電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過(guò)去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來(lái)了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車(chē)市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆,也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-05 05:53:00
27843 
關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進(jìn)封裝;摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車(chē)與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17
132 
為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)(UCIe)IP 解決方案,在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44
161 
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
2025-12-25 09:12:32
近期,瞻芯電子憑借在SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的綜合實(shí)力,接連斬獲四項(xiàng)行業(yè)重磅獎(jiǎng)項(xiàng):在“2025行家極光獎(jiǎng)”評(píng)選中一舉拿下【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】【第三代半導(dǎo)體年度成長(zhǎng)企業(yè)】【中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)】三
2025-12-18 16:33:39
321 
近日,國(guó)芯科技以3000萬(wàn)元參與蘇州龍擎視芯集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“龍擎視芯”)Pre-A輪融資。這是繼天使輪、天使+輪后,國(guó)芯科技第三次增資龍擎視芯。本輪融資完成后,國(guó)芯科技合計(jì)持有龍擎視芯8.97%的股權(quán),成為龍擎視芯除團(tuán)隊(duì)外的外部第一大股東。
2025-12-15 11:44:18
630 2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01
899 
2025年行至尾聲,智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?;旌显O(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案,以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局,一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng),成為國(guó)產(chǎn)數(shù)模混合IC與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒!
2025-12-11 15:20:51
377 近日,在深圳舉辦的“2025行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上,士蘭微電子憑借在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與深厚積累,一舉斬獲三大獎(jiǎng)項(xiàng):“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”、“中國(guó)SiC模塊十強(qiáng)企業(yè)”以及“第三代半導(dǎo)體年度創(chuàng)新產(chǎn)品”。
2025-12-10 17:43:35
614 
芯朋微授權(quán)代理商三相全橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片--PN7336
2025-12-04 17:18:45
AMEYA360代理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動(dòng)功率電子革命,但真正的場(chǎng)景落地,離不開(kāi)
2025-12-04 15:34:17
217 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12
699 
如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
2025-12-03 08:33:44
349 
從晝夜不息的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器到需要適配各種極端環(huán)境的工業(yè)電源,人們對(duì)高效以及高可靠性的電源解決方案的需求也在不斷增加。隨著第三代半導(dǎo)體器件氮化鎵和碳化硅的大范圍應(yīng)用,圖騰柱無(wú)橋PFC(TPPFC)應(yīng)用獲得極大的拓展。
2025-12-02 15:30:30
3446 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中,對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試,是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開(kāi)發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐,加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05
129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm,是硅的10倍;熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:47
1489 
2025年11月11-14日,第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)在廈門(mén)盛大召開(kāi)。作為覆蓋90余個(gè)國(guó)家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:47
2410 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37
872 
近日,在2025世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)大會(huì)(WICV)“中國(guó)芯”汽車(chē)芯片供需對(duì)接會(huì)上,歐冶半導(dǎo)體憑借在智能汽車(chē)第三代E/E架構(gòu)芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn),獲評(píng)為“2025中國(guó)汽車(chē)芯片優(yōu)秀供應(yīng)商”。
2025-11-03 10:22:28
455 NIST在2012年評(píng)選出了最終的算法并確定了新的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Keccak算法由于其較強(qiáng)的安全性和優(yōu)秀的軟硬件實(shí)現(xiàn)性能,最終成為最新一代的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。2015年8月NIST發(fā)布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:00
1276 OPPO Find X9 系列搭載天璣 9500 旗艦芯,該芯片采用第三代全大核架構(gòu)設(shè)計(jì),憑借其先進(jìn)的第三代 3 納米制程,在端側(cè) AI、專(zhuān)業(yè)影像、主機(jī)級(jí)游戲體驗(yàn)以及網(wǎng)絡(luò)通信等方面提供強(qiáng)大的算力支持
2025-10-23 11:35:23
1114 在新能源汽車(chē)、5G通信和人工智能的推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性,對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度,又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11
243 
10月14日,一加攜手京東方正式發(fā)布第三代東方屏。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕,第三代東方屏以8項(xiàng)技術(shù)突破刷新9項(xiàng)世界紀(jì)錄,在流暢度、顯示素質(zhì)、暗光顯示、護(hù)眼能力四大維度帶來(lái)引領(lǐng)行業(yè)
2025-10-15 09:15:02
691 
以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43
402 屏獲得行業(yè)首個(gè)萊茵智能護(hù)眼5.0「金標(biāo)」認(rèn)證,將以出色的屏顯體驗(yàn),定義下一代旗艦屏幕的新標(biāo)準(zhǔn)。第三代東方屏將于10月14日正式發(fā)布,并由「性能Ultra」一加15
2025-10-11 15:56:32
740 
㎡,匯聚600多家國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè),聚焦半導(dǎo)體晶圓制造裝備、零部件、材料、先進(jìn)封裝、IC設(shè)計(jì)、第三代半導(dǎo)體等重點(diǎn)領(lǐng)域,預(yù)計(jì)吸引超6萬(wàn)專(zhuān)業(yè)觀眾,是深圳及大灣區(qū)
2025-10-10 17:00:41
1017 
近日,DEKRA德凱上海嘉定、昆山及蘇州實(shí)驗(yàn)室正式獲得奇瑞商用車(chē)的授權(quán)認(rèn)可,成為其合作的第三方實(shí)驗(yàn)室。
2025-10-10 10:36:40
578 搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
2025-10-09 15:57:30
42380 基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22
499 
近日,先臨三維作為三維掃描行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè),憑借深厚的技術(shù)積累與持續(xù)的創(chuàng)新精神,成功推出了具有劃時(shí)代意義的FreeScan Omni無(wú)線一體式手持三維掃描測(cè)量?jī)x,引領(lǐng)了第三代無(wú)線掃描技術(shù)的新高度
2025-09-26 11:26:46
407 
,這回兩邊都要點(diǎn)頭。 為什么它能這么猛?秘密在于這顆芯片用上了業(yè)界最先進(jìn)的臺(tái)積電第三代 3nm 工藝 和 全新“第三代全大核”架構(gòu),包含1個(gè)C1-Ultra 超大核(最高 4.21GHz)、3個(gè)
2025-09-23 14:12:09
566 
傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:35
1740 
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺(tái),專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
RISC-V CPU,集成自主研發(fā)的第三代 KPU,內(nèi)置 128MB LPDDR4 內(nèi)存,提供了高性能的本地推理運(yùn)算支持。Canmv K230D Zero 的設(shè)計(jì)旨在支持各種 DIY 項(xiàng)目、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和嵌入式
2025-08-25 22:49:21
蘿麗三代12通遙控器原理圖
2025-08-25 15:45:17
0 8月21日,第三代全新蔚來(lái)ES8閃亮登場(chǎng),歷經(jīng)7年積累進(jìn)化,以“王者歸來(lái)”之勢(shì),引領(lǐng)豪華大三排SUV進(jìn)入純電時(shí)代。
2025-08-22 16:45:37
1287 Andes晶心科技,作為高效能、低功耗32/64位RISC-V處理器核的領(lǐng)導(dǎo)供貨商及RISC-V國(guó)際組織的創(chuàng)始首席會(huì)員,今日宣布推出具有4個(gè)成員的AndesCore 46系列處理器家族。首款成員AX46MPV是一款全新64位多核超純量向量處理器IP,是屢獲殊榮的Andes晶心向量核的第三代產(chǎn)品。
2025-08-13 14:02:36
2351 Silicon Labs(芯科科技)今日宣布其第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)首款產(chǎn)品SiXG301 SoC中3系列(Series 3)的Secure Vault安全子系統(tǒng)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證,成為全球首家
2025-08-13 10:22:26
1144 AEM作為第三代電解水制氫技術(shù)的核心組件,正成為全球綠氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2025-08-08 14:36:10
792 ,標(biāo)志著江蘇集芯在第三代半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域再下一城,也為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控寫(xiě)下關(guān)鍵一筆。 碳化硅晶體是第三代半導(dǎo)體的重要基礎(chǔ)材料,在6/8 英寸物理氣相傳輸法(PVT)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的基礎(chǔ)上,江蘇集芯 “自我革命”,僅用半
2025-08-05 17:17:19
617 研究院(以下簡(jiǎn)稱開(kāi)芯院)在大會(huì)報(bào)告中宣布第三代“香山”(昆明湖)IP核已實(shí)現(xiàn)了首批量產(chǎn)客戶的產(chǎn)品級(jí)交付。7月26-28日,世界人工智能大會(huì)期間,集成了第二代“香山”
2025-08-01 18:16:30
1502 
近日,在第五屆全國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司(簡(jiǎn)稱 “智光儲(chǔ)能”)與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地,為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:14
1230 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,芯科科技發(fā)布了其第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái),以及基于此的無(wú)線SoC新品。邊緣智能正在對(duì)無(wú)線SoC提出新的需求,芯科科技洞察到這一轉(zhuǎn)變,在AI加速器、內(nèi)存、能源效率、新興
2025-07-23 09:23:00
6096 近日,索尼(中國(guó))有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫(huà)幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號(hào)名:DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:21
1082 在剛剛于無(wú)錫圓滿落幕的第三屆芯粒開(kāi)發(fā)者大會(huì)——這場(chǎng)匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專(zhuān)家的盛會(huì)上,行芯科技作為國(guó)內(nèi)Signoff領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),受邀發(fā)表了主題演講《面向3DIC的Signoff挑戰(zhàn)與行芯創(chuàng)新性策略》,為行業(yè)破解3DIC Signoff難題提供了全新路徑。
2025-07-18 10:22:17
839 BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14
954 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,消息人士稱,英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:00
3666 、數(shù)字標(biāo)牌等領(lǐng)域的理想選擇。1.強(qiáng)勁“芯”動(dòng)力,性能卓越?海光3350OPS電腦搭載海光HYgonC86第三代系列CPU。該系列CPU采用先進(jìn)制程工藝,擁有強(qiáng)大的多核
2025-06-19 18:47:27
984 
第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46
551 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專(zhuān)用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案, 功率轉(zhuǎn)換效率超過(guò)98%,功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:23
46463 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57
968 
尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53
497 
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:59
2500 
新發(fā)布的真我 Neo7 Turbo 搭載天璣 9400e 旗艦芯,該芯片采用高能效的臺(tái)積電第三代 4nm 制程,搭載強(qiáng)勁的全大核 CPU 架構(gòu),全面釋放性能潛力,助你輕松應(yīng)對(duì)多任務(wù)挑戰(zhàn),無(wú)論日常操作
2025-06-10 15:18:49
1229 繼X60和X100之后,進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:07
1230 
Silicon Labs(芯科科技)第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì),該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能,因而得以全面滿足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39
926 一、 板卡概述 ? ? ?板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4核CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核,以及大容量FPGA。對(duì)主機(jī)接口采用100Gbps接口,支持高速數(shù)據(jù)采集和傳輸。 二、主芯片資源介紹 審核編輯 黃宇
2025-05-30 10:13:47
807 
的設(shè)計(jì)中,最常見(jiàn)的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合,這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料(SiC、GaN)的技術(shù)突破,在新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場(chǎng)景中,集成第三代
2025-05-29 01:01:00
9042 
SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無(wú)線SoC系列產(chǎn)品,在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43
577 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:05
1951 瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能?chē)?yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試,確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30
490 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過(guò)降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
726 
近日,英飛凌的磁傳感器門(mén)類(lèi)再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:42
1346 
://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html芯品速遞1.天璣9400e--臺(tái)積電第三代4nm制程全大核CPU架構(gòu)天璣9400e采用高能效的臺(tái)積電第三代
2025-05-20 08:07:59
878 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
2025-05-19 03:02:00
2928 ? ? ? MediaTek 發(fā)布天璣 9400e 旗艦移動(dòng)芯片。作為天璣旗艦家族的新成員,天璣 9400e 采用 MediaTek 先進(jìn)的全大核架構(gòu),以澎湃性能和杰出能效,為廣泛的智能手機(jī)用戶帶來(lái)
2025-05-14 18:25:01
2756 
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍,同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:43
53520 板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4核CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核,以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18
927 
制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題,匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專(zhuān)家與企業(yè)代表。
作為專(zhuān)注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
2025-05-09 16:10:01
1550nm遠(yuǎn)距激光雷達(dá)帶到量產(chǎn)車(chē)型上;第二代獵鷹K2優(yōu)化高性能激光雷達(dá)綜合實(shí)力,內(nèi)嵌ASIC芯片,實(shí)現(xiàn)功耗大幅度降低。 獵鷹K3是圖達(dá)通第三代超遠(yuǎn)距激光雷達(dá),通過(guò)第三代激光發(fā)射及接收技術(shù)應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級(jí):標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)距離提升至350米,最遠(yuǎn)測(cè)距提升至600米,最高
2025-05-08 18:32:54
5186 1.03%,標(biāo)志著公司經(jīng)營(yíng)質(zhì)量顯著提升。作為第三代半導(dǎo)體核心材料,碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展備受關(guān)注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼,出貨量穩(wěn)居亞洲市
2025-04-30 11:54:29
1046 
第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn):開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42
683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
2025年第一季度,南京芯干線科技以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力,在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘,成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈,用硬核技術(shù)實(shí)力詮釋“中國(guó)芯
2025-04-19 10:54:17
1681 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
3930 
隨著新能源電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求,金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26
985 
近日,2025年中關(guān)村論壇年會(huì)在中關(guān)村國(guó)際創(chuàng)新中心盛大啟幕。會(huì)議期間,十大科技成果重磅揭曉,來(lái)自開(kāi)源領(lǐng)域的 “芯” 力量 —— 第三代 “香山”RISC-V開(kāi)源高性能處理器核成功入選榜單,成為當(dāng)之無(wú)愧的焦點(diǎn)。
2025-04-01 10:06:21
1235 要點(diǎn) ??全新一代驍龍G系列平臺(tái)包括第三代驍龍G3、第二代驍龍G2和第二代驍龍G1,帶來(lái)定制化的卓越性能和沉浸式游戲體驗(yàn)。 ??驍龍G系列平臺(tái)支持玩家隨時(shí)隨地暢玩云端、主機(jī)、Android或PC游戲
2025-03-18 09:15:20
2366 
? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯(無(wú)錫)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:04
3890 一談起低軌衛(wèi)星,大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:16
6273 
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí),芯片面積縮小20%,開(kāi)關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:43
1484 
MP2643 是一款高度集成的雙向主動(dòng)均衡芯片,它可以通過(guò)高達(dá) 2A 的電流傳輸能力對(duì)電池包中相鄰兩節(jié)串聯(lián)電芯(鋰離子、鋰聚合物或磷酸鐵鋰(LFP 或LiFePO4))的電量進(jìn)行重新分配
2025-03-01 16:29:15
2751 
搭載了嘉楠科技推出的K230D主控芯片,該芯片以RISC-V雙核64位的CPU為核心,并搭載了嘉楠科技自研的第三代KPU,能提供至高達(dá)6TOPS的等效算力,其在典型網(wǎng)絡(luò)下實(shí)測(cè)推理能力可達(dá)K210
2025-02-18 16:56:56
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái),第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
1609 
近日,在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可,更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:30
1020 01百度智能云點(diǎn)亮昆侖芯三代萬(wàn)卡集群 近日,百度智能云成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬(wàn)卡集群,這也是國(guó)內(nèi)首個(gè)正式點(diǎn)亮的自研萬(wàn)卡集群。百度智能云將進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬(wàn)卡集群。 自研芯片和萬(wàn)卡集群的建成帶來(lái)了強(qiáng)大的算力
2025-02-11 10:58:08
1006 近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:06
1341 近日,百度智能云宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首個(gè)自研的昆侖芯三代萬(wàn)卡集群。這一里程碑式的成就標(biāo)志著百度在AI芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
2025-02-06 17:52:22
1460 Qualcomm高通QCC3091藍(lán)牙音頻SoC,即第三代高通S3音頻平臺(tái),采用四核處理器架構(gòu),包括雙核32位處理器應(yīng)用子系統(tǒng)(最高80MHz),雙核240MHz可配置DSP音頻子系統(tǒng)(從ROM運(yùn)行
2025-02-05 15:07:27
近日,百度智能云宣布成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬(wàn)卡集群,這一成就不僅在國(guó)內(nèi)尚屬首次,也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解,百度智能云計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模,進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬(wàn)卡集群,以滿足日益增長(zhǎng)
2025-02-05 14:58:14
1032 來(lái)源:新華網(wǎng) 我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉,我國(guó)在太空
2025-02-05 10:56:13
517 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車(chē)的核心部件中,車(chē)用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
1150 
第三代半導(dǎo)體技術(shù)的突破,且今年以來(lái)氮化鎵和碳化硅成本不斷降低,這對(duì)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料在光儲(chǔ)充、新能源汽車(chē)、5G通信、AI服務(wù)器等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展具有重大意義。 產(chǎn)業(yè)劇變顛覆了上游磁芯材料的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)方式。在高頻
2025-01-08 17:25:11
1256 
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車(chē)等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下,國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù),發(fā)展前景究竟如何? 隨著全球科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51
801 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:11
0
評(píng)論