美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
1103 
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:282027 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺采用
2012-11-17 10:40:171973 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機驅(qū)動及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001842 絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是具有高輸入阻抗和大雙極性電流能力的少數(shù)載流子功率器件。由于這些特性，IGBT非常適合電力電子中的許多應(yīng)用，尤其是電機驅(qū)動器、不間斷電源（UPS）、可再生能源
2013-07-16 14:42:106038 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對焊機產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅(qū)動板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設(shè)計時為其提供支持。評估驅(qū)動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動器，其中兩個1ED020I12-F驅(qū)動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
1200V TO-247-3L
XD040Q120AY1S3應(yīng)用： 電源(UPS/移動儲能/光伏逆變)40A 1200V TO-247-3L
XD006H060CX1G3應(yīng)用：電機控制6A 650V
2024-12-19 15:03:24
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
上?；厥?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061844 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:403388 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181200 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 驅(qū)動IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:357 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓撲而設(shè)計，可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:534151 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 據(jù)外媒報道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域。然而，FS-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國外大公司手里，目前市場上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出，國內(nèi)的IGBT
2019-12-19 17:59:0025 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:003421 
650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:252726 
是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機、工業(yè)縫紉機、伺服馬達等等領(lǐng)域。
2022-07-14 09:27:502812 
是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。
2022-07-28 09:27:241917 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。
2023-02-07 16:39:297436 
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于 能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用 ，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。 新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中 用于升壓電路提高
2023-03-22 14:50:03985 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:021869 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:262109 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 16:59:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:03:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:09:161 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 17:14:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:16:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:49:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 18:05:173 ? 具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運行和快速開關(guān)，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。 加利福尼亞州托倫斯2024年6月6日訊 —GaNFast
2024-06-11 15:46:171561 新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869 
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011504 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計，大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374 
森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162 
采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192865 
長晶科技本次推出了FST3.0（對標國際Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT單管，主要用于光伏儲能等應(yīng)用。
2024-12-02 09:36:571281 森國科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強，當(dāng)實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應(yīng)，短路時間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫擴大到175℃，有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081127 在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471044 揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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