探索HMC - ALH482：2 - 22 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器 在當(dāng)今的電子工程領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）在眾多應(yīng)用中都起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一款
2025-12-31 10:30:02
145 德州儀器TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分PECL驅(qū)動(dòng)器解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高性能的差分驅(qū)動(dòng)器對(duì)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)的傳輸至關(guān)重要。德州儀器（TI）的TB5D1M和TB5D2H四通道差分
2025-12-30 10:05:06102 探索TB5D1M與TB5D2H：高性能四通道差分驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的驅(qū)動(dòng)器對(duì)于確保信號(hào)的高效傳輸和系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的兩款四通道差分
2025-12-30 10:05:0299 SCAN921025H和SCAN921226H高速LVDS串并轉(zhuǎn)換芯片深度解析 在硬件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高速數(shù)據(jù)傳輸與處理一直是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。德州儀器（TI）的SCAN921025H和SCAN921226H芯片
2025-12-29 14:50:1384 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計(jì)水平的關(guān)鍵。今天，我們就來(lái)深入
2025-12-29 14:45:1077 CG2H40025F型號(hào)介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40025F。 它具備高效率、高增益和寬頻帶能力，這使
2025-12-29 11:28:30
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對(duì)于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292 050G4YS 650 V SuperGaN? FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的氮化鎵（GaN）FET，采用了Transphorm的Gen IV平臺(tái)，屬于常關(guān)型器件。它將先進(jìn)的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結(jié)
2025-12-29 10:05:1576 CG2H40045F型號(hào)介紹 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款放大器——CG2H40045F。 它展現(xiàn)出了 GaN 技術(shù)的典型優(yōu)勢(shì)
2025-12-24 10:57:35
244x/P3H284x I3C Hub，為我們提供了一種強(qiáng)大的解決方案，能夠滿足多種設(shè)備連接的需求。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款產(chǎn)品。 文件下載： NXP Semiconductors P3H2x4xHN多端
2025-12-24 10:20:02167 在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能等高頻需求，成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件，長(zhǎng)期被英諾賽科INN650D02等進(jìn)口型號(hào)主導(dǎo)，存在成本高、供貨周期不穩(wěn)定、技術(shù)支持滯后等痛點(diǎn)。
2025-12-23 14:50:05885 
?雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC.pdf 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為驅(qū)動(dòng)Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開(kāi)關(guān)而設(shè)
2025-12-21 09:30:03543 IC.pdf 1. 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，專為驅(qū)動(dòng)Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。所有產(chǎn)品都采用
2025-12-20 20:35:051020 市面上現(xiàn)有的GaN電源適配器和充電器能夠?yàn)楣P記本電腦提供功率充足的電能，還能解決USB-C快充對(duì)功率的需求，而且能效很高，能夠滿足即將到來(lái)的環(huán)保要求嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體最新的GaN芯片讓這項(xiàng)技術(shù)能夠惠及洗衣機(jī)、吹風(fēng)機(jī)、電動(dòng)工具、工廠自動(dòng)化設(shè)備內(nèi)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。
2025-12-19 16:01:04873 ，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分會(huì)場(chǎng)首個(gè)亮相，標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）技術(shù)在移動(dòng)終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。 ? 當(dāng)前移動(dòng)通信正
2025-12-18 10:08:201760 
DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8045檢測(cè)功率管漏極電壓 V D， 當(dāng) V D 達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小
2025-12-17 09:04:57
1 （HPA）單片微波集成電路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 頻段應(yīng)用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工藝并帶濕度保護(hù)，封裝為 QFN 塑封。具備高功率輸出、高效率及寬電壓工作范圍等
2025-12-12 09:40:25
GA-H81M-DS2的CPU PWM芯片ISL95812HRZ-T電路圖
2025-12-10 14:42:081 Class D功放芯片改I2S數(shù)字輸入，分兩種情況，一種是芯片原生支持I2S，另一種是僅支持模擬輸入，具體改造方法如下：
原生支持I2S的Class D功放芯片（如ACM8625、TAS5805
2025-12-06 16:39:59
P3H2x4xHN是一款多端口I3C集線器設(shè)備，一端通過(guò)I3C / I2C / SMBus總線連接主機(jī)CPU，另一端則連接多個(gè)外圍設(shè)備。
2025-12-04 10:46:47782 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281692 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG65140DAA_datasheet_V1.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-30 22:00:030 。FLA系列光纖鏈路分析儀850nm波段的高性能測(cè)量產(chǎn)品參數(shù)如下：測(cè)量長(zhǎng)度：500m空間分辨率：2mm中心波長(zhǎng)：850nm回?fù)p動(dòng)態(tài)范圍：70dB回?fù)p重復(fù)精度：±0.5d
2025-11-27 17:30:441778 
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 LED燈具的核心LED燈具最核心的是芯片，直接決定了燈具的性能。然而某些不良商家利用客戶的不專業(yè)，從成本上面考慮，使用工藝不夠穩(wěn)定的廠家的芯片，然后號(hào)稱Cree、歐司朗、日亞或晶元的芯片，使客戶用高
2025-11-12 14:35:26311 
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名規(guī)則以CG65030TAD產(chǎn)品為例，"C"為公司名CloudSemi,"G"
2025-11-11 11:46:48350 
SiMOSFET較小。若采用傳統(tǒng)MOSFET驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)GaN器件，需要增加額外的外圍R/C元件（如下圖所示），造成一定的驅(qū)動(dòng)復(fù)雜度以及可靠度問(wèn)題。另一種解決方案——
2025-11-11 11:46:33687 的標(biāo)桿。 ? 在全球 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等高能耗應(yīng)用推動(dòng)能源需求激增的背景下，功率半導(dǎo)體的能效與功率密度已成為技術(shù)升級(jí)的核心瓶頸。而垂直GaN與目前市面上主流的橫向 GaN 器件不同，該技術(shù)采用單芯片 GaN-on-GaN 設(shè)計(jì)，讓電流垂直貫穿芯片本體而非
2025-11-10 03:12:005650 STMicroelectronics VIPERGAN65高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器，設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN65設(shè)計(jì)用于中等功率準(zhǔn)諧振ZVS（開(kāi)關(guān)導(dǎo)
2025-10-29 09:11:48475 
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評(píng)估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG600經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng)高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT。該器件具有集成自舉二極管，可提供高達(dá)20V的外部開(kāi)關(guān)，并具有專為GaN HEMT定制的欠壓保護(hù)。
2025-10-24 14:11:19398 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過(guò)材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
。這款控制器在同一封裝中集成了低壓PWM控制器芯片和700V GaN HEMT。該器件集成了一整套特性，有助于以較短的物料清單設(shè)計(jì)出高效、低待機(jī)功耗的開(kāi)關(guān)模式電源，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的快速設(shè)計(jì)。這些設(shè)計(jì)包括具有動(dòng)態(tài)消隱時(shí)間的ZVS準(zhǔn)諧振操作、前饋補(bǔ)償、谷值同步調(diào)整、低靜態(tài)電流和先進(jìn)的輕負(fù)載管理。
2025-10-16 15:36:38480 
5PS1G63JFP-Y5CR、K4B4G1646B-HCK0、NT5CB256M8GN-CG、H5TQ4G63AFR-H9C、H5TQ4G63MFR-PBC、H5TQ2G83FFR-PBC、SD5D28B-8G、SD7DP24C
2025-10-09 14:15:34
9月16日，移遠(yuǎn)通信正式宣布，已完成多款主力LTE模組的重大技術(shù)升級(jí)——通過(guò)集成衛(wèi)星直連蜂窩（Direct-to-Cell, D2C）技術(shù)，為各類物聯(lián)網(wǎng)終端賦予“地面+衛(wèi)星”連接能力，打破傳統(tǒng)物聯(lián)網(wǎng)
2025-09-18 17:37:25739 
率能SS6548D-DFN5*5，廣泛用于智能窗簾 智能晾衣架 智能升降桌項(xiàng)目上，H橋驅(qū)動(dòng)芯片
2025-09-05 17:08:130 繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
升降壓H5228外圍電路簡(jiǎn)潔低輝負(fù)載調(diào)整率PWM調(diào)光芯片
2025-08-23 10:10:550 600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過(guò)對(duì)比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143566 
1)+20W(C2)的情況。關(guān)于USBP D協(xié)議部分,H USB380B外圍只有一顆貼片電容，集成了VBUS MOS和采樣電阻以及環(huán)路RC，能實(shí)現(xiàn)零外圍設(shè)計(jì)，PCB Layout更簡(jiǎn)單。
2.雙
2025-08-13 13:22:57
增強(qiáng)型GaN HEMT具有開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn)，正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（通常在1V到2V之間）、耐受電壓低（通常-5V到7V）等特點(diǎn)，使得驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)需格外注意，防止開(kāi)關(guān)過(guò)程中因誤導(dǎo)通或振蕩而導(dǎo)致器件失效。
2025-08-08 15:33:512705 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節(jié)選
2025-08-07 06:53:441553 
這不，今天又從實(shí)驗(yàn)室“順”了一款最新的A+C快充芯片HUSB382D，聽(tīng)說(shuō)它能做到極簡(jiǎn)的零外圍設(shè)計(jì)，更能支持20V PDO。
2025-08-06 18:15:431380 
我有 CY7C65223D-32LTXI 芯片，將 2 個(gè) UART 連接到該芯片，但設(shè)備沒(méi)有響應(yīng)，RX1_LED 和 RX0_LED 一直亮著。我一直嘗試在 Windows 和 Linux 上進(jìn)行配置，但無(wú)法連接到設(shè)備。
2025-08-04 07:56:07
的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實(shí)現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)具有垂直2DEG的常開(kāi)器件(D-mode HEMT)和全球首個(gè)垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過(guò)去除生長(zhǎng)用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
DK8065 是一款高度集成了 700V GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開(kāi)關(guān)芯片。DK8065 檢測(cè)功率管漏極電壓 V D， 當(dāng) V D 達(dá)到其最低值時(shí)開(kāi)啟功率管，從而減小
2025-07-05 15:50:005 E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能Yinlianbao開(kāi)關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化，一旦溫度超過(guò)預(yù)設(shè)的安全閾值，便會(huì)觸發(fā)保護(hù)機(jī)制，如降低電流或切斷電源，以防
2025-06-19 16:31:37692 
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
R&S D波段寬帶信號(hào)產(chǎn)生與分析方案，是市面上最為緊湊及易用的解決方案，信號(hào)源可直接對(duì)上變頻器進(jìn)行參數(shù)設(shè)定，頻譜與信號(hào)分析儀或示波器也可直接對(duì)下變頻器進(jìn)行參數(shù)設(shè)定，無(wú)需復(fù)雜的上位機(jī)。
2025-06-16 14:46:461524 
一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱，他們已經(jīng)打開(kāi)了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
功耗極低，有助于延長(zhǎng)電池壽命，特別適合用于便攜式設(shè)備或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，8563芯片還具備鬧鐘與定時(shí)器功能，通過(guò)I2C通信接口與外部設(shè)備進(jìn)行通信，具有高速率的特點(diǎn)，使得數(shù)據(jù)交換更加高效。因此，它在智能家居系統(tǒng)中可用于控制設(shè)備
2025-06-11 15:11:47988 
鉛”（Lead-Free），AM206541TM-SN-R-TF采用先進(jìn)的GaN HEMT技術(shù)，具備寬頻帶響應(yīng)（覆蓋S至C波段）、高功率增益（典型值>60dB）和卓越的線性度
2025-06-06 09:06:46
目錄
1，整機(jī)線路架構(gòu)
2，初次極安規(guī)Y電容接法
3，PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項(xiàng)
4，LLC環(huán)路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
5，GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)走線參考
6，變壓器輸出整流注意事項(xiàng)
一，整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15669 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件，通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052284 NPT2022 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的寬帶 GaN（氮化鎵）HEMT（高電子遷移率晶體管），專為高頻、高功率射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是其主要特性、參數(shù)和應(yīng)用信息：### 主要特性- **工作頻率
2025-05-22 15:40:33
1. 如何從 Microsoft Visual C++ 應(yīng)用程序 (CyAPI.h) 訪問(wèn) CYUSB3014 芯片組的 i2c 接口？ 我在定制相機(jī)中使用 CYUSB3014。 當(dāng)我開(kāi)發(fā)我的相機(jī)
2025-05-19 07:21:58
GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365m?，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過(guò)調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。
2025-04-22 17:03:121040 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
2025-04-14 14:10:231440 
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率，并支持使用 GaN 和 SiC 技術(shù)。
2025-04-14 09:44:271208 
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2025-03-25 18:31:46
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2025-03-25 18:29:59
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2025-03-24 18:42:34
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2025-03-21 18:53:13
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2025-03-20 18:55:34
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2025-03-20 18:52:11
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2025-03-20 18:47:37
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2025-03-19 18:49:22
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2025-03-19 18:48:28
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2025-03-19 18:46:55
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2025-03-19 18:46:30
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2025-03-18 18:52:22
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2025-03-18 18:41:23
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2025-03-18 18:39:47
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2025-03-18 18:36:46
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2025-03-18 18:29:59
介紹如何將GaN Systems的GaNPX? 和PDFN封裝下的E-HEMT器件焊接到PCB。
2025-03-13 17:38:071200 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開(kāi)發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立
2025-03-09 17:37:36736 
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器集成
2025-03-09 16:38:10731 
1MHz的高頻段，電源效率也可達(dá)到96.5%以上。另外，通過(guò)采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。 *附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2025-03-07 17:40:40847 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件兩電平MPPT升壓方案成為趨勢(shì) 一、方案
2025-03-03 17:01:16935 
愛(ài)普生推出的SG-8200CG是一款高性能高精度的可編輯晶振，支持1.2MHz至170MHz的寬頻率范圍，具備低相位抖動(dòng)和高穩(wěn)定性（在-40°C至+105°C寬溫范圍內(nèi)頻率公差低至±15×10
2025-03-01 15:18:24754 
高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48904 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:251002 此參考設(shè)計(jì)展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 18 磚型電源模塊
2025-02-21 10:20:05705 
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6809A是一款2通道H橋驅(qū)動(dòng)芯片。適合12V系統(tǒng)產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
2025-02-18 09:35:23937 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱
2025-02-17 15:42:22673 
~同時(shí)加快車載GaN器件的開(kāi)發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1
2025-02-13 14:29:18779 
RF3932D寬帶放大器現(xiàn)貨庫(kù)存RF-LAMBDARF3932D專門為商業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、蜂窩網(wǎng)絡(luò)和WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施及其通用型寬帶放大器應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。使用最先進(jìn)的高功率密度氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體
2025-01-22 09:03:00
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