動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-29 16:06

  高亮度LED具有什么特性?控制LED的方法有哪些?

  

  采用高亮度LED照明將成為未來(lái)汽車的主要特征，這歸功于LED相對(duì)于傳統(tǒng)的白熾光照明方案所具有的許多基本優(yōu)勢(shì)。此外，采用LED照明也可帶動(dòng)汽車設(shè)計(jì)技術(shù)和設(shè)計(jì)風(fēng)格上的變化。然而，正像任何創(chuàng)新技術(shù)一樣，LED在被廣泛用于汽車照明之前，仍需要克服許多困難。關(guān)鍵特性1.可靠性與使用壽命：LED的預(yù)期使用壽命為5萬(wàn)個(gè)小時(shí)，而鹵鎢燈為2萬(wàn)個(gè)小時(shí)，鎢白熾燈為3千個(gè)小時(shí)。相對(duì)

  led 控制 汽車

  824瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:42

  三防測(cè)試——電子產(chǎn)品的可靠性檢測(cè)

  

  在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，確保其能夠在各種惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行是至關(guān)重要的。三防試驗(yàn)，包括濕熱試驗(yàn)、霉菌試驗(yàn)和鹽霧試驗(yàn)，正是為了模擬這些極端條件而設(shè)計(jì)的，用以評(píng)估電子產(chǎn)品的環(huán)境耐受性。這些測(cè)試對(duì)于保證產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要，尤其是在要求極高的軍事和航空航天領(lǐng)域。1.濕熱試驗(yàn)：該試驗(yàn)用于評(píng)估電工、電子及其他產(chǎn)品及材料在經(jīng)歷高溫、低溫、交

  測(cè)試 濕熱試驗(yàn)箱 電子產(chǎn)品

  907瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:38

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)分析

  

  聚焦離子束技術(shù)（FIB）聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonbeam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)

  fib 離子束

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:37

  五大常見(jiàn)電子元器件的失效全解析

  

  電子設(shè)備中絕大部分故障最終都可溯源至元器件失效。熟悉各類元器件的失效模式，往往僅憑直覺(jué)就能鎖定故障點(diǎn)，或僅憑一次簡(jiǎn)單的電阻、電壓測(cè)量即可定位問(wèn)題。電阻器類電阻器家族包括固定電阻與可變電阻（電位器），在整機(jī)中數(shù)量龐大且持續(xù)耗能，其引發(fā)的故障約占總故障的15%。統(tǒng)計(jì)表明，其中85%～90%為斷路、機(jī)械損傷、短路、絕緣擊穿等致命失效，僅約10%源于阻值漂移。1.材

  元器件 電子元器件 電子設(shè)備

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-27 15:04

  HALT實(shí)驗(yàn)與HASS實(shí)驗(yàn)在可靠性測(cè)試中的區(qū)別

  

  什么是HALT試驗(yàn)？HALT（HighlyAcceleratedLifeTest）的全稱是高加速壽命試驗(yàn)。HALT是一種通過(guò)施加逐級(jí)遞增的環(huán)境應(yīng)力或工作載荷，來(lái)加速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱點(diǎn)的試驗(yàn)方法。主要應(yīng)用于產(chǎn)品開發(fā)階段，它能以較短的時(shí)間促使產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和工藝缺陷暴露出來(lái)，從而為我們做設(shè)計(jì)改進(jìn)，提升產(chǎn)品可靠性提供依據(jù)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專注于可靠性領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)

  HALT HASS 可靠性測(cè)試

  835瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:59

  CDM試驗(yàn)對(duì)電子器件可靠性的影響

  

  在電子器件制造和應(yīng)用中，靜電放電（ESD）是一個(gè)重要的可靠性問(wèn)題。CDM（帶電器件模型）試驗(yàn)是評(píng)估電子器件在靜電放電環(huán)境下的敏感度和可靠性的重要手段。通過(guò)CDM試驗(yàn)，可以有效識(shí)別器件在制造、運(yùn)輸和使用過(guò)程中可能面臨的靜電放電風(fēng)險(xiǎn)，從而優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，提高其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。檢測(cè)服務(wù)涵蓋靜電放電（ESD）測(cè)試、可靠性測(cè)試、失效分析以及AEC-Q系列認(rèn)

  CDM 電子器件 靜電放電

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:58

  微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件發(fā)展中的作用

  

  微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電類型與載流子濃度。通過(guò)對(duì)摻雜種類、含量及分布形態(tài)的精確分析，可實(shí)現(xiàn)器件導(dǎo)電性能的定向設(shè)計(jì)，例如提升晶體管開關(guān)速度、降低功耗。在光電器件中，微量摻雜同樣具有關(guān)鍵作用

  GaN 光電器件 半導(dǎo)體器件

  838瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:22

  晶須生長(zhǎng)試驗(yàn)-電子元件可靠性驗(yàn)證的重要手段

  

  晶須是一種在金屬材料中形成的細(xì)長(zhǎng)絲狀晶體，這種微小結(jié)構(gòu)可能在電子或電氣產(chǎn)品中出現(xiàn)。晶須的形成通常與金屬晶體的非均勻擴(kuò)張有關(guān)，可能由應(yīng)力或其他外部因素引起。錫、鎘、鋅等金屬是容易產(chǎn)生晶須的典型材料，其中錫晶須尤為常見(jiàn)。晶須的存在可能對(duì)電子產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響，因此在電子制造過(guò)程中，控制和預(yù)防晶須的形成顯得尤為重要。晶須的成因與影響晶須的形成過(guò)程通常涉

  晶體 電子元件 錫須

  487瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:20

  聚焦離子束（FIB）在材料分析的應(yīng)用

  

  FIB是聚焦離子束的簡(jiǎn)稱，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過(guò)強(qiáng)電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級(jí)別的加工。FIB主要功能1.微納米級(jí)截面加工FIB可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測(cè)，同時(shí)可以邊加工刻蝕、邊利用SEM實(shí)時(shí)觀察樣品。截面分析是FIB最常見(jiàn)的應(yīng)用。這種刻

  fib 材料 離子束

  885瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-08-25 15:30

  一文了解功率半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試

  

  功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源

  功率半導(dǎo)體 可靠性測(cè)試

  816瀏覽量