2025 年12月16日，國(guó)產(chǎn) FPGA 自主創(chuàng)新引領(lǐng)者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領(lǐng)域十余年的實(shí)力企業(yè)，智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21
795 12 月 4 日，作為工業(yè)自動(dòng)化、信息化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)之一，羅克韋爾自動(dòng)化 2026 財(cái)年分銷商大會(huì)在蘇州圓滿召開(kāi)。羅克韋爾自動(dòng)化全球高級(jí)副總裁 Scott Genereux、亞太區(qū)
2025-12-13 09:09:22508 可以利用艾德克斯IT7300或IT7600交流電源進(jìn)行試驗(yàn)?zāi)M得知可控硅的安全操作參數(shù)。
2025-12-01 17:20:11428 
近日，作為工業(yè)自動(dòng)化、信息化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)之一，羅克韋爾自動(dòng)化與深圳達(dá)實(shí)智能股份有限公司在第八屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上舉行簽約儀式，正式宣告達(dá)成戰(zhàn)略合作。羅克韋爾自動(dòng)化（中國(guó)）有限公司總裁石安、深圳達(dá)實(shí)智能股份有限公司總裁蘇俊鋒等雙方代表出席本次簽約儀式。
2025-11-24 17:43:02560 12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20326 11月4日，薩爾瓦多共和國(guó)總統(tǒng)特使雷蒙德·比利亞爾塔（Raymond Villalta）一行訪問(wèn)軟通動(dòng)力總部。軟通動(dòng)力國(guó)際業(yè)務(wù)事業(yè)群總裁黃立、副總裁李川陪同代表團(tuán)參觀了公司數(shù)字創(chuàng)新體驗(yàn)中心，并就深化薩爾瓦多及拉美地區(qū)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型合作進(jìn)行了深入交流。
2025-11-10 09:57:45628 智多晶EDA工具HqFpga（簡(jiǎn)稱HQ），是自主研發(fā)的一款系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)套件，集成了Hqui主界面、工程界面、以及內(nèi)嵌的HqInsight調(diào)試工具、IP Creator IP生成工具、布局圖、熱力
2025-11-08 10:15:313423 
口）協(xié)議，正是保障這一傳輸過(guò)程高效、穩(wěn)定的關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。今天，我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案，看看這項(xiàng)技術(shù)如何為無(wú)線通信賦能。
2025-10-22 09:13:23742 
微測(cè)輻射熱計(jì)（Microbolometer）是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器，通過(guò)探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料（如氧化釩、多晶硅）的電阻隨溫度變化的特性，將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791 
10月，美國(guó)《時(shí)代周刊》（Time）正式公布2025年 “Best Inventions of the Year”（年度最佳發(fā)明榜單），華寶新能自主研發(fā)的全球首款XBC晶硅多曲光伏瓦——美學(xué)曲面光伏瓦成功入選。
2025-10-16 14:47:19606 全球領(lǐng)先的測(cè)試與測(cè)量技術(shù)集團(tuán)羅德與施瓦茨宣布，現(xiàn)任羅德與施瓦茨大中華區(qū)總裁羅杉(Charles Lo)博士，自2025年10月1日起升任為大中華及東盟地區(qū)總裁，并將全面領(lǐng)導(dǎo)和管理羅德與施瓦茨在該區(qū)域市場(chǎng)的整體業(yè)務(wù)。
2025-10-11 14:12:43620 再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí)，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會(huì)形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57987 
第二十六屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（CIOE）在深圳圓滿落幕，匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會(huì)，與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645 大家好呀！今天我們來(lái)聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制，MIPI都是非常常見(jiàn)的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它，你的視頻項(xiàng)目開(kāi)發(fā)效率將大大提升！
2025-09-11 09:37:25897 近日，在深圳（福田）會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國(guó)際電子展，吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂，共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來(lái)技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中，智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力，成為展會(huì)焦點(diǎn)，吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973 可增加30%以上。其核心矛盾在于：廚房電器需在復(fù)雜電磁環(huán)境中保持穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)避免自身高頻開(kāi)關(guān)電路干擾其他設(shè)備。本文南柯電子小編將介紹30千瓦的廚房電器EMC如何整改，大家一起來(lái)看看吧。
2025-08-29 17:50:38543 能力和7A的漏極電流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V，適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力，適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較高的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V），為要求高電
2025-08-27 11:49:57
和11A的漏極電流能力，專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）技術(shù)制造，具有穩(wěn)定的性能和較高的開(kāi)關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
工程師朋友們注意啦！今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR（LVDS Local Clock Receiving）技術(shù)，使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘，通過(guò)相位跟蹤，對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤，實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658 
為了滿足用戶對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí)，本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來(lái)了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115 
在圖像與視頻處理領(lǐng)域，靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案，基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件，通過(guò)
2025-08-07 13:57:535648 
體系中，導(dǎo)熱硅脂扮演著不可替代的角色：- 微觀橋梁作用：即使肉眼觀察光滑平整的芯片表面，在微觀尺度上仍存在大量凹凸不平的間隙（可達(dá)數(shù)十微米）。這些空隙中的空氣是熱的不良導(dǎo)體，而導(dǎo)熱硅脂通過(guò)完全填充界面空隙
2025-08-04 09:12:14
一 概述 在三相電路的功率測(cè)量中，主要測(cè)量方法有 二瓦計(jì)法 和 三瓦計(jì)法 兩種方法。對(duì)于不同的接線方式場(chǎng)合，應(yīng)選擇恰當(dāng)?shù)墓β蕼y(cè)量方式，才能得到準(zhǔn)確的功率參數(shù)。但是由于部分使用者對(duì)于這兩種方法適用
2025-07-23 16:22:582742 
在利用泰克MDO32示波器開(kāi)展電流相關(guān)信號(hào)測(cè)量工作時(shí)，正確設(shè)置電流探頭是獲取精準(zhǔn)測(cè)量結(jié)果的關(guān)鍵。合理的設(shè)置不僅能確保測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，還能有效延長(zhǎng)示波器及探頭的使用壽命。以下將詳細(xì)介紹泰克MDO32
2025-07-16 14:34:09609 
設(shè)計(jì)的硅基液冷技術(shù) ? 北京， 2025年07月16日—瓦克將首次參加第三屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博覽會(huì)（第三屆鏈博會(huì)），展示其在汽車和電子領(lǐng)域的眾多產(chǎn)品，并發(fā)布4款重磅新品——包括用于新能源汽車母排保護(hù)的耐火材料，用于汽車芯片封裝及
2025-07-16 11:13:12784 
TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能，成為n型硅電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案：PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝，正面：PECVD沉積
2025-07-14 09:03:211133 
在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly-Si） 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性，成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964 
雙面TOPCon電池（DS-TOPCon）雖具有高開(kāi)路電壓（>728mV），但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導(dǎo)致嚴(yán)重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:121977 近日，“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題，智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533 在當(dāng)今數(shù)字化世界中，視頻數(shù)據(jù)的高速傳輸對(duì)于眾多電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP（基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)）為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03849 
TOPCon技術(shù)通過(guò)超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過(guò)厚層（>100nm）增加寄生吸收損失，過(guò)薄層（
2025-06-27 09:02:152880 鍵設(shè)備的技術(shù)價(jià)值與產(chǎn)業(yè)意義。一、晶圓濕法清洗：為何不可或缺？晶圓在制造過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷多次光刻、刻蝕、沉積等工藝，表面不可避免地殘留光刻膠、金屬污染物、氧化物或顆粒。這些污染
2025-06-25 10:26:37
光伏行業(yè)作為清潔能源的核心領(lǐng)域，對(duì)設(shè)備測(cè)量精度、系統(tǒng)安全性和運(yùn)維效率要求極高。福祿克（Fluke）的萬(wàn)用表、鉗形表和紅外測(cè)溫儀憑借其高精度、高可靠性和場(chǎng)景適應(yīng)性，成為光伏系統(tǒng)設(shè)計(jì)、安裝、運(yùn)維全鏈條中不可或缺的工具。以下結(jié)合行業(yè)痛點(diǎn)與福祿克產(chǎn)品特性，分析其典型應(yīng)用場(chǎng)景與解決方案。
2025-06-23 09:44:351038 隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能，在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而，多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性，導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08940 轉(zhuǎn)載自《鐘林談芯》 漫漫長(zhǎng)夜，輾轉(zhuǎn)反側(cè)。漆黑的夜空像一張無(wú)盡的黑紙，時(shí)間在其中緩慢流動(dòng)，腦海中一直漂浮著一句話，Wi-Fi FEM價(jià)格戰(zhàn)，真的不可避免嗎？ 樹(shù)欲靜而風(fēng)不止，友商緊緊相逼。經(jīng)過(guò)幾年
2025-06-19 16:44:03554 在FPGA設(shè)計(jì)中，PLL（鎖相環(huán)）模塊作為核心時(shí)鐘管理單元，通過(guò)靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能，為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問(wèn)題，還能有效消除時(shí)鐘偏移，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，幫助工程師規(guī)避常見(jiàn)設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354 
隨著硅光子技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、5G通信和光傳感等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)測(cè)試設(shè)備的性能要求日益嚴(yán)苛。硅光芯片測(cè)試需要高帶寬、高精度和多功能分析能力，以確保光模塊的性能與可靠性。那么，泰克MSO44B示波器能否
2025-06-12 16:53:181004 
在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中，智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型，并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專屬 AI 助手——晶小助！這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手，為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391283 西安智多晶微電子有限公司自主研發(fā)的 Seal 5000、Sealion 2000 系列 FPGA/CPLD 芯片經(jīng)過(guò)工業(yè)和信息化部電子第五研究所評(píng)估認(rèn)證，通過(guò)了自主可控等級(jí)評(píng)定。此次認(rèn)證的器件包括
2025-06-06 09:30:201347 國(guó)際業(yè)務(wù)全球副總裁，全面管理和領(lǐng)導(dǎo)福祿克歐洲、中東及非洲（EMEA）和亞太（APAC）兩大戰(zhàn)略區(qū)域的商業(yè)運(yùn)營(yíng)；與此同時(shí)，自2025年7月7日起，胡祖忻女士將正式出任福迪威亞太區(qū)總裁，進(jìn)一步統(tǒng)籌集團(tuán)在亞太地區(qū)的整體戰(zhàn)略和業(yè)務(wù)發(fā)展，持續(xù)加速區(qū)域高質(zhì)量增長(zhǎng)。 福迪威于
2025-06-04 13:58:381117 
源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免
2025-05-28 17:30:042349 
的微孔霧化電路驅(qū)動(dòng)方案是MCU+MOS管+三角電感/升壓器的LC振蕩電路，在同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)霧化片工作時(shí)，由于受到自身多個(gè)離散器件的影響，其不可避免地會(huì)導(dǎo)致性能參數(shù)波動(dòng)有差異。
集成芯片LX8201-0B
2025-05-27 16:10:41
圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽(yáng)能，預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601 
廠商官網(wǎng)更新日志，下載并安裝最新固件（如泰克示波器通過(guò)TekScope軟件在線升級(jí)）。
注意事項(xiàng)：升級(jí)前備份所有配置文件和波形數(shù)據(jù)，避免因升級(jí)失敗導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
禁用非必要功能
示例：關(guān)閉示波器的自動(dòng)
2025-05-23 14:47:04
“進(jìn)入5月，手機(jī)面板
價(jià)格延續(xù)分化
趨勢(shì)，a-Si面板因智能終端市場(chǎng)回暖呈現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升態(tài)勢(shì)；LTPS產(chǎn)線由于車載顯示需求的持續(xù)增長(zhǎng)維持高稼動(dòng)率運(yùn)轉(zhuǎn)；受到美國(guó)關(guān)稅政策影響，國(guó)內(nèi)部分柔性AMOLED產(chǎn)線稼動(dòng)率從此前的滿產(chǎn)狀態(tài)出現(xiàn)小幅回落?！?/div>
2025-05-15 17:19:07904 
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2025-05-15 16:45:53
直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過(guò)程，沒(méi)有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會(huì)導(dǎo)電，沒(méi)有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值，因此通過(guò)人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253 
eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)，常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信，是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213 
殷瓦合金（鎳鐵合金）因其極低的熱膨脹系數(shù)（適用溫度-250℃~200℃）和易生銹特性，焊接前需嚴(yán)格清潔表面氧化層、油污及雜質(zhì)。采用化學(xué)清洗或機(jī)械打磨確保焊接面潔凈，避免因微量污染導(dǎo)致焊接缺陷。下面
2025-04-30 15:05:59673 
FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本，相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568 
近日，上海車展同期，華為智能充電網(wǎng)絡(luò)正式發(fā)布華為兆瓦超充等重磅新品，從乘用車的“一秒一公里*”到電動(dòng)重卡的“充電五分鐘，行駛百公里*”。華為數(shù)字能源副總裁、華為數(shù)字能源數(shù)據(jù)中心能源及關(guān)鍵供電產(chǎn)品線
2025-04-25 16:54:121128 研發(fā)的 SiC 芯片，能量密度是傳統(tǒng)硅基器件的 3 倍，同時(shí)配合智能功率分配算法，可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出功率，可以避免對(duì)電網(wǎng)造成沖擊。峰值功率可達(dá)1.5兆瓦，每分鐘可補(bǔ)能20度電，雙槍持續(xù)充電電流達(dá)2400A，重卡15分鐘即可充電到 90%（大約是300度電池容
2025-04-23 16:26:531373 此前，4月15日-4月17日，2025慕尼黑上海電子展（electronica China 2025）在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕，智多晶應(yīng)約而來(lái)，攜經(jīng)典FPGA解決方案驚艷亮相，成為展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)備受矚目的焦點(diǎn)。
2025-04-22 18:11:201066 在電子設(shè)備的世界里，晶振如同精準(zhǔn)的時(shí)鐘，為電路系統(tǒng)提供穩(wěn)定的頻率信號(hào)。然而，隨著時(shí)間推移，晶振會(huì)不可避免地出現(xiàn)老化現(xiàn)象。這個(gè)看似細(xì)微的變化，卻可能引發(fā)設(shè)備性能下降、數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤等一系列問(wèn)題。晶振老化
2025-04-22 11:19:10461 在我的這個(gè)電路圖里，可控硅一直處于開(kāi)啟狀態(tài)，沒(méi)有給單片機(jī)信號(hào)，試著換一下可控硅的方向，也沒(méi)有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問(wèn)題了。
2025-04-21 15:46:54
在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域，西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角，為工程師們提供了強(qiáng)大的工具，助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天，就讓我們一同揭開(kāi)LPC_Controller IP的神秘面紗，探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667 
新四化大趨勢(shì)下，汽車上云之路已不可逆
2025-04-18 09:59:30507 本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311 
。2. 加速熱量傳導(dǎo)：導(dǎo)熱填料的加入（如氧化鋁、銀粉）大幅提升硅脂的導(dǎo)熱系數(shù)（常見(jiàn)為3~15 W/m·K）。3. 防止局部過(guò)熱：均勻分布熱量，避免芯片因接觸不良導(dǎo)致溫度驟升。
三、導(dǎo)熱硅脂的常見(jiàn)問(wèn)題
2025-04-14 14:58:20
在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃興起的當(dāng)下，嵌入式設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)通信能力如同為其插上了騰飛的翅膀，使其能夠自由穿梭于信息的浩瀚海洋。而 LWIP，宛如一位身姿矯健的輕騎兵，在資源有限的嵌入式系統(tǒng)中飛馳，輕松完成各種復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)通信任務(wù)。西安智多晶微電子有限公司的LWIP網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng)，賦予嵌入式設(shè)備強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò)通信能力。
2025-04-10 16:27:021802 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607 
XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開(kāi)發(fā)的一個(gè)靈活的，輕量級(jí)的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes（單通道或多通道）高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡(jiǎn)單，低成本，輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
趨勢(shì)。 一、工業(yè)自動(dòng)化與智能化趨勢(shì)下的應(yīng)用 在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和分析是確保生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。泰克示波器憑借其高精度、高速度和多功能性，成為工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域不可或缺的工具。隨著智能制造和
2025-03-27 15:51:38494 
今年，隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024年本）》的推行，光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來(lái)了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)：多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840 在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域，F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各類信號(hào)處理場(chǎng)景。今天，就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010 
在租用服務(wù)器時(shí)，準(zhǔn)確預(yù)估所需的帶寬大小是確保網(wǎng)站或應(yīng)用穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。帶寬作為數(shù)據(jù)傳輸速率的指標(biāo)，直接關(guān)系到用戶訪問(wèn)體驗(yàn)和服務(wù)質(zhì)量。租用服務(wù)器帶寬預(yù)估大小怎么算需要考慮多方面因素，包括網(wǎng)站類型、用戶
2025-03-17 16:45:49680 鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái)，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126 在下自己做電子菸用18650電池四個(gè)串聯(lián) 電子菸火力強(qiáng)大
但用變壓器 交流電轉(zhuǎn)成直流電 150瓦 火力卻很弱
明明 變壓器的瓦數(shù) 比電池串聯(lián)高很多但火力卻若很多
這問(wèn)題 困擾我很久
在此發(fā)問(wèn) 想請(qǐng)大家?guī)蛶兔
2025-03-10 17:18:24
隨著全球能源需求的增長(zhǎng)，開(kāi)發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開(kāi)發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池，并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291195 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
法蘭克福機(jī)場(chǎng)引領(lǐng)安檢技術(shù)創(chuàng)新，成為全球首個(gè)常規(guī)部署穿行式掃描儀對(duì)旅客進(jìn)行安檢的機(jī)場(chǎng)。羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱“R&S”)的QPS Walk2000穿行式人體安檢儀在1號(hào)航站樓A區(qū)經(jīng)過(guò)近一年
2025-02-28 17:19:551024 在電力電子領(lǐng)域，隨著新能源技術(shù)的飛速發(fā)展，功率分析成為了電氣工程師不可或缺的一項(xiàng)技能。尤其是在開(kāi)發(fā)、測(cè)試和優(yōu)化電源管理系統(tǒng)、逆變器和其他電力電子設(shè)備時(shí)，如何精確地測(cè)量功率和分析信號(hào)波形，直接影響產(chǎn)品
2025-02-20 16:57:241175 
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002814 據(jù)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報(bào)告顯示，2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)2.7%的同比下降，總量達(dá)到122.66億平方英寸（MSI）。與此同時(shí)，硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢(shì)，同比下降6.5%，預(yù)計(jì)總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27890 副總裁Pierluca Chiodelli向我們揭示了2025年決定邊緣人工智能發(fā)展的五大關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)。 從“指令執(zhí)行”到“自主行動(dòng)” 首先，是向代理AI過(guò)渡。去年年底，戴爾科技全球首席技術(shù)官(CTO)John Roese便提出，“代理”將成為2025年度關(guān)鍵詞?！按鞟I”代表了無(wú)需人工
2025-02-12 10:01:451315 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，埃隆·馬斯克(Elon Musk)正計(jì)劃以高達(dá)974億美元的價(jià)格收購(gòu)人工智能巨頭OpenAI。此次收購(gòu)由馬斯克領(lǐng)銜的投資者財(cái)團(tuán)發(fā)起，旨在將這家前沿科技公司納入其商業(yè)版
2025-02-12 09:46:03761 %。進(jìn)入第三季度，價(jià)格下滑趨勢(shì)將進(jìn)一步加劇，預(yù)計(jì)再降5%。這意味著，在整個(gè)前三季度，PC、服務(wù)器及移動(dòng)DRAM內(nèi)存價(jià)格將累計(jì)下滑15%。 值得注意的是，此前價(jià)格相對(duì)堅(jiān)挺的服務(wù)器級(jí)DRAM也將難以幸免于這波降價(jià)潮。據(jù)報(bào)告，64GB服務(wù)器DDR5的價(jià)格已從2024年四季度的270美元降
2025-02-11 10:41:561750 本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia于2月7日發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，DRAM市場(chǎng)價(jià)格正面臨持續(xù)的下滑趨勢(shì)，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)至少將持續(xù)到今年第三季度。導(dǎo)致這一狀況的主要原因是IT產(chǎn)品需求疲軟以及中國(guó)公司供應(yīng)量的增加。
2025-02-10 17:30:40964 本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開(kāi)始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299 
，如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)？ 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù)，在真空環(huán)境中通過(guò)微波激發(fā)氣體（氫氣、甲烷、氮?dú)猓?，讓碳原子?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破： 甲烷濃度：降低甲烷比例（從
2025-02-07 10:47:441892 解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑
晶硅切割液中，潤(rùn)濕劑對(duì)切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯，品質(zhì)有保障，供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型？歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
般回暖，反而持續(xù)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的持續(xù)下滑，盡管市場(chǎng)上存在部分買家對(duì)DDR5產(chǎn)品有特殊需求，并一度引發(fā)了其價(jià)格的臨時(shí)上漲，但整體來(lái)看，DRAM市場(chǎng)的低迷氛圍并未因此得到根本性的改善。 集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，目前DDR4主流芯片(例如
2025-02-06 14:47:47930 Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層，有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻，同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中，Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200 最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479 
上時(shí)，光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)，從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅，根據(jù)硅材料的不同，可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268 
過(guò)去一年中，智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難，共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中，我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年，智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng)，
2025-01-21 17:15:431152 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面，各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場(chǎng)供求關(guān)系，進(jìn)而穩(wěn)定產(chǎn)品價(jià)格
2025-01-20 14:43:551095 自動(dòng)化與信息技術(shù)兩大領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)深度交融與協(xié)同發(fā)展。戴爾科技集團(tuán)全球資深副總裁吳冬梅與羅克韋爾自動(dòng)化（中國(guó)）有限公司總裁石安等雙方代表出席了本次簽約儀式。
2025-01-10 15:08:54930 )—>斷電ADS1220,使用01差分，64倍增益，1000SPS速度采集，內(nèi)部時(shí)鐘和基準(zhǔn)，發(fā)送采集指令后，采集到的前面一段數(shù)據(jù)，會(huì)呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，后面才會(huì)穩(wěn)定。這個(gè)現(xiàn)象能夠通過(guò)一些方法避免么，希望能夠得到解答。
2025-01-09 06:32:35
硅電容是一種采用了硅作為材料，通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容，和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187 
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