（#TBT）版本中，我們將刊登文章，廣告和其他我們發(fā)現(xiàn)的其他內(nèi)容，展示技術(shù)的發(fā)展程度，以及我們?nèi)绾蔚竭_(dá)安森美半導(dǎo)體今天的故事。我們?cè)?978年5月22日的商業(yè)周刊中發(fā)現(xiàn)了一篇文章 - 探索下一個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-10-15 08:49:51
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
%，降幅較3月份收窄5.58個(gè)百分點(diǎn)，回暖趨勢(shì)進(jìn)一步明朗?！ 》值貐^(qū)來(lái)看，美洲地區(qū)銷售額實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)，回升最為明顯，亞太和日本地區(qū)緊隨其后，營(yíng)收與去年同期基本持平，歐洲地區(qū)受債務(wù)危機(jī)影響，增長(zhǎng)仍顯遲滯
2012-06-12 15:23:39
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
的半導(dǎo)體激光器已在錫焊中的推廣應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體激光器價(jià)格的進(jìn)一步降低、人工成本的不斷提高及智能制造、精密制造的推進(jìn)，預(yù)計(jì)激光錫焊未來(lái)將逐步替換傳統(tǒng)的烙鐵焊接，得到廣泛的應(yīng)用。3、半導(dǎo)體激光器在軍事上
2019-04-01 00:36:01
的不斷深入發(fā)展，市場(chǎng)需求不斷轉(zhuǎn)向。半導(dǎo)體激光器應(yīng)用領(lǐng)域也不斷發(fā)生變化。從最初的小功率設(shè)備，發(fā)展到目前的大功率設(shè)備，半導(dǎo)體激光器也從一些輕型加工領(lǐng)域向重型加工領(lǐng)域轉(zhuǎn)移。早在20世紀(jì)80年代的時(shí)候
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看
2021-09-15 07:24:56
醫(yī)療設(shè)備和一起的激光器源其他領(lǐng)域。如激光打標(biāo)和軍事 成都華贏光電技術(shù)有限公司代理德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器詳細(xì)資料請(qǐng)與我們聯(lián)系：成都華贏光電技術(shù)有限公司電話：028-65692335傳真：028-66501714網(wǎng)站：www.hawin-laser.com
2009-12-08 09:34:25
性能的急劇惡化乃至失效。統(tǒng)計(jì)表明，半導(dǎo)體激光器突然失效，有一半以上的幾率是由于浪涌擊穿。因而如何保護(hù)半導(dǎo)體激光器，延長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的使用壽命是研制大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源保護(hù)電路的重要問(wèn)題。主要應(yīng)考
2011-07-16 09:12:38
近年來(lái)，隨著大功率半導(dǎo)體激光器技術(shù)的快速發(fā)展，大功率半導(dǎo)體激光器在材料加工、激光照明、激光醫(yī)療等民用領(lǐng)域，以及激光制導(dǎo)、激光夜視、激光武器等軍事領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這不僅促進(jìn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)
2018-08-13 15:39:59
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來(lái)的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來(lái)的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時(shí)期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。概括來(lái)說(shuō)，功率
2019-02-26 17:04:37
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
全球功率分立器件市場(chǎng)排名第二，這是相當(dāng)重要的。完成收購(gòu)后，安森美半導(dǎo)體能從單個(gè)源頭提供更多方案，以解決整個(gè)電壓范圍的更多應(yīng)用，如汽車功能電子化、電機(jī)控制、移動(dòng)電源及數(shù)據(jù)管理等等。到Electronica
2018-10-23 09:14:38
360，結(jié)合了安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先成像能力和Q Tech的制造能力。參考設(shè)計(jì)本身采用12顆安森美半導(dǎo)體數(shù)碼相機(jī)（DSC）類1英寸1000萬(wàn)像素 CMOS圖像傳感器AR1011，以同類最佳的定制的LCE
2018-10-24 09:00:10
關(guān)鍵問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)出智能功率級(jí)模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來(lái)源：Yole）然而，這一市場(chǎng)也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
的應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，隨著ALD(原子層淀積)技術(shù)的逐漸成熟，化合物半導(dǎo)體HMET結(jié)構(gòu)以及MOSFET結(jié)構(gòu)的器件質(zhì)量以及可靠性得到了極大的提升，進(jìn)一步提高了化合物半導(dǎo)體材料在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域
2019-06-13 04:20:24
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開(kāi)始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
92%的開(kāi)關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
的材料物理特性，為進(jìn)一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。下圖是Si、GaN、SiC以及GaAs材料基本物理性質(zhì)、以及多坐標(biāo)對(duì)比。如果你看不懂沒(méi)關(guān)系，這只是給大家分享一點(diǎn)直觀的數(shù)據(jù)。看了上面
2017-05-15 17:09:48
進(jìn)一步展現(xiàn)了AS3460主動(dòng)降噪（ANC）器件的卓越性能，能夠出色地管理主動(dòng)降噪和聽(tīng)覺(jué)增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)更好的聲音通透度?！?/div>
2020-11-23 15:52:05
發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，
2021-09-15 06:45:56
NEC電子中國(guó)成立大連分公司，進(jìn)一步強(qiáng)化車載半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
2008-08-12 08:05:13
997 下一代無(wú)線傳感進(jìn)一步向前發(fā)展
說(shuō)到游戲業(yè)，你會(huì)發(fā)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)傳感目前處于技術(shù)最前沿。當(dāng)今的領(lǐng)先游戲平臺(tái)(及后續(xù)產(chǎn)品)均包含無(wú)線傳感手持遙控器
2009-11-05 16:57:51903 
大功率半導(dǎo)體激光器封
2011-01-07 17:02:18
0 GAN/INGAN化合物材料研究與大功率芯片制備工藝突破，器件技術(shù)進(jìn)一步成熟、大功率LED散熱系統(tǒng)的改善，促進(jìn)半導(dǎo)體光源成果產(chǎn)業(yè)化、室內(nèi)外照明應(yīng)用日益廣泛，大有替代傳統(tǒng)光源發(fā)展之
2011-04-14 13:19:1226 半導(dǎo)體照明最大量的應(yīng)用將是普通照明領(lǐng)域。半導(dǎo)體燈用于普通照明一般要有比較大的功率。雖然就目前的技術(shù)狀態(tài)來(lái)看，商品化發(fā)光二極管的成本和光效還不太適合用于大功率的普通
2011-09-16 15:27:0453 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 當(dāng)前，材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升，碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展，下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析。
2012-12-03 09:09:052568 e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381776 高云半導(dǎo)體 科技股份有限公司今日宣布簽約ELDIS科技有限公司為以色列授權(quán)代理商。此舉標(biāo)志著高云半導(dǎo)體繼在亞太地區(qū)構(gòu)建銷售網(wǎng)絡(luò)后，又進(jìn)一步拓寬了歐洲市場(chǎng)的產(chǎn)品營(yíng)銷渠道。
2018-03-28 10:19:021913 為進(jìn)一步助推中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，中國(guó)（成都）半導(dǎo)體生態(tài)合作峰會(huì)將從全球視野角度出發(fā)，立足中國(guó)西部，關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)趨勢(shì)，聚焦產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系健康均衡發(fā)展。
2018-07-03 11:50:077603 項(xiàng)目針對(duì)面向制造業(yè)的大功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展中所面臨的迫切需求及關(guān)鍵挑戰(zhàn)，重點(diǎn)研究國(guó)產(chǎn)大功率半導(dǎo)體激光芯片，開(kāi)展雙微通道散熱、熱沉、大功率多光束合成、光纖耦合、光束整形等關(guān)鍵技術(shù)及半導(dǎo)體激光器失效機(jī)制等研究。
2018-08-29 10:07:039933 半導(dǎo)體是集成電路的基礎(chǔ)，目前集成電路已經(jīng)占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的80%，近幾年隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更加凸顯了半導(dǎo)體在工業(yè)生產(chǎn)上的重要作用。
2018-09-03 14:09:103812 了歷史性記錄，但這只暗2017年大幅放緩，然后在2018年進(jìn)一步放緩。但去年達(dá)到的并購(gòu)交易總額仍然幾乎是09到13年平均并購(gòu)金額的兩倍。
2019-01-22 15:26:033503 
半導(dǎo)體界人士認(rèn)為，三星展開(kāi)并購(gòu)的可能性很大。三星是全球第一大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司，但時(shí)下存儲(chǔ)器半導(dǎo)體需求不振，價(jià)格下跌，迫使三星尋求非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì)，而并購(gòu)則是最直接的手段。之前傳聞三星有意收購(gòu)格羅方德，進(jìn)一步擴(kuò)大半導(dǎo)體代工的規(guī)模。
2019-03-08 08:59:02956 李健指出：“當(dāng)傳統(tǒng)的汽車制造業(yè)遇到當(dāng)今的半導(dǎo)體，將會(huì)變成下一個(gè)引領(lǐng)浪潮的應(yīng)用載體?！?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體能為電動(dòng)汽車帶來(lái)更強(qiáng)大的“心臟”，如自動(dòng)駕駛處理器、ADAS芯片等，同時(shí)也帶來(lái)更強(qiáng)大的性能，讓電動(dòng)汽車
2019-05-06 16:19:205205 全球發(fā)展最快的FPGA公司——廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”）宣布任命兩家領(lǐng)先的分銷商來(lái)覆蓋俄羅斯和獨(dú)聯(lián)體地區(qū)，進(jìn)一步擴(kuò)充歐洲銷售渠道。
2019-07-23 10:38:581204 意法半導(dǎo)體宣布加入Zigbee聯(lián)盟中國(guó)成員組（ZMGC）理事會(huì)，進(jìn)一步擴(kuò)大與Zigbee聯(lián)盟的合作。
2020-03-24 15:10:571646 本文展望了SiC下一步需要做什么，將在哪里應(yīng)用以及如何成為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)力量。
2020-04-02 17:12:184371 作者陳紹婷、蔣麗媛 半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn)，在民用、軍用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始，從未停止，隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)
2020-10-27 16:24:449130 關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)下一代智能電源模塊（IPM），以應(yīng)用于高壓、大功率設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域。據(jù)表示，工業(yè)IPM的工程樣本將于2021年3月上市，并且很快將開(kāi)始生產(chǎn)，而汽車級(jí)設(shè)備樣品將于2021年下半年提供。
2020-11-02 16:48:403105 一種大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。特點(diǎn)體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大(正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏)。
2021-01-15 16:55:4617 大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用資料免費(fèi)下載。
2021-05-25 16:03:5238 大功率半導(dǎo)體激光器恒流源的設(shè)計(jì)分享。
2021-05-25 16:07:23110 中國(guó)，北京（2021 年 8 月 5 日）——安晟培半導(dǎo)體科技有限公司（Ampere Computing）日前宣布收購(gòu)AI技術(shù)初創(chuàng)公司 OnSpecta，該收購(gòu)將助力 Ampere 通過(guò) AI 推理應(yīng)用程序進(jìn)一步增強(qiáng) Ampere Altra 的性能。
2021-08-18 11:38:384121 全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311293 
突破性模擬。數(shù)字混合ic將噪聲降低51% 在控制下一代功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)IC方面，株式會(huì)社東芝（下稱“東芝”）成功實(shí)現(xiàn)了將模擬與數(shù)字高性能電路集成到單個(gè)芯片中*1。該混合IC能夠以2微秒甚至更短
2021-11-26 15:15:026880 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 東微半導(dǎo)體怎么樣？我們一起來(lái)看看東微半導(dǎo)體所從事的主要業(yè)務(wù)、經(jīng)營(yíng)模式、及研發(fā)情況： 東微半導(dǎo)體司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域
2022-04-24 10:37:227978 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC，成為唯一專注下一代功率半導(dǎo)體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:062747 
氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱，合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體（GaN和SiC）領(lǐng)域創(chuàng)建一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合，到2026年，其總市場(chǎng)機(jī)會(huì)估計(jì)每年超過(guò)200億美元。
2022-09-06 16:15:151471 的組裝和測(cè)試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還進(jìn)一步擴(kuò)大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽(yáng)能模塊以及高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。 ? ? 英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官Rutger Wijburg表示：“英飛凌遵循的是長(zhǎng)期
2022-10-17 17:17:03734 
2200億日元，并計(jì)劃將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。 羅姆稱，其花費(fèi)約20年推進(jìn)（下一代功率半導(dǎo)體）研發(fā)，運(yùn)轉(zhuǎn)機(jī)器時(shí)可提高用電效率，若裝在純電動(dòng)汽車（EV）上，續(xù)航里程可提升一成。 11月22日，馬自達(dá)宣布，正在開(kāi)發(fā)的“e-Axle”將搭載羅
2022-11-28 10:22:231837 ? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆（ROHM）12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24993 極具戰(zhàn)略意義的硅控制器技術(shù)，加速GaN和SiC市場(chǎng)推進(jìn)，搶奪傳統(tǒng)硅功率器件在多元化市場(chǎng)中的份額。 加利福尼亞州托倫斯，2023年1月19日訊：唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053 全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬(wàn)顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46947 功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:555834 
ADI董事會(huì)主席兼首席執(zhí)行官Vincent Roche表示：“自1976年以來(lái)，愛(ài)爾蘭一直是ADI的重要?jiǎng)?chuàng)新中心，這要?dú)w功于其強(qiáng)大的學(xué)術(shù)和研究組織、商業(yè)生態(tài)系統(tǒng)，以及積極的政府領(lǐng)導(dǎo)。下一代半導(dǎo)體制造設(shè)施和擴(kuò)建后的研發(fā)團(tuán)隊(duì)將進(jìn)一步擴(kuò)大ADI利默里克基地的全球影響力。
2023-05-19 11:18:211341 憑借下一代高成長(zhǎng)性，高功率半導(dǎo)體 氮化鎵和碳化硅，樹(shù)立新興市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年5月15日訊：下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式宣布
2023-05-23 14:15:34926 投資2000萬(wàn)美元，打造納微自身碳化硅外延片產(chǎn)能 加利福尼亞州托倫斯，2023年5月30日訊：下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）正式宣布其一系列戰(zhàn)略制造投資計(jì)劃中
2023-06-02 14:47:18786 的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾
2023-03-17 11:24:172099 
電子展上，納微半導(dǎo)體帶來(lái)不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)。 ? 納微半導(dǎo)體高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師羅月亮對(duì)電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192935 
下一代平臺(tái)將為數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車、家電及工業(yè)市場(chǎng)設(shè)定新標(biāo)桿
2023-08-28 14:16:362499 納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹(shù)立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:151913 三星電機(jī)是韓國(guó)最大的半導(dǎo)體封裝基板公司，將在展會(huì)上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導(dǎo)體封裝基板，展示其技術(shù)。
2023-09-08 11:03:201505 適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:502359 
納微半導(dǎo)體，作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司，氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:201499 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 系統(tǒng)的集成度、易用性、上市速度和可制性，相較傳統(tǒng)硅基方案進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。 加利福尼亞州托倫斯2024年5月9日訊?—?下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布 截至2024年3月31日的第一季度未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。 納微半導(dǎo)體
2024-05-10 18:35:412437 
加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺(tái)，
2024-05-24 15:37:331347 近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來(lái)怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442671 據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露，臺(tái)積電正計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的產(chǎn)能。今年8月，臺(tái)積電已經(jīng)收購(gòu)了群創(chuàng)位于南科的5.5代LCD面板廠，而現(xiàn)在，市場(chǎng)消息稱臺(tái)積電有意收購(gòu)更多群創(chuàng)在南科附近的工廠。
2024-10-30 16:38:21914 近日， 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311436 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-02-26 17:05:131251 加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-11-07 16:46:052453 自我正式擔(dān)任納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）首席執(zhí)行官至今，已有 60 天時(shí)間。今天，我們迎來(lái)了關(guān)鍵時(shí)刻：納微正加速轉(zhuǎn)型，成為一家以高功率為核心、聚焦“從電網(wǎng)到GPU”全鏈路解決方案的功率半導(dǎo)體公司。
2025-11-21 17:05:121219 加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）與亞洲分銷巨頭
2025-12-04 15:13:401268 
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