下，渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號價(jià)格自上而下全線走高，渠道存儲廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢拉漲DDR4 UDIMM報(bào)價(jià)，部分DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)格
2025-06-19 00:54:00
10155 
今天給大家?guī)砘赑CIe的RK3576+FPGA高速通信方案，實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)交互，解決工業(yè)采集“慢、卡、丟”難題，為工業(yè)自動化、能源電力等領(lǐng)域提供創(chuàng)新解決方案。
2025-12-26 17:46:32429 
TPD3S0x4：USB接口的高效保護(hù)解決方案 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，USB接口的穩(wěn)定性和安全性至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（TI）的TPD3S0x4系列產(chǎn)品，它為USB主機(jī)端口提供了
2025-12-22 15:15:23278 愛普生33.33MHz車規(guī)晶振X1E0003410500憑借±20ppm高穩(wěn)、1ps低抖動及-40℃~125℃寬溫，為FPGA時(shí)鐘樹提供AEC-Q100認(rèn)證基準(zhǔn)時(shí)鐘。其6ms快啟與抗振特性保障高速SerDes與DDR4接口信號完整性，滿足ADAS與工業(yè)控制系統(tǒng)的嚴(yán)苛?xí)r序需求。
2025-12-18 10:15:00222 
2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28709 
隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，CPU核心數(shù)量不斷增加，數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級增長，傳統(tǒng)DDR4內(nèi)存的帶寬和能效已逐漸成為系統(tǒng)性能的瓶頸。DDR5作為下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生，旨在滿足數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算及高端
2025-12-01 15:28:04164 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，對于DDR4 DIMM的設(shè)計(jì)，EEPROM的選擇至關(guān)重要。N34C04作為一款專門為DDR4 DIMM設(shè)計(jì)的EEPROM Serial 4 - Kb器件，實(shí)現(xiàn)了JEDEC
2025-11-27 14:42:12306 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，溫度監(jiān)測與數(shù)據(jù)存儲是兩個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。ON Semiconductor推出的N34TS04，將溫度傳感器（TS）與4 - Kb的串行存在檢測（SPD）EEPROM集成于一體，為DDR4 DIMM應(yīng)用提供了高效且可靠的解決方案。今天，我們就來深入了解這款產(chǎn)品。
2025-11-27 14:35:39290 
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
（Shinshu University）研究團(tuán)隊(duì)的最新設(shè)計(jì)中，一個專為 Xilinx 7 系列 FPGA 量身打造的 4 位乘法器使用了僅 11 個 LUT + 2 個 CARRY4 塊，關(guān)鍵路徑延遲達(dá)到 2.75 ns。這是一次令人印象深刻的工藝優(yōu)化實(shí)踐。
2025-11-17 09:49:403274 
Xilinx FPGA因其高性能和低延遲，常用于串行通信接口設(shè)計(jì)。本文深入分析了Aurora、PCI Express和Serial RapidIO這三種在Xilinx系統(tǒng)設(shè)計(jì)中關(guān)鍵的串行通信協(xié)議。介紹了它們的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景，以及如何在不同需求下選擇合適的協(xié)議。
2025-11-14 15:02:112357 
本文介紹了一個基于FPGA的內(nèi)存到串行數(shù)據(jù)傳輸模塊，該模塊設(shè)計(jì)用來高效地處理存儲器中的數(shù)據(jù)并傳輸至串行接口。項(xiàng)目中自定義的“datamover_mm2s_fpga_”方案利用異步FIFO結(jié)構(gòu)來解決不同時(shí)鐘域之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐絾栴}。
2025-11-12 14:31:304133 
。
基于 VC709 FPGA 的 Block Design 工程設(shè)計(jì)如圖 1 所示。 圖中 CPU 模塊中包含了 Xilinx 提供的 Microblaze CPU 軟核以及一些內(nèi)存與復(fù)位模塊， 除時(shí)鐘
2025-11-12 09:52:14
空間是簡單方便的方法。
蜂鳥提供了icb2axi模塊，為了方便在block design中使用，將其封裝為IP，保留其可配置參數(shù)，如下所示：
為了方便多個設(shè)備訪問DDR，這里采用axi接口
2025-10-31 06:07:38
由于FPGA內(nèi)部存儲資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進(jìn)行存儲擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
和跨總線協(xié)議的“橋梁”。所幸的是，大佬的開源工程已經(jīng)為我們提供了一個解決方案：通過時(shí)鐘的整數(shù)倍頻率關(guān)系完成DDR native interface到系統(tǒng)icb總線的橋接轉(zhuǎn)換器。這個模塊就是項(xiàng)目
2025-10-28 07:25:32
：使用DDR200T上板載的DDR3對內(nèi)存進(jìn)行擴(kuò)展
擴(kuò)展方案結(jié)構(gòu)圖：
該方案中DDR3使用vivado提供的axi接口mig的IP核來進(jìn)行控制，蜂鳥e203源代碼中提供了icb2axi模塊，可以使發(fā)出
2025-10-24 08:12:53
的sirv_expl_axi_slv模塊注釋掉，否則會報(bào)出端口被重復(fù)定義的錯誤)
3.將E203與MIG接口通過AXI接口進(jìn)行連接
BD設(shè)計(jì)如下圖所示
4.sdk軟件代碼
可通過e203內(nèi)核
2025-10-23 06:22:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 “早知道就多囤幾根內(nèi)存條了！”——這是2025年10月電商促銷季里，無數(shù)DIY玩家與渠道商發(fā)出的共同感嘆。如今，DDR4 16GB內(nèi)存價(jià)格突破500元，一年內(nèi)漲幅超兩倍，賺錢
2025-10-22 09:19:3710310 
雙 DDR4 內(nèi)存通道，配備 2 個 DDR4 內(nèi)存插槽，兼容 2333/3200MHz 內(nèi)存，可支持 64GB 內(nèi)存容量，能夠滿足多任務(wù)運(yùn)行時(shí)的內(nèi)存需求。存儲方
2025-10-21 15:31:04
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
PCIe Gen4 接口，可為各種專業(yè)音視頻和廣播應(yīng)用提供強(qiáng)大的解決方案和長期的供貨支持，這些應(yīng)用涵蓋 AV-over-IP 網(wǎng)絡(luò)橋接器、視頻轉(zhuǎn)換器、多畫面處理器、PCIe 采集、播放和處理卡等。
2025-10-17 10:16:37556 
在 FPGA 中測試 DDR 帶寬時(shí)，帶寬無法跑滿是常見問題。下面我將從架構(gòu)、時(shí)序、訪問模式、工具限制等多個維度，系統(tǒng)梳理導(dǎo)致 DDR 帶寬跑不滿的常見原因及分析方法。
2025-10-15 10:17:41735 涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時(shí)代進(jìn)入收尾階段。
2025-10-14 17:11:371033 10月10日，以“碳硅共生 合創(chuàng)AI+時(shí)代”為主題的2025中國移動全球合作伙伴大會上，芯盛智能科技（湖南）有限公司攜手中國移動通信集團(tuán)終端有限公司聯(lián)合發(fā)布基于1Xnm工藝制程的全國產(chǎn)DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，這一成果彰顯了數(shù)字基建自主可控又邁出了關(guān)鍵一步，為數(shù)字中國建設(shè)提供了更安全可靠的硬件支撐。
2025-10-13 14:28:551423 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
的Kintex UltraScale+開發(fā)板采用核心板+底板結(jié)構(gòu)，核心板提供KU3P/KU5P兩種型號，配備2GB DDR4、256Mb QSPI Flash等資源，通過240P高速連接器與底板連接。底板集成了千兆以太網(wǎng)、QSFP28、MIPI、FMC、PCIe等豐富接口，并內(nèi)置USB-JTAG調(diào)試器
2025-09-26 10:46:19782 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041732 
TPS65296器件以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 LPDDR4/LPDDR4X 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65296集成了兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器（VDD1和VDD2）和一個1.5A LDO（VDDQ）。
2025-09-09 14:11:061155 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37756 
的技術(shù)支持和行業(yè)化的應(yīng)用方案，貞光科技正在幫助更多客戶在供應(yīng)鏈安全與性能需求之間找到平衡。全系列產(chǎn)品覆蓋：從SDR到DDR4紫光國芯在DRAM領(lǐng)域的技術(shù)積累超過十年，產(chǎn)品
2025-09-03 16:22:461511 
作為主處理器，FPGA 外掛兩組 72 位 DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，DDR4 的最高數(shù)據(jù)緩存帶寬可以達(dá)到2400MHz，DDR4 的緩存
2025-08-29 15:57:37398 
：XCKU115-2FLVF1924I 作為主處理器，FPGA 外掛兩組 72 位 DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，DDR4 的最高數(shù)據(jù)緩存帶寬可以達(dá)到 2400M
2025-08-29 15:49:41
DDR4 SDRAM，用來實(shí)現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，FPGA的PS端外掛1組72位的DDR4 SDRAM的高速數(shù)據(jù)緩存，用來支持操作系統(tǒng)的運(yùn)行。該平臺支持2個FMC+接口，
2025-08-29 15:28:59
璞致電子PZ-KU060-KFB開發(fā)板采用Xilinx Kintex UltraScale KU060芯片，提供高密度并行計(jì)算能力，配備4GB DDR4內(nèi)存、20對GTH高速收發(fā)器和多種擴(kuò)展接口
2025-08-18 13:28:10581 
RZ/G2L微處理器配備Cortex-A55（1.2GHz）CPU、16位DDR3L/DDR4接口、帶Arm Mali-G31的3D圖形加速引擎以及視頻編解碼器（H.264）。此外，這款微處理器還
2025-08-04 13:40:033085 
高能效的互連解決方案。公司于2019年7月22日在A股上市，截至2025年7月28日收盤，總市值超過人民幣984.18億元。 ? 瀾起科技在DDR4及DDR5以及之后時(shí)代的內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域保持市場領(lǐng)導(dǎo)地位，并且正將專長擴(kuò)展至PCIe/CXL互連和其他互連領(lǐng)域，以進(jìn)一步鞏
2025-08-03 07:50:006825 
關(guān)于 AMD/Xilinx 7系列FPGA存儲器接口解決方案（UG586） 的用戶指南，其主要內(nèi)容和技術(shù)要點(diǎn)可概括如下：1. 文檔定位與核心內(nèi)容定位：該文檔是7系列FPGA中存儲接口控制器的官方
2025-07-28 16:17:45
3 超高速信號處理與光通信。其核心特性包括：16GB DDR4存儲、PCIe3.0x8高速接口以及豐富的開發(fā)工具鏈支持。該產(chǎn)品適用于100G光通信、多通道雷達(dá)處理、超高速數(shù)據(jù)采集等尖端場景，為科研與工業(yè)應(yīng)用提供高性能解決方案。璞致電子憑借十余年FPGA領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)，致力于為全球客戶提供可靠信號處理方案。
2025-07-24 09:05:19773 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-14 14:49:506 DRAM內(nèi)存市場“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)
2025-07-09 11:11:241702 
面對近來全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來的巨大供應(yīng)短缺，芯動科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 北京貞光科技有限公司作為紫光國芯的核心代理商，貞光科技在車規(guī)級存儲和工業(yè)控制領(lǐng)域深耕多年，憑借專業(yè)的技術(shù)服務(wù)能力為汽車電子、ADAS系統(tǒng)等高可靠性應(yīng)用提供穩(wěn)定供應(yīng)保障。近期DDR4內(nèi)存價(jià)格出現(xiàn)大幅
2025-06-27 09:45:114125 
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的44%。最新市場數(shù)據(jù)
2025-06-27 00:27:004539 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152010 
本文介紹FPGA與高速ADC接口方式和標(biāo)準(zhǔn)以及JESD204與FPGA高速串行接口。
2025-06-12 14:18:212879 
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
供電 ·超大內(nèi)存擴(kuò)展：雙通道DDR4插槽，最高支持64GB 2666MHz高頻內(nèi)存 專業(yè)接口配置 ▌多模態(tài)顯示
2025-06-10 16:12:281065 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《XILINX XCZU67DR FPGA完整原理圖.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-30 15:29:384 PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261303 給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲器價(jià)格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月
2025-05-13 15:20:111205 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
）、一個灌電流或拉電流 LDO （VTT）、兩個 LDO 和三個負(fù)載 開關(guān)由上電順序控制 提供適當(dāng)電源軌、時(shí)序和保護(hù)的邏輯，包括 DDR3 和 DDR4 內(nèi)存 權(quán)力。
2025-04-26 14:10:13663 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
。芯片產(chǎn)品上，目前為DDR4和DDR5內(nèi)存模塊提供了除DRAM顆粒以外所有的內(nèi)存模塊所需的芯片組，提供模塊解決方案以及一站式的服務(wù)。 ? 2024年，Rambus各項(xiàng)業(yè)務(wù)發(fā)展強(qiáng)勁，各項(xiàng)產(chǎn)品收入2.47億美金，再創(chuàng)紀(jì)錄。經(jīng)營現(xiàn)金流充足，為各項(xiàng)技術(shù)的研究投入、新品開發(fā)和演進(jìn)奠定
2025-04-25 18:07:002500 
的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
【FPGA新品】正點(diǎn)原子L22開發(fā)板來了！采用紫光的Logos系列FPGA，適合工業(yè)控制、圖像處理、高速通信等領(lǐng)域！
ATK-L22開發(fā)板采用紫光的Logos系列FPGA，板載1顆DDR3內(nèi)存芯片
2025-04-21 17:28:09
推動電腦邁入新一輪升級周期。相比服役多年的DDR4，DDR5不僅帶來更快的速度，還能提升游戲幀率、加快視頻渲染效率，甚至延長設(shè)備續(xù)航時(shí)間。（主板上的內(nèi)存插槽位置）問
2025-04-18 10:34:1371 
zynq系列中的FPGA，都會自帶兩個iic設(shè)備，我們直接調(diào)用其接口函數(shù)即可運(yùn)用。使用xilinx官方提供的庫函數(shù)，開發(fā)起來方便快捷。
2025-04-17 11:26:531871 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
FPGA。 對主機(jī)接口采用PCIe Gen4x8，配合PCIe DMA傳輸，支持高速數(shù)據(jù)采集和傳輸。 二、產(chǎn)品特性： ?● ?基于Zynq RFSoC系列FPGA，支持8路最高5G ADC和8路最高9G
2025-04-08 10:34:021023 
異構(gòu)處理器設(shè)計(jì)的DTU方案日益成為主流，其中實(shí)時(shí)核與控制核的協(xié)同工作，為配電系統(tǒng)的實(shí)時(shí)監(jiān)控與高效管理提供了有力保障。在此背景下，飛凌嵌入式基于FET536-C核心板的RISC-V核DTU解決方案應(yīng)運(yùn)而生
2025-03-31 14:26:48
貞光科技作為紫光國芯官方授權(quán)代理商，提供高性能存儲芯片解決方案。紫光國芯DDR4/DDR5內(nèi)存、SSD及嵌入式DRAM產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、工業(yè)控制及智能終端領(lǐng)域，支持國產(chǎn)化替代。貞光科技依托原廠技術(shù)團(tuán)隊(duì)，為客戶提供選型支持、定制化服務(wù)及快速交付，助力企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。
2025-03-25 15:44:551599 
，能使開發(fā)板的計(jì)算能力與靈活性大幅提升。
接口資源豐富：
1.高速存儲與傳輸：板載DDR3x4內(nèi)存，為數(shù)據(jù)存儲和處理提供了充足的空間和較高的讀寫速度。配備PCIe2.0x8 接口，可用于連接高速存儲
2025-03-25 15:21:18
3, DDR3L, DDR4和LPDDR3, LPDDR4協(xié)議，數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)2667Mbps，并支持X16/X32/X64等多種數(shù)據(jù)位寬應(yīng)用。
2025-03-21 16:20:03984 DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達(dá)到32KHz，在目前的EVM上可以實(shí)現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個問題回答是否定的，那么如何設(shè)計(jì)才能達(dá)到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002806 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513465 使用額外的DDR將要投影的圖案預(yù)先加載
在軟件上則需要使用VHDL或其他硬件描述語言對APPSFPGA進(jìn)行編程
不知道上述理解是否正確？
另外，我的問題在于：
1. 該EVM是否提供觸發(fā)信號接口用于后續(xù)
2025-02-19 07:04:51
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的高速內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:19
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:40:35
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:39:58
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:39:11
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D是一款高性能的DDR4 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于
2025-02-14 07:38:28
999AVV/NMA1XXD128GPSU4是一款高性能的128GB PC4-21300 DDR4-2666 Optane DC持久性內(nèi)存，專為需要大容量和高效能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用
2025-02-14 07:16:05
UltraScale+ XCVU13P（16nm工藝）FPGA 芯片，但從原先最大支持 16G DDR4 SODIMM 內(nèi)存條插槽升級為最大支持 32G ，并且支持多達(dá) 4 個 FMC+ 擴(kuò)展接口，接入
2025-02-13 17:56:441020 
驗(yàn)證提供了有力支持。通過引入先進(jìn)的測試技術(shù)和工具，是德科技的這款解決方案顯著提升了內(nèi)存設(shè)計(jì)和測試的效率與準(zhǔn)確性。 尤為值得一提的是，該解決方案還配備了專為AI技術(shù)發(fā)展而設(shè)計(jì)的全新測試自動化工具。這些工具不僅簡化了測試流程
2025-02-13 10:39:53900 如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
筆記本電腦和小型計(jì)算設(shè)備，提供卓越的性能和可靠性。 產(chǎn)品技術(shù)資料 型號 ：M471A2G43AB2-CWE 內(nèi)存類型 ：DDR4 S
2025-02-10 07:49:49
筆記本電腦和小型計(jì)算設(shè)備，提供卓越的性能和可靠性。 產(chǎn)品技術(shù)資料 型號 ：M425R2GA3PB0-CWM 內(nèi)存類型 ：DDR5 S
2025-02-10 07:49:16
筆記本電腦和小型計(jì)算設(shè)備，提供卓越的性能和可靠性。 產(chǎn)品技術(shù)資料 型號 ：M471A1G44CB0-CWE 內(nèi)存類型 ：DDR4 SD
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢。
2025-02-08 16:41:02930 各位大佬好，
我目前正在使用xilinx 7系列fpga進(jìn)行基于onfi4.0標(biāo)準(zhǔn)nv-ddr3接口的nand flash控制器的開發(fā)。目前在物理層接口上，特別是從nand讀取數(shù)據(jù)時(shí)，調(diào)試存在
2025-02-06 15:02:49
XCZU7EV高性能平臺。 方案介紹 4K@60fps視頻源經(jīng)過HDMI IN接口傳輸至TMDS181IRGZR芯片進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換后的高速串行信號通過GTH高速收發(fā)器輸入至PL端，利用Xilinx官方的IP核
2025-01-24 10:27:05979 
可根據(jù)項(xiàng)目需求選擇不同存儲與接口規(guī)格。此外，米爾提供全套開發(fā)板解決方案，包含必要的外圍接口模塊，助力用戶快速搭建測試環(huán)境。
核心板配置型號
產(chǎn)品型號主芯片內(nèi)存存儲器工作溫度
2025-01-10 14:32:38
直接進(jìn)行仿真了。這種方法非常的簡單，但是，DDR4 這一側(cè)的模型包含在內(nèi)部，接口信號隱藏了，所以用戶無法直接觀察到 DDR4 管腳上的波形。
2025-01-10 13:33:341481 
將數(shù)據(jù)從內(nèi)存移動到計(jì)算以執(zhí)行與內(nèi)存相關(guān)的轉(zhuǎn)換，這些轉(zhuǎn)換可以直接在內(nèi)存中完成，而無需遍歷互連。這使得它更節(jié)能，而且可能更快。 海力士在Hot Chips 2024上展示AI專用計(jì)算內(nèi)存解決方案
2025-01-09 16:08:041322 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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