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中科院半導(dǎo)體所

文章:1501 被閱讀:589w 粉絲數(shù):321 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):49

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離子注入技術(shù)的常見(jiàn)問(wèn)題

離子注入單晶靶材時(shí),因靶體存在特定晶向,其對(duì)入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-12 17:16 ?2546次閱讀
離子注入技術(shù)的常見(jiàn)問(wèn)題

一文詳解TEM中的彈性散射

彈性散射電子是TEM圖像襯度的主要來(lái)源,同時(shí)也產(chǎn)生衍射圖樣(DPs)的大部分強(qiáng)度,因此理解控制這一過(guò)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-10 15:20 ?2737次閱讀
一文詳解TEM中的彈性散射

一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

拉曼散射通常是一種非常微弱的效應(yīng),因?yàn)榧ぐl(fā)的光子與參與散射過(guò)程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?1468次閱讀
一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

在空間輻射環(huán)境下,高能質(zhì)子與重離子的作用會(huì)誘發(fā)單粒子效應(yīng)。誘發(fā)這類單粒子效應(yīng)的空間輻射,主要來(lái)源于兩....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?1368次閱讀
一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應(yīng)

PDK在集成電路領(lǐng)域的定義、組成和作用

PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計(jì)套件)是集成電路設(shè)計(jì)流程中的重要工具包,它為設(shè)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?2573次閱讀

TEM中散射和衍射的基本原理

電子是低質(zhì)量、帶負(fù)電荷的粒子,經(jīng)過(guò)其他電子或原子核附近時(shí)易被庫(kù)侖相互作用偏轉(zhuǎn)。這種靜電作用引起的散射....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:52 ?1983次閱讀
TEM中散射和衍射的基本原理

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:51 ?7106次閱讀
NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

在探討單粒子翻轉(zhuǎn)基本機(jī)理時(shí),深入理解并掌握各類電荷收集過(guò)程及其作用機(jī)理至關(guān)重要,這些過(guò)程與機(jī)理對(duì)明確....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:50 ?1222次閱讀
一文詳解單粒子效應(yīng)的電荷收集

一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

我們知道,帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過(guò)程中,會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用,沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:48 ?1540次閱讀
一文詳解半導(dǎo)體器件中的單粒子效應(yīng)

LOCOS工藝中鳥(niǎo)喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥(niǎo)喙效應(yīng)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-08 09:42 ?1185次閱讀
LOCOS工藝中鳥(niǎo)喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-05 09:45 ?3371次閱讀
晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu),采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級(jí)基板上完成精準(zhǔn)定位后,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:10 ?2830次閱讀
詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MEMS晶圓級(jí)電鍍技術(shù)

MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過(guò)程中,整個(gè)硅晶圓表面通過(guò)電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 09-01 16:07 ?2320次閱讀
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MEMS晶圓級(jí)電鍍技術(shù)

芯片封裝的功能、等級(jí)以及分類

在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:50 ?2004次閱讀

詳解WLCSP三維集成技術(shù)

晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢(shì),已成為移動(dòng)、可穿戴及 IoT....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:46 ?3329次閱讀
詳解WLCSP三維集成技術(shù)

詳解SPICE器件模型的分類

今天我們來(lái)聊聊工程師在仿真時(shí)比較關(guān)注的問(wèn)題。眾多的器件模型,我在仿真的時(shí)候到底應(yīng)該怎么選擇一個(gè)器件的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-28 13:42 ?1488次閱讀
詳解SPICE器件模型的分類

金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域,金屬鉻(Cr)因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)和工藝兼容性而被廣泛應(yīng)用。其物理化....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:32 ?1459次閱讀
金屬鉻在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

芯片收縮對(duì)功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響

在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:30 ?1718次閱讀

詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:28 ?2734次閱讀
詳解電力電子器件的芯片封裝技術(shù)

從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

在先進(jìn)封裝技術(shù)向超大型、晶圓級(jí)系統(tǒng)集成深化演進(jìn)的過(guò)程中,InFO 系列(InFO-MS、InFO-3....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:25 ?1320次閱讀
從InFO-MS到InFO_SoW的先進(jìn)封裝技術(shù)

詳解芯片封裝的工藝步驟

芯片封裝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步,它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響,還提供了與外部....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:23 ?2699次閱讀
詳解芯片封裝的工藝步驟

汽車芯片的分類和認(rèn)證等級(jí)

汽車半導(dǎo)體包括:主控芯片、功率器件、模擬芯片(信號(hào)鏈與接口芯片、電源管理芯片)、傳感器、存儲(chǔ)芯片等。....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:21 ?1822次閱讀
汽車芯片的分類和認(rèn)證等級(jí)

?三維集成電路的TSV布局設(shè)計(jì)

在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV(硅通孔)技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能,但其物理尺寸效應(yīng)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-25 11:20 ?2571次閱讀
?三維集成電路的TSV布局設(shè)計(jì)

淺談3D封裝與CoWoS封裝

自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍的預(yù)言以來(lái),摩爾定律已持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)跨越....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:48 ?1901次閱讀
淺談3D封裝與CoWoS封裝

晶圓制造中的Die是什么

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),Die(發(fā)音為/da?/,中文常稱為裸片、裸晶、晶?;蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓(Waf....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:46 ?4047次閱讀

深入剖析單晶硅的生長(zhǎng)方法

科技進(jìn)步和對(duì)高效智能產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:43 ?1718次閱讀
深入剖析單晶硅的生長(zhǎng)方法

構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長(zhǎng)分布模型

在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長(zhǎng)分布特性?;趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-21 10:41 ?1149次閱讀
構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長(zhǎng)分布模型

淺談數(shù)字芯片的常用術(shù)語(yǔ)

解釋: 這是數(shù)字芯片設(shè)計(jì)永恒的“鐵三角”。Power指芯片功耗,越低越好;Performance通常....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:36 ?1646次閱讀

超聲波掃描電子顯微鏡介紹

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密制造與檢測(cè)體系中,超聲波掃描電子顯微鏡(SAT)設(shè)備作為一種核心的無(wú)損檢測(cè)工具,正....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:34 ?1304次閱讀

詳解塑封工藝的流程步驟

塑封是微電子封裝中的核心環(huán)節(jié),主要作用是保護(hù)封裝內(nèi)部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:31 ?4628次閱讀
詳解塑封工藝的流程步驟