動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-04-26 01:23
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發(fā)布了文章 2022-04-23 01:42
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發(fā)布了文章 2022-04-20 01:27
新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC121.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-19 01:24
無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場(chǎng)信號(hào)和磁信號(hào)，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)2.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-16 01:38
IGBT驅(qū)動(dòng)電流行為綜述
IGBT驅(qū)動(dòng)需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動(dòng)的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電阻決定：但在小阻值驅(qū)動(dòng)回路中，實(shí)際測(cè)得驅(qū)動(dòng)電流一般比上述公式計(jì)算3.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-15 01:29
高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
前言目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-12 01:27
隔離型驅(qū)動(dòng)的新勢(shì)力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅(qū)動(dòng)
一提到隔離型驅(qū)動(dòng)，不少硬件研發(fā)工程師就會(huì)先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢(shì)，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復(fù)雜惡劣，這些都對(duì)隔離型驅(qū)動(dòng)的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。而英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)的超強(qiáng)性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：＋無磁芯變壓器隔離技術(shù)基于磁耦合的電氣隔2.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-08 01:25
如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評(píng)估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會(huì)引起結(jié)合點(diǎn)的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分2.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-07 01:25
SiC，30年意味著什么？
沈璐英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)一直以來英飛凌都在積極推進(jìn)創(chuàng)新，在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新使得我們已經(jīng)連續(xù)18年位列市場(chǎng)份額第一。無論是從創(chuàng)新還是從企業(yè)社會(huì)責(zé)任角度出發(fā)，英飛凌都會(huì)不遺余力地在碳化硅領(lǐng)域做出自己的貢獻(xiàn)。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，碳化硅市場(chǎng)規(guī)模有望在2025年超過25億美金，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過30%，其中可再生能源和新能源汽車等都是碳化硅極有前景 -
發(fā)布了文章 2022-04-02 01:41
絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過長(zhǎng)期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡(jiǎn)稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對(duì)于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機(jī)械支撐
