英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響2023-12-22 08:14

  

  /引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。1對(duì)導(dǎo)通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型

  半導(dǎo)體 器件 驅(qū)動(dòng) 1113瀏覽量

• 英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎(jiǎng)2023-12-21 08:14

  

  11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎(jiǎng)最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位，得到了業(yè)內(nèi)專家和客戶的認(rèn)可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數(shù)、可靠性及壽命

  模塊 碳化硅 英飛凌 1624瀏覽量

• SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里2023-12-16 08:14

  

  在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的電機(jī)應(yīng)用中，SiC仍然具有不可比擬的優(yōu)勢(shì)，他們是：1低電感電機(jī)低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)

  IGBT MOSFET SiC 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1322瀏覽量

• 擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)bast-in-Class功率密度2023-12-11 17:31

  

  我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)

  IGBT 二極管 英飛凌 1297瀏覽量

• 感應(yīng)加熱原理與IGBT應(yīng)用拓?fù)浞治觯ㄉ希?/a>2023-12-09 08:14

  

  經(jīng)常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應(yīng)用的IGBT需要有什么特點(diǎn)？今天我們就給大家詳細(xì)解釋感應(yīng)加熱的原理和感應(yīng)加熱的拓?fù)浞治觥Ｔ诶斫怆姶鸥袘?yīng)加熱的原理之前，先問自己一個(gè)問題，假如這個(gè)世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會(huì)怎么做？最常見的方式，就是點(diǎn)燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統(tǒng)燃?xì)饧訜崛欢@種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋

  IGBT 感應(yīng)加熱 電磁 2345瀏覽量

• 英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度2023-12-02 08:14

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)

  SiC 封裝 英飛凌 1774瀏覽量

• 英飛凌EiceDRIVER™技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)2023-12-01 08:14

  

  碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時(shí)間小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會(huì)上，發(fā)表了《英飛凌EiceDRIVER技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)》的演講，詳細(xì)剖析了SiCMOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的需求，以及我們

  MOSFET SiC 英飛凌 驅(qū)動(dòng) 2470瀏覽量

• 增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量2023-11-28 08:13

  

  碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對(duì)稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強(qiáng)型M1HCoolSiC芯片又“強(qiáng)“在哪里？英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)工程師趙佳女士，在2023英

  MOSFET SiC 碳化硅 1836瀏覽量

• 英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品2023-11-21 08:14

  

  英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器

  IGBT 電源 英飛凌 1165瀏覽量

• 英領(lǐng)綠色能源｜產(chǎn)學(xué)聯(lián)動(dòng)，探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”更優(yōu)解2023-11-19 08:13

  

  作為全球功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現(xiàn)在開約！雙碳，一個(gè)持續(xù)熱門的話題，可謂宏大而復(fù)雜。為了理清該領(lǐng)域的最新發(fā)展邏輯，從產(chǎn)業(yè)宏觀和底層科技綜合視角來探討實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動(dòng)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，打造業(yè)界獨(dú)家欄目！在這檔欄目中，通過研究“雙

  功率半導(dǎo)體 能源 英飛凌 1224瀏覽量