中國(guó)的“芯”痛，那么小小芯片為什么這么難制造？今天小編給你介紹一下流程。

沙子，是制造芯片最基本的材料，而脫氧后的沙子，是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅（EGS），最后得到的就是硅錠（Ingot）

硅錠切割：橫向切割成圓形的單個(gè)硅片，也就是我們常說(shuō)的晶圓（Wafer）。順便說(shuō)，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？

涂上光刻膠，必須保證光刻膠非常平非常平。然后進(jìn)行光刻，這一步需要的技術(shù)水平非常高（目前中國(guó)自己的***只有90nm的制程，而國(guó)外先進(jìn)的可以做到7nm。）光刻膠層隨后透過(guò)掩模（Mask）被曝光在紫外線（UV）之下。

先溶解光刻膠，光刻過(guò)程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致再進(jìn)行蝕刻，使用化學(xué)物質(zhì)溶解暴露出來(lái)的晶圓，剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。

離子注入：在真空中，用經(jīng)過(guò)加速的原子、離子照射（注入）固體材料，使被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，改變區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。

電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，把銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極走向負(fù)極。電鍍完成之后，銅離子沉積在晶圓表面，形成薄薄的銅層

拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。

再經(jīng)過(guò)測(cè)試，切片，丟棄瑕疵內(nèi)核。留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步。

完成封裝