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Marvell獲得芯原第三代ZSP核授權(quán)

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青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

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2025-12-18 16:33:39321

國(guó)科技以3000萬(wàn)元第三次增資龍擎視

近日,國(guó)科技以3000萬(wàn)元參與蘇州龍擎視集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“龍擎視”)Pre-A輪融資。這是繼天使輪、天使+輪后,國(guó)科技第三次增資龍擎視。本輪融資完成后,國(guó)科技合計(jì)持有龍擎視8.97%的股權(quán),成為龍擎視除團(tuán)隊(duì)外的外部第一大股東。
2025-12-15 11:44:18630

干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)

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士蘭微電子榮獲2025行家極光獎(jiǎng)項(xiàng)大獎(jiǎng)

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2025-12-04 08:21:12699

第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車(chē)原因的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
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光莆股份亮相2025中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇

2025年11月11-14日,第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)在廈門(mén)盛大召開(kāi)。作為覆蓋90余個(gè)國(guó)家及地區(qū)、匯聚
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三代半碳化硅(SiC)外延工藝技術(shù)的詳解;

如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
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歐冶半導(dǎo)體獲評(píng)2025中國(guó)汽車(chē)芯片優(yōu)秀供應(yīng)商

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2025-08-01 18:16:301502

智光儲(chǔ)能與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)

近日,在第五屆全國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司(簡(jiǎn)稱 “智光儲(chǔ)能”)與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地,為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:141230

主流廠商揭秘下一無(wú)線SoC:AI加速、內(nèi)存加量、新電源架構(gòu)等

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,科科技發(fā)布了其第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái),以及基于此的無(wú)線SoC新品。邊緣智能正在對(duì)無(wú)線SoC提出新的需求,科科技洞察到這一轉(zhuǎn)變,在AI加速器、內(nèi)存、能源效率、新興
2025-07-23 09:23:006096

索尼黑卡全畫(huà)幅旗艦新品RX1R III發(fā)布

近日,索尼(中國(guó))有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫(huà)幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號(hào)名:DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:211082

科技亮相第三粒開(kāi)發(fā)者大會(huì)

在剛剛于無(wú)錫圓滿落幕的第三粒開(kāi)發(fā)者大會(huì)——這場(chǎng)匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專(zhuān)家的盛會(huì)上,行科技作為國(guó)內(nèi)Signoff領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),受邀發(fā)表了主題演講《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行創(chuàng)新性策略》,為行業(yè)破解3DIC Signoff難題提供了全新路徑。
2025-07-18 10:22:17839

上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954

英偉達(dá)預(yù)計(jì)向中國(guó)客戶交付 “第三代” 閹割芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,消息人士稱,英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666

深圳雙信息科技:國(guó)產(chǎn)海光 OPS 電腦詳細(xì)簡(jiǎn)介

、數(shù)字標(biāo)牌等領(lǐng)域的理想選擇。1.強(qiáng)勁“”動(dòng)力,性能卓越?海光3350OPS電腦搭載海光HYgonC86第三代系列CPU。該系列CPU采用先進(jìn)制程工藝,擁有強(qiáng)大的多核
2025-06-19 18:47:27984

電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46551

納微車(chē)規(guī)級(jí)第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器

第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專(zhuān)用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案, 功率轉(zhuǎn)換效率超過(guò)98%,功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:2346463

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57968

尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592500

真我Neo7 Turbo搭載天璣9400e處理器

新發(fā)布的真我 Neo7 Turbo 搭載天璣 9400e 旗艦,該芯片采用高能效的臺(tái)積電第三代 4nm 制程,搭載強(qiáng)勁的全大 CPU 架構(gòu),全面釋放性能潛力,助你輕松應(yīng)對(duì)多任務(wù)挑戰(zhàn),無(wú)論日常操作
2025-06-10 15:18:491229

進(jìn)迭時(shí)空第三代高性能X200研發(fā)進(jìn)展

繼X60和X100之后,進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二高性能X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230

科科技第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC的大領(lǐng)先特性

Silicon Labs(科科技)第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì),該系列產(chǎn)品升級(jí)了大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能,因而得以全面滿足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39926

高速數(shù)據(jù)采集卡設(shè)計(jì):887-基于 RFSoC 47DR的8T8R 100Gbps 軟件無(wú)線電光纖前端卡

一、 板卡概述 ? ? ?板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理,以及大容量FPGA。對(duì)主機(jī)接口采用100Gbps接口,支持高速數(shù)據(jù)采集和傳輸。 二、主芯片資源介紹 審核編輯 黃宇
2025-05-30 10:13:47807

單模塊支持70kW單相功率,英飛凌氮化鎵產(chǎn)品模式再進(jìn)化

的設(shè)計(jì)中,最常見(jiàn)的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合,這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料(SiC、GaN)的技術(shù)突破,在新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場(chǎng)景中,集成第三代
2025-05-29 01:01:009042

科科技推出首批第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC

SiXG301和SiXG302是科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無(wú)線SoC系列產(chǎn)品,在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577

第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:051951

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能?chē)?yán)謹(jǐn)執(zhí)行批次可靠性測(cè)試,確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490

瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726

英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列

近日,英飛凌的磁傳感器門(mén)類(lèi)再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346

【電子設(shè)計(jì)周報(bào)】 第11期-250516

://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html品速遞1.天璣9400e--臺(tái)積電第三代4nm制程全大CPU架構(gòu)天璣9400e采用高能效的臺(tái)積電第三代
2025-05-20 08:07:59878

能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
2025-05-19 03:02:002928

聯(lián)發(fā)科技MediaTek發(fā)布天璣9400e移動(dòng)芯片 臺(tái)積電第三代4nm制程 全大CPU架構(gòu)

? ? ? MediaTek 發(fā)布天璣 9400e 旗艦移動(dòng)芯片。作為天璣旗艦家族的新成員,天璣 9400e 采用 MediaTek 先進(jìn)的全大架構(gòu),以澎湃性能和杰出能效,為廣泛的智能手機(jī)用戶帶來(lái)
2025-05-14 18:25:012756

恩智浦推出第三代成像雷達(dá)處理器S32R47系列

恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍,同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353520

基于RFSOC的8路5G ADC和8路9G的DAC PCIe卡

板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理,以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18927

麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源時(shí)代\"為主題,匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專(zhuān)家與企業(yè)代表。 作為專(zhuān)注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
2025-05-09 16:10:01

最高1080線,600米測(cè)距!大激光雷達(dá)新品齊發(fā)

1550nm遠(yuǎn)距激光雷達(dá)帶到量產(chǎn)車(chē)型上;第二獵鷹K2優(yōu)化高性能激光雷達(dá)綜合實(shí)力,內(nèi)嵌ASIC芯片,實(shí)現(xiàn)功耗大幅度降低。 獵鷹K3是圖達(dá)通第三代超遠(yuǎn)距激光雷達(dá),通過(guò)第三代激光發(fā)射及接收技術(shù)應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級(jí):標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)距離提升至350米,最遠(yuǎn)測(cè)距提升至600米,最高
2025-05-08 18:32:545186

聯(lián)集成2024年?duì)I收65.09億元:SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)跑亞洲

1.03%,標(biāo)志著公司經(jīng)營(yíng)質(zhì)量顯著提升。作為第三代半導(dǎo)體核心材料,碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展備受關(guān)注。聯(lián)集成在SiCMOSFET領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼,出貨量穩(wěn)居亞洲市
2025-04-30 11:54:291046

【直播預(yù)告】第三代CAN總線CANXL介紹,預(yù)約有禮喔#CANXL #車(chē)載以太網(wǎng)

車(chē)載以太網(wǎng)
北匯信息POLELINK發(fā)布于 2025-04-24 17:59:47

是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn):開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683

SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906

SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21

干線科技2025年第一季度發(fā)展成果

2025年第一季度,南京干線科技以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力,在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘,成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈,用硬核技術(shù)實(shí)力詮釋“中國(guó)
2025-04-19 10:54:171681

DDR3 SDRAM配置教程

DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930

金升陽(yáng)推出高性能第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源

隨著新能源電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求,金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985

中科創(chuàng)達(dá)助力RISC-V生態(tài)蓬勃發(fā)展

近日,2025年中關(guān)村論壇年會(huì)在中關(guān)村國(guó)際創(chuàng)新中心盛大啟幕。會(huì)議期間,十大科技成果重磅揭曉,來(lái)自開(kāi)源領(lǐng)域的 “” 力量 —— 第三代 “香山”RISC-V開(kāi)源高性能處理器成功入選榜單,成為當(dāng)之無(wú)愧的焦點(diǎn)。
2025-04-01 10:06:211235

高通全新一驍龍G系列產(chǎn)品組合,全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)

要點(diǎn) ??全新一驍龍G系列平臺(tái)包括第三代驍龍G3、第二驍龍G2和第二驍龍G1,帶來(lái)定制化的卓越性能和沉浸式游戲體驗(yàn)。 ??驍龍G系列平臺(tái)支持玩家隨時(shí)隨地暢玩云端、主機(jī)、Android或PC游戲
2025-03-18 09:15:202366

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號(hào)

? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯(無(wú)錫)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043890

拆了星鏈終端第三代,明白這相控陣天線的請(qǐng)留言!

一談起低軌衛(wèi)星,大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:166273

SemiQ第三代SiC MOSFET:車(chē)充與工業(yè)應(yīng)用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí),芯片面積縮小20%,開(kāi)關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484

MP2643數(shù)據(jù)手冊(cè)#第三代雙電、2A、雙向主動(dòng)均衡芯片

MP2643 是一款高度集成的雙向主動(dòng)均衡芯片,它可以通過(guò)高達(dá) 2A 的電流傳輸能力對(duì)電池包中相鄰兩節(jié)串聯(lián)電(鋰離子、鋰聚合物或磷酸鐵鋰(LFP 或LiFePO4))的電量進(jìn)行重新分配
2025-03-01 16:29:152751

【AI開(kāi)發(fā)板】正點(diǎn)原子K230D BOX開(kāi)發(fā)板來(lái)了!一款性能強(qiáng)悍且小巧便攜的AI開(kāi)發(fā)板!

搭載了嘉楠科技推出的K230D主控芯片,該芯片以RISC-V雙64位的CPU為核心,并搭載了嘉楠科技自研的第三代KPU,能提供至高達(dá)6TOPS的等效算力,其在典型網(wǎng)絡(luò)下實(shí)測(cè)推理能力可達(dá)K210
2025-02-18 16:56:56

第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái),第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:301609

聞泰科技榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日,在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可,更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020

百度智能云發(fā)布昆侖三代萬(wàn)卡集群及DeepSeek-R1/V3上線

01百度智能云點(diǎn)亮昆侖三代萬(wàn)卡集群 近日,百度智能云成功點(diǎn)亮昆侖三代萬(wàn)卡集群,這也是國(guó)內(nèi)首個(gè)正式點(diǎn)亮的自研萬(wàn)卡集群。百度智能云將進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬(wàn)卡集群。 自研芯片和萬(wàn)卡集群的建成帶來(lái)了強(qiáng)大的算力
2025-02-11 10:58:081006

中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341

百度成功點(diǎn)亮國(guó)內(nèi)首個(gè)昆侖三代萬(wàn)卡集群

近日,百度智能云宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首個(gè)自研的昆侖三代萬(wàn)卡集群。這一里程碑式的成就標(biāo)志著百度在AI芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
2025-02-06 17:52:221460

Qualcomm高通QCC3091藍(lán)牙音頻SoC,藍(lán)牙5.4

Qualcomm高通QCC3091藍(lán)牙音頻SoC,即第三代高通S3音頻平臺(tái),采用四處理器架構(gòu),包括雙32位處理器應(yīng)用子系統(tǒng)(最高80MHz),雙240MHz可配置DSP音頻子系統(tǒng)(從ROM運(yùn)行
2025-02-05 15:07:27

百度智能云點(diǎn)亮昆侖三代萬(wàn)卡集群

近日,百度智能云宣布成功點(diǎn)亮昆侖三代萬(wàn)卡集群,這一成就不僅在國(guó)內(nèi)尚屬首次,也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解,百度智能云計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模,進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬(wàn)卡集群,以滿足日益增長(zhǎng)
2025-02-05 14:58:141032

國(guó)產(chǎn)首款!成功驗(yàn)證

來(lái)源:新華網(wǎng) 我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉,我國(guó)在太空
2025-02-05 10:56:13517

第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用

本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車(chē)的核心部件中,車(chē)用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150

高頻高密度趨勢(shì)下磁材料評(píng)價(jià)指標(biāo)探討

第三代半導(dǎo)體技術(shù)的突破,且今年以來(lái)氮化鎵和碳化硅成本不斷降低,這對(duì)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料在光儲(chǔ)充、新能源汽車(chē)、5G通信、AI服務(wù)器等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展具有重大意義。 產(chǎn)業(yè)劇變顛覆了上游磁材料的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)方式。在高頻
2025-01-08 17:25:111256

多品牌上車(chē)應(yīng)用,SiC想象空間有多大?

全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車(chē)等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下,國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù),發(fā)展前景究竟如何? 隨著全球科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51801

EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:010

EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110

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