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      中科院半導(dǎo)體所

      文章：1501 被閱讀：589w 粉絲數(shù)：321 關(guān)注數(shù)：0 點(diǎn)贊數(shù)：49

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      空氣斷路器的概念和基本結(jié)構(gòu)

      在日常生活和工業(yè)場(chǎng)景中，我們時(shí)常會(huì)接觸到“跳閘”這一現(xiàn)象，比如家中突然斷電后，電箱內(nèi)的開關(guān)自動(dòng)彈開了....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-19 16:28 ?1590次閱讀

      MEMS封裝的需求與優(yōu)化方案

      當(dāng)前，盡管針對(duì) MEMS 器件的制備工藝與相關(guān)設(shè)備已開展了大量研究，但仍有不少 MEMS 傳感器未能....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-15 16:40 ?3025次閱讀
      MEMS封裝的需求與優(yōu)化方案

      積層多層板的歷史、特點(diǎn)和關(guān)鍵技術(shù)

      積層多層板的制作方式是在絕緣基板或傳統(tǒng)板件（雙面板、多層板）表面交替制作絕緣層、導(dǎo)電層及層間連接孔，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-15 16:38 ?1689次閱讀

      3D封裝的優(yōu)勢(shì)、結(jié)構(gòu)類型與特點(diǎn)

      近年來，隨著移動(dòng)通信和便攜式智能設(shè)備需求的飛速增長(zhǎng)及性能的不斷提升，對(duì)半導(dǎo)體集成電路性能的要求日益提....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:58 ?2486次閱讀
      3D封裝的優(yōu)勢(shì)、結(jié)構(gòu)類型與特點(diǎn)

      不同的PCB制作工藝的流程細(xì)節(jié)

      半加成法雙面 PCB 工藝具有很強(qiáng)的代表性，其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝，并通過對(duì)部分工藝步....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:55 ?7058次閱讀
      不同的PCB制作工藝的流程細(xì)節(jié)

      銅在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）中，銅（Cu）因優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能，成為一種重要的金屬材料，廣泛應(yīng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:53 ?1105次閱讀
      銅在微機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用

      CoWoP封裝的概念、流程與優(yōu)勢(shì)

      本文介紹了CoWoP（Chip?on?Wafer?on?Substrate）封裝的概念、流程與優(yōu)勢(shì)。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:49 ?2971次閱讀
      CoWoP封裝的概念、流程與優(yōu)勢(shì)

      太赫茲頻段硅的光學(xué)特性

      目前，在太赫茲（遠(yuǎn)紅外）頻段最透明的絕緣材料就是高阻的浮區(qū)（FZ）單晶硅。這是科研人員不斷的經(jīng)過實(shí)驗(yàn)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:45 ?1486次閱讀
      太赫茲頻段硅的光學(xué)特性

      一文詳解晶圓加工的基本流程

      晶棒需要經(jīng)過一系列加工，才能形成符合半導(dǎo)體制造要求的硅襯底，即晶圓。加工的基本流程為：滾磨、切斷、切....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:43 ?4834次閱讀
      一文詳解晶圓加工的基本流程

      掃描電鏡圖像分辨率評(píng)估新方法

      SEM是一種功能強(qiáng)大的工具，在材料科學(xué)、生物學(xué)、納米技術(shù)和醫(yī)學(xué)研究等科學(xué)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，其常見用途....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:38 ?1953次閱讀
      掃描電鏡圖像分辨率評(píng)估新方法

      TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化技術(shù)

      本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-12 10:35 ?1860次閱讀
      TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化技術(shù)

      系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)解析

      本文主要講述什么是系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)。 從封裝內(nèi)部的互連方式來看，主要包含引線鍵合、倒裝、硅通孔（TSV....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-05 15:09 ?2375次閱讀
      系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)解析

      共晶焊接工藝的基本原理

      共晶焊接的核心是通過形成異種金屬間的共晶組織，實(shí)現(xiàn)可靠牢固的金屬連接。在半導(dǎo)體封裝的芯片安裝過程中，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-05 15:06 ?4702次閱讀
      共晶焊接工藝的基本原理

      TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域

      2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-05 15:03 ?3292次閱讀
      TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域

      先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

      摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而，逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-05 14:59 ?2891次閱讀
      先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

      晶圓制造中的退火工藝詳解

      退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:35 ?2516次閱讀
      晶圓制造中的退火工藝詳解

      MOSFET的噪聲模型解析

      在無線通信中，接收器接收到的信號(hào)非常小，以至于系統(tǒng)中只能容忍有限的噪聲。因此，對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員來說，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:30 ?3974次閱讀
      MOSFET的噪聲模型解析

      集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)的材料與工藝

      集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)主要依據(jù)材料與管腳形態(tài)劃分：材料上采用金屬、塑料或陶瓷管殼實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)封裝；管腳結(jié)構(gòu)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:27 ?3537次閱讀
      集成電路傳統(tǒng)封裝技術(shù)的材料與工藝

      芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

      鍵合技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵，實(shí)現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:25 ?2187次閱讀
      芯片制造中的鍵合技術(shù)詳解

      TSV制造技術(shù)里的關(guān)鍵界面材料與工藝

      在TSV制造技術(shù)中，既包含TSV制造技術(shù)中通孔刻蝕與絕緣層的相關(guān)內(nèi)容。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:24 ?2149次閱讀
      TSV制造技術(shù)里的關(guān)鍵界面材料與工藝

      傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝的區(qū)別

      在芯片制造的最后環(huán)節(jié)，裸片（Die）需要穿上“防護(hù)鎧甲”——既要抵抗物理損傷和化學(xué)腐蝕，又要連接外部....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:22 ?1795次閱讀
      傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝的區(qū)別

      PCB中的Gerber文件是什么

      Gerber 文件是用于電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)中，尤其是在印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)和制造過程中，傳....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:20 ?4718次閱讀

      芯片制造中的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)詳解

      三維集成電路制造中，對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實(shí)現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點(diǎn)正確互聯(lián)的核心技術(shù)，直....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:16 ?3407次閱讀
      芯片制造中的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)詳解

      TSV制造技術(shù)里的通孔刻蝕與絕緣層

      相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開始....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 08-01 09:13 ?2326次閱讀

      半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演變過程

      想象一下，你要為比沙粒還小的芯片建造“房屋”——既要保護(hù)其脆弱電路，又要連接外部世界，還要解決散熱、....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-31 10:14 ?3783次閱讀
      半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演變過程

      基于TSV的減薄技術(shù)解析

      在半導(dǎo)體三維集成（3D IC）技術(shù)中，硅通孔（TSV）是實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統(tǒng)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-29 16:48 ?1685次閱讀
      基于TSV的減薄技術(shù)解析

      一文詳解絕緣體上硅技術(shù)

      絕緣體上硅（SOI）技術(shù)作為硅基集成電路領(lǐng)域的重要分支，其核心特征在于通過埋氧層（BOX）實(shí)現(xiàn)有源層....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-28 15:27 ?2465次閱讀
      一文詳解絕緣體上硅技術(shù)

      鎖相放大器中混頻器的工作原理

      鎖相放大器是一種用于提取微弱信號(hào)的高精度電子儀器，能夠在強(qiáng)噪聲背景下檢測(cè)出微伏（μV）甚至納伏（nV....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-26 09:25 ?1881次閱讀
      鎖相放大器中混頻器的工作原理

      集成電路封裝類型介紹

      在智能終端輕薄化浪潮中，集成電路封裝正面臨"尺寸縮減"與"管腳擴(kuò)容"的雙重?cái)D壓——處理器芯片為處理海....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-26 09:21 ?1953次閱讀
      集成電路封裝類型介紹

      2.5D及3D集成技術(shù)的熱性能對(duì)比

      在多芯片封裝趨勢(shì)下，一個(gè)封裝內(nèi)集成的高性能芯片日益增多，熱管理難題愈發(fā)凸顯?？諝饫鋮s應(yīng)對(duì)此類系統(tǒng)力不....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 07-24 16:47 ?2794次閱讀
      2.5D及3D集成技術(shù)的熱性能對(duì)比