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      中科院半導(dǎo)體所

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      集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

      光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-24 13:49 ?2050次閱讀
      集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

      PECVD的基本定義和主要作用

      PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-23 18:00 ?3238次閱讀
      PECVD的基本定義和主要作用

      三維集成電路與晶圓級(jí)3D集成介紹

      微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動(dòng)力展開(kāi)，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSO....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:38 ?2013次閱讀
      三維集成電路與晶圓級(jí)3D集成介紹

      芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

      在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:36 ?2581次閱讀
      芯片鍵合工藝技術(shù)介紹

      SOI工藝技術(shù)介紹

      在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulat....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:34 ?2040次閱讀
      SOI工藝技術(shù)介紹

      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護(hù)

      閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一種危險(xiǎn)的寄生效應(yīng)，可能導(dǎo)致芯片瞬間失效甚至永久燒毀....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:30 ?2558次閱讀
      CMOS集成電路中閂鎖效應(yīng)的產(chǎn)生與防護(hù)

      淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

      在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢(shì)，正通過(guò)垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:29 ?5051次閱讀
      淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

      熱載流子注入效應(yīng)對(duì)芯片有什么危害

      熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject, HCI)是半導(dǎo)體器件(如晶體管)工作時(shí)，高....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:27 ?1323次閱讀
      熱載流子注入效應(yīng)對(duì)芯片有什么危害

      功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

      在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4213次閱讀
      功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

      薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過(guò)材料堆積形....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:25 ?3320次閱讀
      集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

      3D封裝架構(gòu)的分類(lèi)和定義

      3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類(lèi)，分別采用TSV、TCB和混合鍵合....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:23 ?1921次閱讀
      3D封裝架構(gòu)的分類(lèi)和定義

      淺談SPICE模型參數(shù)自動(dòng)化提取

      在過(guò)去的幾十年里，半導(dǎo)體器件緊湊型模型已經(jīng)從 BJT Gummel-Poon 模型中的幾個(gè)參數(shù)發(fā)展到....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:21 ?1306次閱讀

      詳解芯片制造中的可測(cè)性設(shè)計(jì)

      然而，隨著納米技術(shù)的出現(xiàn)，芯片制造過(guò)程越來(lái)越復(fù)雜，晶體管密度增加，導(dǎo)致導(dǎo)線短路或斷路的概率增大，芯片....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-16 16:19 ?2804次閱讀
      詳解芯片制造中的可測(cè)性設(shè)計(jì)

      硅通孔電鍍材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

      硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-14 08:30 ?6825次閱讀
      硅通孔電鍍材料在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

      TSV制造工藝概述

      硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:41 ?3684次閱讀
      TSV制造工藝概述

      一文詳解晶圓級(jí)封裝與多芯片組件

      晶圓級(jí)封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線與....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-13 10:36 ?2503次閱讀
      一文詳解晶圓級(jí)封裝與多芯片組件

      PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

      半導(dǎo)體封裝正快速走向“堆疊+融合”：PoP把邏輯和存儲(chǔ)垂直整合，先測(cè)后疊保良率;光電路組裝用光纖替代....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 10-10 08:08 ?10111次閱讀
      PoP疊層封裝與光電路組裝技術(shù)解析

      系統(tǒng)級(jí)立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

      系統(tǒng)級(jí)立體封裝技術(shù)作為后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)的核心突破方向，正以三維集成理念重構(gòu)電子系統(tǒng)的構(gòu)建邏輯。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:46 ?7789次閱讀
      系統(tǒng)級(jí)立體封裝技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用

      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      目前車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-29 10:44 ?2841次閱讀
      碳化硅材料有什么特點(diǎn)

      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 16:17 ?6838次閱讀
      一文詳解SOI異質(zhì)結(jié)襯底

      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:53 ?1672次閱讀
      晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類(lèi)

      隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:52 ?1080次閱讀
      集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類(lèi)

      集成電路中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      柵極電阻的存在對(duì)電路性能的影響很大，會(huì)引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數(shù)，影響器件的開(kāi)關(guān)速度和最大振蕩頻....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:51 ?1002次閱讀
      集成電路中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法

      HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

      HBM通過(guò)使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片堆疊在一起，并通過(guò)硅通孔（TSV....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:47 ?2262次閱讀

      一文詳解BSIM-SOI模型

      隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-22 10:41 ?2164次閱讀
      一文詳解BSIM-SOI模型

      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1431次閱讀
      一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識(shí)

      想象一下，如果我們能夠"聽(tīng)見(jiàn)"分子的"聲音"，那會(huì)是什么樣的？拉曼光譜技術(shù)正是這樣一種神奇的工具，它....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:11 ?2635次閱讀
      拉曼光譜的基礎(chǔ)知識(shí)

      光伏電池的發(fā)展歷程和分類(lèi)

      2025 光伏電池的研究起源可追溯至 1883 年，科學(xué)家 Charles Fritts 采用硒半導(dǎo)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:09 ?1642次閱讀
      光伏電池的發(fā)展歷程和分類(lèi)

      電源管理芯片常見(jiàn)術(shù)語(yǔ)

      PMIC (Power Management Integrated Circuit)：電源管理集成電....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-17 16:07 ?1251次閱讀

      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷

      為什么非彈性散射值得我們關(guān)注?因?yàn)檫@類(lèi)散射過(guò)程產(chǎn)生了多種信號(hào)，每種信號(hào)都能提供比彈性電子更豐富的樣品....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-16 11:30 ?1937次閱讀
      一文詳解TEM中的非彈性散射和電子束損傷