德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:00
11332 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28988 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-24 11:24:001032 
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-24 14:42:19860 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-25 14:07:161149 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121007 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45979 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591090 
貿(mào)澤推出Infineon CIPOS Tiny逆變器模塊，為電機(jī)驅(qū)動器提供高功率密度。
2019-08-23 09:51:461565 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設(shè)計，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-04-13 14:58:561845 貿(mào)澤電子供應(yīng)的ams TMF8801-EVM包含ToF傳感器外殼和取樣鏡、USB type A轉(zhuǎn)micro-USB電纜、裝有EVM GUI軟件的USB閃存驅(qū)動器和EVM文檔。
2020-09-27 15:31:111506 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 宣布與光探測和測距（激光雷達(dá)）技術(shù)的新興制造商LightWare LiDAR LLC簽署全球分銷協(xié)議。
2021-08-13 14:04:341701 
%-100% 負(fù)載下 η =>95% ? 基于 CCM GaN 的圖騰柱無橋 PFC 級，峰值效率 >99%，通過具有集成式驅(qū)動器的 LMG341x GaNFET 實(shí)現(xiàn) ? 峰值
2020-06-22 18:22:03
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
部件：具有輸入（滾輪）和輸出（GaN驅(qū)動器）的Hercules控制器，以及功率調(diào)節(jié)：具有輸入 (LaunchPad) 和輸出（燈泡）的GaN驅(qū)動器。 圖4：硬件模塊對于固件來說也是如此。一個狀態(tài)機(jī)管理
2018-06-01 11:31:35
新應(yīng)用，產(chǎn)生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉(zhuǎn)換器的需求。車載牽引電機(jī)驅(qū)動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達(dá)2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
覆蓋-40℃至+85℃（部分型號達(dá)-40℃至+93℃），適應(yīng)復(fù)雜電磁環(huán)境和惡劣工況，確保高功率密度下的穩(wěn)定性。二、功率密度提升的實(shí)際價值空間受限場景的適配性：
在工業(yè)機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動器、六軸機(jī)器人等空間
2025-10-22 09:09:58
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅(qū)動器的設(shè)計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計的伺服驅(qū)動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
此參考設(shè)計為3kW 雙向交錯式連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實(shí)時控制器和具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩(wěn)定的 950kHz 開關(guān)頻率下，可達(dá)到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉(zhuǎn)換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關(guān)頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質(zhì)的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅(qū)動器演示
2019-11-11 15:48:09
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅(qū)動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡化設(shè)計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進(jìn)和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
如何利用高速ADC設(shè)計用于汽車的LIDAR系統(tǒng)？
2021-05-17 06:28:04
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程師大家好，初入電子領(lǐng)域，目前在研究高頻驅(qū)動電路，在高頻柵極驅(qū)動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅(qū)動的柵極驅(qū)動芯片或者有沒有推薦的搜索網(wǎng)站，希望各位大佬指點(diǎn)一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測）參考設(shè)計展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅(qū)動器 LMG1020，該驅(qū)動器能夠驅(qū)動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù)，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實(shí)現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計使用兩個并聯(lián)的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側(cè) GaN 驅(qū)動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
11 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷STMicroelectronics （ST） VL53L1X飛行時間 （ToF） 接近傳感器。ST FlightSense系列產(chǎn)品VL53L1X是市面上最快的微型ToF傳感器，測距精度達(dá)4米，頻率最高達(dá)50 Hz。
2018-06-07 14:53:001508 設(shè)計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅(qū)動器參考設(shè)計和高速DC / DC轉(zhuǎn)換器的多兆赫GaN功率級參考設(shè)計，快速開始氮化鎵設(shè)計。
2018-03-16 14:10:437054 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 （IMS） 評估平臺。IMS評估平臺價格親民，對于汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)和服務(wù)器或數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的功率系統(tǒng)而言，能夠改善熱傳導(dǎo)性能、提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。
2018-05-10 10:17:001889 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1020相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LMG1020的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1020真值表，LMG1020管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
III 系列器件，旨在支持空間受限的高速原始數(shù)據(jù)傳感器，適用于攝像機(jī)、衛(wèi)星雷達(dá)、LIDAR 和飛行時間(ToF) 等應(yīng)用。
2019-01-01 11:49:004102 本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應(yīng)用電路圖以及高壓評估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設(shè)計圖。
2019-04-05 11:02:007761 
此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測）參考設(shè)計展示了一款低側(cè)納秒級 GaN 柵極驅(qū)動器 LMG1020，該驅(qū)動器能夠驅(qū)動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151461 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:262448 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453363 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅(qū)動器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術(shù)，采用芯片級 BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:573912 
一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:216550 集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下工作，從而顯著降低對偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:321111 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:412479 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:092068 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50968 通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:271259 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57997 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:02:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-03 16:19:416 用于 GaN 功率開關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動器產(chǎn)品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57884 LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:521063 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05807 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23729 
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 （GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on） 和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11926 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47746 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-24 13:32:11727 
此參考設(shè)計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實(shí)現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG
2025-02-24 16:03:03872 
LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提高到新的水平。
LMG3425R030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-25 13:51:37683 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動器，設(shè)計用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG1020
2025-05-19 09:47:33913 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:072907 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22680 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30866 
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47821 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38771 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
2025-09-08 09:38:55696 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
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