美中或是日韓貿(mào)易戰(zhàn)，均以科技領(lǐng)域?yàn)橹鲬?zhàn)場(chǎng)，都涉及到半導(dǎo)體層級(jí)，反映半導(dǎo)體是科技競(jìng)賽的主戰(zhàn)場(chǎng)。半導(dǎo)體是現(xiàn)代資訊產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心產(chǎn)業(yè)之一，為衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水準(zhǔn)乃至綜合國(guó)力的重要指標(biāo)。

更重要的是，美中或是日韓貿(mào)易戰(zhàn)將使全球化垂直分工所基于的商業(yè)信任和自由貿(mào)易規(guī)則遭到破壞，未來各國(guó)恐更加重視供應(yīng)安全與自主可控，是否造成資源浪費(fèi)、研發(fā)和投資效率低落等問題，值得深思。

即便是全球半導(dǎo)體供應(yīng)國(guó)之首的美國(guó)，占有國(guó)際附加價(jià)值、技術(shù)含量最高的環(huán)節(jié)，但因中國(guó)業(yè)務(wù)占美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者比重均在3成之上，更遑論部分美系半導(dǎo)體大廠的中國(guó)合計(jì)客戶占比高達(dá)5成以上，故在美中貿(mào)易戰(zhàn)之下，美系半導(dǎo)體廠業(yè)績(jī)也相對(duì)受損。

同樣地，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)近年來雖高速成長(zhǎng)，但部分環(huán)節(jié)發(fā)展仍未突破瓶頸，且有產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋不完整的情況，自然在美中貿(mào)易戰(zhàn)遭到美方以關(guān)稅、非關(guān)稅貿(mào)易障礙的方式，襲擊關(guān)鍵核心晶片的供應(yīng)。有鑒于此，預(yù)料中國(guó)將持續(xù)以半導(dǎo)體扶植政策、集成電路第2期大基金的投入、內(nèi)外部人力資源的積累、由科創(chuàng)板來實(shí)現(xiàn)資本市場(chǎng)和科技創(chuàng)新更加深度的融合，來加速推動(dòng)中國(guó)本身半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代的方向，期望在未來新興科技所帶動(dòng)的新產(chǎn)品、貿(mào)易戰(zhàn)下帶來的新分工模式基礎(chǔ)上，使中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)入技術(shù)能力提升、創(chuàng)新活力增加、產(chǎn)品多元化的結(jié)構(gòu)改革階段。

今年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的景氣表現(xiàn)，大體呈現(xiàn)先抑后揚(yáng)的局面，主要是盡管美中貿(mào)易談判未來仍是存有變數(shù)，但至少短期內(nèi)5至6月美國(guó)對(duì)于華為的嚴(yán)格禁制令在第3季初已有所松綁，使得下半年華為對(duì)于供應(yīng)鏈的下單力道加大。同時(shí)華為生態(tài)鏈的重塑也有利于中國(guó)本土的半導(dǎo)體廠商，顯然美中貿(mào)易戰(zhàn)加速核心環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈崛起的速度，且半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的庫存水位持續(xù)下降，再加上5G無線通訊、AI、 IOT、穿戴式裝置/AR/VR、車用電子、高效能運(yùn)算/資料中心、工業(yè)4.0/智慧制造等商機(jī)也將逐步發(fā)酵所致。

若以2019年中國(guó)晶圓代工的發(fā)展主軸來看，依舊以先進(jìn)制程的追趕與突破、特殊制程的差異化競(jìng)爭(zhēng)為主，后者應(yīng)用的產(chǎn)品包括DRAM，模擬IC，光學(xué)器件，感測(cè)器，分立器件等。其中2019年中芯國(guó)際公司專注推進(jìn)FinFET技術(shù)，上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，進(jìn)入產(chǎn)能布建，公司更規(guī)劃2019年下半年實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃，同時(shí)12納米制程開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，顯然中芯國(guó)際欲利用臺(tái)積電南京廠產(chǎn)能利用率下降，正研議放緩增建產(chǎn)能腳步之際，而縮短與臺(tái)積電中國(guó)布局的差距，不過隨著臺(tái)積電在***廠的先進(jìn)制程陸續(xù)步入7納米強(qiáng)化版、6納米制程、5納米制程之下，中芯國(guó)際仍是處于追趕的階段。