動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-08-19 21:29
什么是熱重分析法（TGA）
熱重分析（TGA）在LED品質(zhì)檢測(cè)中具有重要應(yīng)用。通過(guò)分析LED封裝材料（如環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠等）在受控溫度下的質(zhì)量變化，可以評(píng)估其熱穩(wěn)定性和分解行為，從而預(yù)測(cè)材料在高溫環(huán)境下的使用壽命和可靠性。熱重分析為L(zhǎng)ED產(chǎn)品的品質(zhì)控制和優(yōu)化提供了關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持，有助于確保LED在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。熱重分析的構(gòu)成熱重分析儀主要由以下幾個(gè)關(guān)鍵部分構(gòu)成：1.熱天平將電 -
發(fā)布了文章 2025-08-18 21:21
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發(fā)布了文章 2025-08-18 21:17
RoHS新國(guó)標(biāo)發(fā)布：PBB/PBDE管控再?gòu)?qiáng)化
中國(guó)RoHS的首個(gè)強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB26572-2025已于2025年8月1日正式發(fā)布169，并將于2027年8月1日正式實(shí)施，全面替代之前的推薦性標(biāo)準(zhǔn)GB/T26572-2011。新標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后，PBB（多溴聯(lián)苯）和PBDE（多溴二苯醚）作為被嚴(yán)格管控的有害物質(zhì)，其限值維持0.1%，與歐盟RoHS指令一致，但監(jiān)管力度從“部分目錄”升級(jí)為“全品類(lèi)覆蓋”，使得相 -
發(fā)布了文章 2025-08-15 14:03
如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析？
在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品，巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高分辨率觀察，尤其擅長(zhǎng)處理微小、復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。什么是截面分析？截面分析是失效分析中的一種重要方法，而使用雙束聚焦離子束-掃描電鏡（FIB-SEM）則是截面分析1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-15 13:59
怎么找出PCB光電元器件失效問(wèn)題
在電子信息產(chǎn)品中，PCB作為元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵樞紐，其質(zhì)量與可靠性對(duì)整機(jī)設(shè)備起著決定性作用。隨著產(chǎn)品小型化及環(huán)保要求的提升，PCB正向高密度、高Tg和環(huán)保方向發(fā)展。然而，受成本和技術(shù)限制，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問(wèn)題并明確責(zé)任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效 -
發(fā)布了文章 2025-08-14 11:24
FIB - SEM 技術(shù)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的實(shí)踐應(yīng)用
在半導(dǎo)體芯片的研發(fā)與失效分析環(huán)節(jié)，聚焦離子束雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）憑借其獨(dú)特的功能，逐漸成為該領(lǐng)域的核心技術(shù)工具。簡(jiǎn)而言之，這一系統(tǒng)將聚焦離子束（FIB）的微加工優(yōu)勢(shì)與掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像能力相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了加工與觀測(cè)的高效協(xié)同，為芯片技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步提供了堅(jiān)實(shí)保障。技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)FIB-SEM雙束系統(tǒng)由FIB模塊、SEM模塊以及多軸樣946瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-14 11:23
EBSD制樣不通用！一文讀懂不同材料的EBSD制樣方法
EBSD技術(shù)的重要地位與樣品制備基礎(chǔ)經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以來(lái)，電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）便在金屬材料研究領(lǐng)域嶄露頭角，成為不可或缺的關(guān)鍵工具，有力地促進(jìn)了材料科學(xué)研究的持續(xù)進(jìn)展。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專(zhuān)注于材料分析領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，憑借其先進(jìn)的EBSD分析設(shè)備和豐富的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供高質(zhì)量的材料晶體結(jié)構(gòu)與取向分析服務(wù)，助力材料科學(xué)研究的深入開(kāi)展。EBSD技術(shù)的 -
發(fā)布了文章 2025-08-13 14:02
顯微紅外光譜（Micro-FTIR）在異物分析中的應(yīng)用
顯微紅外光譜法1.簡(jiǎn)介：顯微紅外光譜技術(shù)融合了紅外光譜與顯微鏡的功能。其核心原理是分子振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致偶極矩變化，當(dāng)分子振動(dòng)頻率與紅外光頻率匹配時(shí)，分子會(huì)吸收紅外光能量，形成獨(dú)特的紅外吸收光譜，類(lèi)似于人類(lèi)的指紋。通過(guò)顯微鏡對(duì)樣品微小區(qū)域進(jìn)行定位，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)微量有機(jī)污染物的精確分析。2.優(yōu)勢(shì)：（1）靈敏度高，檢測(cè)限可低至10納克，幾納克的樣品就能獲得很好的紅外光譜圖 -
發(fā)布了文章 2025-08-12 14:42
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器：電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè)，隨著對(duì)功率電平和開(kāi)關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件，其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端：信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-12 14:41
