在任何電力電子轉換器中，熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優(yōu)化后，工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要
2022-11-18 09:42:25
1468 LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 11:24:001032 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121007 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45978 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591090 
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:002049 貿澤電子即日起開售Laird Connectivity帶功率放大器的BL654PA模塊。
2019-11-13 14:48:232713 貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機存取存儲器 （ReRAM） 產品。
2021-12-13 14:06:531354 
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
LMG341xR050 半 H 橋驅動器（內部 FET） 電源管理 評估板
2024-03-14 23:22:15
下以更高的轉換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應用在同等的電壓下以更高的轉換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
解決方案來簡化您的設計，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉換產品組合。 更多電源類博文更多充電類產品TI更多視頻培訓原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
。 圖1：四開關降壓-升壓型轉換器功率級布局和原理圖在筆者看來，這些都是設計高密度DC/DC轉換器時所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術。組件技術的進步是降低整體功耗的關鍵，尤其在較高的開關頻率下對濾波器無源組件
2018-09-05 15:24:36
中央處理器（CPU）內核電源的高功率密度穩(wěn)壓器模塊TI Designs參考設計。電感器置頂的高功率密度12Vin、100W同步DC/DC步降（降壓）型轉換器TI Designs參考設計。訂購高密度
2018-09-05 15:24:34
高密度FIFO器件在視頻和圖像領域中的應用是什么
2021-06-02 06:32:43
需求：人數較多，大概有60多人，平時大家都用手機連接wifi 哪個牌子的無線AP好用，要室內的，謝謝自己看了豐潤達的一種雙頻的AP。聽說雙頻的適合高密度接入，是么？
2016-07-25 17:45:55
高密度服務器播放 rtsp 流出現斷連情況驗證
2023-09-18 07:14:50
的范例涉及功率級組件的放置和布線。精心的布局可同時提高開關性能、降低組件溫度并減少電磁干擾（EMI）信號。請細看圖1中的功率級布局和原理圖。圖1：四開關降壓-升壓型轉換器功率級布局和原理圖 在筆者看來，這些都是設計高密度DC/DC轉換器時所面臨的挑戰(zhàn)： 組件技術。組件技術的進步是降低整體功耗的關鍵，尤…
2022-11-18 06:23:45
/L，效率96.8%），支持20分鐘快充。數據中心：通過高功率密度設計降低PUE（能源使用效率），如英特爾數據中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對比：
硅基IGBT功率模塊
2025-10-22 09:09:58
、VTM48EF060T040A00、VTM48EF040T050B00 等停產型號，以及 ADI、TI 等品牌在高密度、大功率電源模塊領域的類似規(guī)格產品。MPN541382-PV核心參數輸入電壓范圍高壓側：40 V
2025-12-11 10:02:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
全球連接與傳感領域領軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實現最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達3千瓦的電源功率，從而
2024-03-06 16:51:58
DN409 - 三路輸出三相控制器節(jié)省了空間，并改善高密度功率轉換器性能
2019-07-29 12:48:33
3410R070 氮化鎵 (GaN)。此電源拓撲支持雙向潮流（PFC 和并網逆變器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并減小電源尺寸。該設計可利用切相和自適應死區(qū)時間提高效率，通過輸入電容補償方案提高輕
2023-01-17 09:51:23
請問關于高密度布線技術有什么要求？
2021-04-25 06:26:34
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
器件高密度BGA封裝設計引言隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數量的增加，對小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內部進行I/O 互聯(lián)，提高了引腳數量和電路板
2009-09-12 10:47:02
功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業(yè)機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進和優(yōu)化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
如何去設計一款能適應高密度FPGA的配置？
2021-04-08 06:07:38
如何去面對高速高密度PCB設計的新挑戰(zhàn)？
2021-04-23 06:18:11
本文旨在介紹一種全新的多內核平臺，其能夠通過優(yōu)化內核通信、任務管理及存儲器接入實現高密度視頻處理能力，此外，本文還闡述了擴展實施的結果如何支持多通道和多內核 HD 視頻應用的高密度視頻處理。
2021-06-01 06:20:28
，顯示畫面更加清晰、細膩。在顯示標準的高清圖像時，可以完全達到分辨率的要求。如果高密度燈管價格越來越低，勢必高密度LED顯示屏將在室內視頻監(jiān)控領域占有更大市場。 高密度LED顯示屏具備高清顯示、高刷新
2019-01-25 10:55:17
。您可使用LMG3410設計電源轉換器，進行快速切換，以提高效率，具有低壓過沖，并可減少電磁干擾（EMI）。TI的LMG3410 GaN功率級使得電源設計人員能夠開發(fā)更高密度和更高效率的電源。與具有過流
2019-08-26 04:45:13
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
FPGA 的 60W~72W 高密度電源的電氣性能、熱性能及布局設計之深入分析
2019-06-14 17:13:29
上電，我們馬上開始。
你可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個
2018-08-31 07:15:04
設備特別適合適用于低電壓應用，如手機和筆記本電腦計算機電源管理和其他電池供電電路在高側開關，低線內功率損耗需要在一個非常小的外形表面貼裝封裝特征● RDS（開）≦ 米?@VGS=10伏● 超高密度單元
2021-07-08 09:35:56
1000V100A30KW高壓高密度程控直流電源支持60臺電源級聯(lián)操作，具有高功率因數、高轉換效率、高精確度、高穩(wěn)定度、高可靠度、低紋波、低噪音、小體積（高密度）、極速響應等特點，廣泛應用于半導體
2021-12-29 08:23:41
本文介紹高速高密度PCB設計的關鍵技術問題（信號完整性、電源完整性、EMC /EM I和熱分析）和相關EDA技術的新進展，討論高速高密度PCB設計的幾種重要趨勢。
2021-04-25 07:07:17
改善功率密度，同時還能實現良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設計可廣泛應用于眾多需要快速響應的空間受限型應用，例如 5G 電信電源、服務器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級設計，具有高達
2018-10-17 15:39:59
) 12 Rating Catalog TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試 支持高密度電源轉換設計 與共源共柵或
2022-12-20 15:04:12
Rating Catalog TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試 支持高密度電源轉換設計 與共源共柵或獨立 Ga
2022-12-20 15:04:12
隨著數字電子產品向高速高密度發(fā)展，SI問題逐漸成為決定產品性能的因素之一，高速高密度PCB設計必須有效應對SI問題。在PCB級，影響SI的3個主要方面是互聯(lián)阻抗不連續(xù)引起的反射、鄰
2011-09-09 11:00:09
0 實現下一代高密度電源轉換 ，小電源的內容。
2016-01-06 18:00:090 PI31xx系列 高密度隔離式DC-DC轉換器
2016-01-06 17:52:320 關于電源設計的，關于 實現下一代高密度電源轉換
2016-06-01 17:48:0622 GaN產品應用于可靠和高密度電源的設計
2018-08-16 00:55:003952 驅動器可為要求速度的應用提供高效率、高性能的設計，適用于LiDAR、飛行時間激光貿澤電子供應的Texas Instruments LMG1020低側GAN驅動器，專為高速驅動GaN FET和邏輯電平
2018-11-03 10:47:001969 TI公司的LMG3410R050是具有過流保護的600-V 50-mΩGaN功率放大級,比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復以降低開關損耗達80%之多,以及低開關節(jié)點振鈴
2019-04-18 14:34:052746 
）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:062913 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節(jié)點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-05-29 16:39:073441 電子發(fā)燒友網為你提供基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:42:246 Cyntec高密度uPOL模塊是款非隔離DC-DC轉換器，提供高達6A的輸出電流。PWM開關調節(jié)器和高頻功率電感集成在一個混合封裝中。 Cyntec高密度uPOL模塊根據載荷開機自動運行，具備PWM
2021-10-29 09:24:342510 細看圖1中的功率級布局和原理圖。
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圖1：四開關降壓-升壓型轉換器功率級布局和原理圖
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在筆者看來，這些都是設計高密度DC/
2021-11-24 14:20:442077 )級。PFC級具有集成驅動器的LMG341x GaN FET，可在較寬的負載范圍內提供更高的效率，并滿足80多種鈦的要求。該設計還支持半橋LLC隔離式DC / DC級，以實現1kW的+ 12V直流輸出。兩...
2021-11-10 12:36:0310 由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關和低導通電阻，因此能夠實現非常高密度的功率轉換器設計。大多數高密度轉換器中輸出功率的限制因素是結溫，這促使需要更有效的熱設計。eGaN
2022-08-09 09:28:161539 
基于氮化鎵技術 (GaN) 的功率開關器件現已量產，并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術實施高功率解決方案，并提供應用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:133008 
配線架安裝方法： 一般而言，安裝高密度光纖配線架主要有三個步驟：將高密度光纖配線箱安裝在機架上、將光纖跳線引入高密度光纖配線架以及將光纖跳線分布在高密度光纖配線箱內，以下是三個主要步驟的詳細介紹以及在安裝過程
2022-09-01 10:18:402757 的才是最好的。高密度配線架怎樣選擇正確的型號?科蘭通訊為您解答。 ? 高密度配線架可以在1U的機架空間內提供144個LC連接密度。對于某些用戶來說，如此超高密度的好處多多，因為這些用戶機房內的導向器幾乎占據了機柜中所有的
2022-09-01 10:49:12682 PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。 通過在圖騰柱PFC架構中使用SiC MOSFET ，有可能實現更高的功率密度和效率，因為在這個功率水平上，開關頻率比其他方案高得多。了解 安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應對高密度設計挑戰(zhàn) ，報名參加第
2023-02-20 21:55:063027 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:412479 
高密度互連 (HDI) 需求主要來自于芯片供應商。最初的球柵陣列封裝 (BGA) 支持常規(guī)過孔。
2023-06-01 16:43:581194 
電子發(fā)燒友網站提供《高密度布線設計指南.pdf》資料免費下載
2023-09-01 15:21:431 高密度互連印刷電路板：如何實現高密度互連 HDI
2023-12-05 16:42:391817 
電子發(fā)燒友網站提供《600V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 15:27:070 電子發(fā)燒友網站提供《具有過流保護功能的LMG341xR050 600V 50mΩ集成式GaN功率級數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 11:33:540 電子發(fā)燒友網站提供《具有集成驅動器和保護功能的LMG341xR150 600V 150mΩ GaN數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 11:19:270 電子發(fā)燒友網站提供《具有集成驅動器和保護功能的LMG341xR070 600V 70mΩ GaN數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 11:18:300 配線架的詳細解析： 一、定義與功能 定義：MPO配線架通過將一個連接器上實現多芯光纖的連接，大大提高了連接密度，實現了高密度、高效率的光纖連接。 功能：主要用于數據中心的光纖主干連接及配線管理，支持高速數據傳輸和交換，具備高度的可擴展性和靈活性。 二、
2024-09-10 10:05:411468 的數據，并且支持在時鐘信號的上升沿和下降沿都進行數據傳輸，從而實現了數據傳輸速率的倍增。高密度DDR芯片的內部結構復雜而精細，采用了先進的納 米級制程技術和多層布線技術。芯片內部集成了大量的存儲單元、控制邏輯、I/O接口和時鐘電路等，能夠實現高速、高效的數據存儲和訪問。
2024-11-05 11:05:051644 電子發(fā)燒友網站提供《使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準諧振反激式轉換器.pdf》資料免費下載
2024-11-09 14:46:040 電子發(fā)燒友網站提供《使用LMG3624EVM-081 65W USB-C PD高密度準諧振反激式轉換器.pdf》資料免費下載
2024-11-09 14:47:570 電子發(fā)燒友網站提供《使用LMG3622EVM-082 65W USB-C PD高密度準諧振反激式轉換器.pdf》資料免費下載
2024-12-06 16:05:122 電子發(fā)燒友網站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:03:321 電子發(fā)燒友網站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:39:5312 LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47745 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 13:32:11727 
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG341x 半橋板（如 LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 允許
2025-02-26 09:33:221011 LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
、模塊化、以及便捷的跳纖操作，適用于數據中心、電信網絡、企業(yè)網絡等需要大規(guī)模光纖管理的場景。 高密度ODF的特點 高密度設計 節(jié)省空間：高密度ODF支持大量光纖的集中管理，減少了設備占地面積，適用于機房空間有限的場景。 模塊化結構：采用模塊化設計，方便安裝、維
2025-04-14 11:08:001582 高度)可集成數百個光纖或銅纜端口(如MPO高密度配線架支持1U/96芯以上)。 空間利用率：通過模塊化設計(如MPO連接器集成多芯光纖)和緊湊結構，顯著提升機柜空間利用率，適合數據中心等對空間敏感的場景。 中密度配線架 端口密度：每單位空間
2025-06-13 10:18:58700 Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770 
與大型系統(tǒng)配合使用。該評估板設有必要的功率級和柵極驅動高頻電流環(huán)路，可最大限度地降低電源環(huán)路寄生電感，減少電壓過沖，并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置為插座式外部連接，可輕松連接外部功率級，從而在各種應用中運行LMG342XR0X0。
2025-09-11 09:39:37682 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管（FET）集成了驅動器和保護功能，可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板，用于將任何LMG341x半橋板（例如LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉換器。該
2025-09-26 11:14:31549 
燒結銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01116
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