近日，2025惠州市認(rèn)證行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)隆重舉行，惠州市認(rèn)證行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布首批"惠州知名品牌"企業(yè)名單。廣東九聯(lián)科技股份有限公司憑借卓越的品牌影響力、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力和突出的行業(yè)
2026-01-04 17:58:47
942 企業(yè)每浪費(fèi)的一分算力，都在通脹壓力下被加倍放大。 2025年，全球企業(yè)正面臨一場(chǎng)前所未有的硬件通脹風(fēng)暴。DRAM合同價(jià)同比上漲171.8%，NAND Flash價(jià)格累計(jì)漲幅高達(dá)246%，服務(wù)器整機(jī)
2025-12-31 13:06:1896 近日，九識(shí)智能與導(dǎo)遠(yuǎn)科技正式達(dá)成戰(zhàn)略合作，導(dǎo)遠(yuǎn)科技將通過(guò)多款軟硬件產(chǎn)品賦能九識(shí)智能低速無(wú)人車。
2025-12-25 17:10:561944 2025 年12月16日，國(guó)產(chǎn) FPGA 自主創(chuàng)新引領(lǐng)者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領(lǐng)域十余年的實(shí)力企業(yè)，智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21795 與業(yè)務(wù)全景。 從早期的硬件產(chǎn)品到如今軟硬結(jié)合的生態(tài)布局，華曦達(dá)的成長(zhǎng)歷程映射出中國(guó)科技企業(yè)全球化與智能化轉(zhuǎn)型樣本。 據(jù)悉，華曦達(dá)成立于2003年，最初以加密芯片和數(shù)字電視模塊等硬件研發(fā)銷售為核心。2012年成為公司發(fā)展的關(guān)鍵轉(zhuǎn)
2025-12-16 09:22:57249 國(guó)產(chǎn) FPGA 崛起正當(dāng)時(shí)；當(dāng)國(guó)外壟斷占據(jù)93%市場(chǎng)份額，當(dāng)國(guó)產(chǎn)替代成為產(chǎn)業(yè)必答題，一場(chǎng)打破 “卡脖” 困境的技術(shù)盛會(huì)即將重磅來(lái)襲！ 2025 年 12 月 16 日，國(guó)產(chǎn) FPGA 領(lǐng)軍企業(yè)智多晶
2025-12-15 14:44:2137270 ,九科信息作為專注于企業(yè)級(jí)Agent系統(tǒng)研發(fā)的公司,精準(zhǔn)把握行業(yè)趨勢(shì),打造出bit-Agent產(chǎn)品,從底層技術(shù)引擎到上層應(yīng)用落地,全方位滿足企業(yè)多元化的智能化需求。
2025-12-13 14:04:32563 
電子發(fā)燒友報(bào)道（文/黃晶晶）在2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo2025)上，上海九同方技術(shù)有限公司總經(jīng)理李紅在接受行業(yè)媒體采訪時(shí)，暢談國(guó)產(chǎn)EDA
2025-12-02 09:10:2010396 
近期，全球芯片供應(yīng)短缺持續(xù)沖擊汽車制造業(yè)。本田汽車受此影響尤為明顯，預(yù)計(jì)本財(cái)年下半年（2023年10月至2024年3月）全球銷量將同比下滑14%，至166萬(wàn)輛。本田在日本車企中的銷量排名可能從第二位跌至第四位，這也是本田自2005財(cái)年以來(lái)首次跌出銷量前三。
2025-11-30 16:00:45575 11月21-22日，以“AI共智，開源共享”為主題的2025開放原子開發(fā)者大會(huì)在北京盛大舉辦。作為開源鴻蒙生態(tài)的核心共建力量，九聯(lián)科技旗下子公司九聯(lián)開鴻受邀出席大會(huì)，與來(lái)自產(chǎn)學(xué)研用各領(lǐng)域的技術(shù)專家、企業(yè)代表、高校學(xué)者與開發(fā)者齊聚一堂，共同探討開源鴻蒙技術(shù)在AI時(shí)代的最新進(jìn)展、生態(tài)建設(shè)與行業(yè)實(shí)踐。
2025-11-27 15:04:47272 11月14日至16日，第27屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)（高交會(huì)）在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）盛大舉辦，作為科技創(chuàng)新領(lǐng)域的年度盛會(huì)，這里匯聚了全球前沿技術(shù)與優(yōu)質(zhì)企業(yè)?；葜菔锌茖W(xué)技術(shù)局組團(tuán)參展，九聯(lián)科技受邀出席，以多重核心身份彰顯惠州科技企業(yè)標(biāo)桿實(shí)力。
2025-11-20 11:52:30381 為沙子提取的高純度二氧化硅，經(jīng)化學(xué)氣相沉積（CVD）等工藝提純至“11個(gè)9”（99.999999999%）。 挑戰(zhàn)：雜質(zhì)控制要求極高，微小顆粒即可導(dǎo)致芯片失效。 單晶硅錠生長(zhǎng) 直拉法（CZ法）：將多晶硅熔化后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)提拉單晶籽晶形成圓柱形硅錠（直徑
2025-11-17 11:50:20327 當(dāng)法律服務(wù)還在為合同審核效率低、風(fēng)險(xiǎn)識(shí)別滯后、數(shù)據(jù)整合困難而困擾，九聯(lián)科技已率先邁出跨界創(chuàng)新步伐——近日，九聯(lián)科技正式與律大大網(wǎng)絡(luò)（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“律大大網(wǎng)絡(luò)”）達(dá)成戰(zhàn)略合作，以硬核技術(shù)實(shí)力切入“AI+法律服務(wù)”賽道，開啟企業(yè)服務(wù)數(shù)智化新征程。
2025-11-14 14:17:26286 近日，貴州省工信廳和江蘇省工信廳發(fā)布“關(guān)于第九批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)和復(fù)核通過(guò)第三批、第六批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單的公示”，航天電器和所屬蘇州華旃憑借在高端電子元器件領(lǐng)域的深耕與突破成功入選“第九批
2025-11-11 16:03:08765 近日，深圳市工業(yè)和信息化局公示第九批國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單，我司深圳市卡兒酷科技股份有限公司（原名：深圳市華思旭科技有限公司）憑借核心硬核產(chǎn)品“鋰電池汽車應(yīng)急啟動(dòng)電源”，成功躋身國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)行列。
2025-11-07 14:55:10540 近日，工業(yè)和信息化部第九批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單公示期滿，廣州金升陽(yáng)科技有限公司(下稱 “金升陽(yáng)”)憑借DC/DC 微小功率模塊電源產(chǎn)品，成功入選。據(jù)悉，本批次廣州市僅 4 家企業(yè)入選，金升陽(yáng)更是黃埔區(qū)(廣州開發(fā)區(qū))唯一上榜企業(yè)。稀缺榮譽(yù)背后，是企業(yè)在細(xì)分領(lǐng)域的絕對(duì)領(lǐng)先地位。
2025-11-06 17:41:201275 
近日，河南省工業(yè)和信息化廳公示了我省第九批國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單，森源電氣憑借核心產(chǎn)品“40.5kV箱式變電站”成功入選。
2025-11-06 15:51:41292 近日，廣東省工業(yè)和信息化廳發(fā)布第九批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)公示名單，億緯鋰能鋰錳原電池（組）成功獲評(píng)國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍。這是繼鋰亞硫酰氯電池、電池電容器（SPC）之后，億緯鋰能第三次斬獲單項(xiàng)冠軍殊榮，彰顯了企業(yè)在鋰電池細(xì)分領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)跑實(shí)力。
2025-11-06 09:28:43592 近日，國(guó)家工信部公示第九批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單，揚(yáng)杰科技憑借“智能安防監(jiān)控設(shè)備用整流二極管”產(chǎn)品，成功再度躋身國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)行列。
2025-11-02 09:09:05720 10月29日，2025年廣東省制造業(yè)500強(qiáng)企業(yè)峰會(huì)暨中國(guó)機(jī)床創(chuàng)新與應(yīng)用論壇在東莞隆重舉行，會(huì)上正式發(fā)布了廣東省制造業(yè)500強(qiáng)榜單。九聯(lián)科技憑借卓越的綜合實(shí)力、穩(wěn)健的經(jīng)營(yíng)韌性與持續(xù)的創(chuàng)新動(dòng)能，成功入選榜單并榮列第169位，成為廣東省制造業(yè)高端化轉(zhuǎn)型浪潮中的亮眼代表。
2025-10-31 17:38:241149 我們的隊(duì)伍編號(hào)是CICC2962，這是我們第五次分享，接下來(lái)我將分享一下如何將SD卡驅(qū)動(dòng)模塊掛載至外設(shè)總線上，并且發(fā)送一條讀指令。
這是外設(shè)總線上被保留的接口信號(hào)，我們將所寫的代碼與之相連接
2025-10-30 06:12:38
UPS價(jià)格區(qū)間：約1,500元-15,000元特點(diǎn)：具備智能穩(wěn)壓功能，保護(hù)更全面。是中小企業(yè)服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、NAS等關(guān)鍵業(yè)務(wù)的性價(jià)比之選。功率覆蓋1kVA至10
2025-10-29 08:54:07502 
微測(cè)輻射熱計(jì)（Microbolometer）是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器，通過(guò)探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料（如氧化釩、多晶硅）的電阻隨溫度變化的特性，將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791 
昕銳至成在2014年創(chuàng)立于北京，始終專注于光電測(cè)量與激光模擬訓(xùn)練領(lǐng)域，以持續(xù)的科研投入構(gòu)筑核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司在光學(xué)測(cè)量技術(shù)、單光子測(cè)量、芯片級(jí)嵌入式產(chǎn)品開發(fā)、芯片級(jí)自組網(wǎng)通信、數(shù)字電路、模擬電路、光學(xué)
2025-09-25 10:07:57
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí)，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會(huì)形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57987 
近日，廣東九聯(lián)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“九聯(lián)科技”）與黃河勘測(cè)規(guī)劃設(shè)計(jì)研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱“黃河設(shè)計(jì)院”）達(dá)成了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。雙方將依托各自核心優(yōu)勢(shì)，共同推動(dòng)水利行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型與升級(jí)，為智慧水利高質(zhì)量發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-09-17 11:48:38729 大家好呀！今天我們來(lái)聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制，MIPI都是非常常見的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它，你的視頻項(xiàng)目開發(fā)效率將大大提升！
2025-09-11 09:37:25897 近年來(lái)，尤其是2025年，光伏行業(yè)正面臨產(chǎn)能過(guò)剩、價(jià)格戰(zhàn)、同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)等“內(nèi)卷”挑戰(zhàn)。晶硅價(jià)格屢創(chuàng)新低，組件價(jià)格跌至每瓦0.7元，企業(yè)利潤(rùn)空間壓縮。近日，六部門聯(lián)合發(fā)文，聚焦光伏“反內(nèi)卷”，重點(diǎn)打擊
2025-09-02 17:16:134647 
近日，在深圳（福田）會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國(guó)際電子展，吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂，共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來(lái)技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中，智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力，成為展會(huì)焦點(diǎn)，吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973 能力和7A的漏極電流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V，適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力，適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
和11A的漏極電流能力，專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）技術(shù)制造，具有穩(wěn)定的性能和較高的開關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
系統(tǒng)自帶的應(yīng)用市場(chǎng)中無(wú)法下載企業(yè)微信，卓易通中的無(wú)法用微信登錄，使用不了
2025-08-26 15:43:56
工程師朋友們注意啦！今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR（LVDS Local Clock Receiving）技術(shù)，使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘，通過(guò)相位跟蹤，對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤，實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658 
為了滿足用戶對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí)，本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來(lái)了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115 
在圖像與視頻處理領(lǐng)域，靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案，基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件，通過(guò)
2025-08-07 13:57:535648 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二極管 SPDT 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.9 至 4.0 GHz、125 W 高功率硅 PIN 二極管
2025-08-05 18:34:39
，將空氣熱阻轉(zhuǎn)化為高效導(dǎo)熱通道- 性能倍增器：實(shí)驗(yàn)表明，優(yōu)質(zhì)導(dǎo)熱硅脂可使界面熱阻降低60%以上，同等散熱條件下功率器件溫度可顯著下降15-20℃，大幅延長(zhǎng)電子元件壽命 二、G500導(dǎo)熱硅脂：專為高密度
2025-08-04 09:12:14
華大九天希望通過(guò)“芯聚九天”系列活動(dòng)，打造一個(gè)行業(yè)精英與企業(yè)應(yīng)用通暢交流的專業(yè)平臺(tái)，營(yíng)造以“開放、合作、創(chuàng)新”為主體的產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，促進(jìn)技術(shù)交流、行業(yè)合作及成長(zhǎng)共享，讓每一位參與者都能在這里找到價(jià)值、啟發(fā)和機(jī)遇。
2025-07-22 09:57:36901 第九屆瑞芯微開發(fā)者大會(huì)將于7月17–18日在福州海峽國(guó)際會(huì)展中心隆重舉行！向成電子作為瑞芯微長(zhǎng)期合作伙伴，受邀參加本次大會(huì)，我們將攜多款RK系列核心板、工控主板以及多種解決方案亮相于展會(huì)。1.國(guó)產(chǎn)化
2025-07-16 16:23:371007 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅無(wú)光束肖特基二極管 - 成對(duì)和四成對(duì)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有硅無(wú)光束肖特基二極管 - 成對(duì)和四成對(duì)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，硅無(wú)光束肖特基二極管
2025-07-14 18:33:30
TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能，成為n型硅電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案：PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝，正面：PECVD沉積
2025-07-14 09:03:211133 
近日，以湖北省工業(yè)軟件工作委員會(huì)輪值活動(dòng)為契機(jī)，eWorks 數(shù)字化企業(yè)網(wǎng) CEO 黃培博士率隊(duì)走訪湖北九同方微電子有限公司，與九同方團(tuán)隊(duì)展開深度技術(shù)和業(yè)務(wù)交流。
2025-07-09 14:49:10830 在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly-Si） 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性，成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964 
在2025年，倉(cāng)儲(chǔ)領(lǐng)域正經(jīng)歷著一場(chǎng)前所未有的革命。隨著科技的飛速發(fā)展，RFID（射頻識(shí)別）技術(shù)已成為倉(cāng)儲(chǔ)管理變革的核心驅(qū)動(dòng)力，那些尚未采用RFID數(shù)據(jù)采集器的企業(yè)，正面臨著被市場(chǎng)淘汰的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)
2025-07-07 15:43:55605 
為何化工企業(yè)偏愛GUTOR UPS？
2025-07-03 14:33:08
近日，“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題，智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533 TOPCon技術(shù)通過(guò)超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過(guò)厚層（>100nm）增加寄生吸收損失，過(guò)薄層（
2025-06-27 09:02:152880
空載輸出 11.84 V帶載1A電壓就跌11V了 VCC電壓14V帶載 空載也在14V 求大神 解決方法
2025-06-24 11:29:14
隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能，在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而，多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性，導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08942 在FPGA設(shè)計(jì)中，PLL（鎖相環(huán)）模塊作為核心時(shí)鐘管理單元，通過(guò)靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能，為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問(wèn)題，還能有效消除時(shí)鐘偏移，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354 
在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中，智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型，并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專屬 AI 助手——晶小助！這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手，為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391283 革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03932 
源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免了
2025-05-28 17:30:042349 
圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽(yáng)能，預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的百年發(fā)展歷程中，“第一代半導(dǎo)體是否被淘汰”的爭(zhēng)議從未停歇。從早期的鍺晶體管到如今的硅基芯片，以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料，始終以不可替代的產(chǎn)業(yè)基石角色，支撐著全球95%以上的電子設(shè)備
2025-05-14 17:38:40884 
我的客戶使用 CYUSB3014 作為同步從設(shè)備 FIFO。
當(dāng)同步從 FIFO 中傳輸特定數(shù)量的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，F(xiàn)LAG 保持低電平。
對(duì)此，什么情況會(huì)導(dǎo)致FLAG跌至低電平而無(wú)法恢復(fù)正常呢？ 另外，應(yīng)該去哪里檢查呢？
2025-05-12 06:09:24
直拉硅單晶生長(zhǎng)的過(guò)程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過(guò)程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會(huì)導(dǎo)電，沒有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值，因此通過(guò)人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253 
eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)，常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信，是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213 
源互補(bǔ)，能量永續(xù) 1.太陽(yáng)能板（光伏組件） 核心作用：將光能轉(zhuǎn)化為電能，是主要供能單元。 主流配置：材質(zhì)：多晶硅 / 單晶硅（轉(zhuǎn)換效率 18%-22%，單晶硅更高），表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃（透光率＞91.5%），抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:281740 FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本，相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568 
近日，以“鍛造硬科技‘鎮(zhèn)園之寶’”為主題的“2025成都硬科技年會(huì)”在蓉城盛大啟幕。芯盛智能科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯盛智能”)憑借在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的硬核實(shí)力與創(chuàng)新突破，榮登“2025成都硬科技企業(yè)撲克牌”榜單，并受邀出席頒獎(jiǎng)典禮。這一榮譽(yù)標(biāo)志著芯盛智能作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中堅(jiān)力量的地位再獲權(quán)威認(rèn)可。
2025-04-21 11:29:04939 在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域，西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角，為工程師們提供了強(qiáng)大的工具，助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天，就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗，探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667 
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來(lái)源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311 
與解答Q1：導(dǎo)熱硅脂需要多久更換一次？A1： 常規(guī)使用：建議每1~2年更換一次，長(zhǎng)期高溫可能導(dǎo)致硅脂干裂或油脂揮發(fā)，導(dǎo)熱性能下降。 極端環(huán)境：若電腦長(zhǎng)期高負(fù)載運(yùn)行（如挖礦、渲染），需縮短至6~12個(gè)月
2025-04-14 14:58:20
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
。近日，廣東省工業(yè)和信息化廳公布了2025年廣東省“專精特新”中小企業(yè)名單，廣州向成電子科技有限公司從萬(wàn)千企業(yè)中脫穎而出，成功通過(guò)了嚴(yán)格的申報(bào)和評(píng)審，榮獲“專精特
2025-04-01 17:21:43940 今年，隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024年本）》的推行，光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來(lái)了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)：多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840 在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域，F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各類信號(hào)處理場(chǎng)景。今天，就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010 
倘若電子元件從未開啟更新?lián)Q代的進(jìn)程，如今您手中的智能手機(jī)或許仍在依賴電子管艱難 “運(yùn)作” 。元件的淘汰是電子領(lǐng)域中不可或缺的一部分。盡管這一過(guò)程是漸進(jìn)的，但它代表著技術(shù)的進(jìn)步。然而，元件的淘汰也會(huì)給PCB設(shè)計(jì)師帶來(lái)痛點(diǎn)，尤其是當(dāng)他們沒有使用合適的元件和淘汰管理工具時(shí)。
2025-03-18 09:44:191003 
高硅鑄鐵陽(yáng)極是一種具體的陽(yáng)極材料，主要由含高比例硅鑄鐵制成，可加工成實(shí)心棒狀、空心管狀和組轉(zhuǎn)型等多種形式，常作為外加電流陰極保護(hù)系統(tǒng)中的輔助陽(yáng)極。 深井陽(yáng)極是一種陽(yáng)極安裝方式或結(jié)構(gòu)類型，指將陽(yáng)極體
2025-03-15 11:01:42709 
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來(lái)，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過(guò)控制模具中熔體凝固過(guò)程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126 ADRF5301 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀四擲 (SPDT) 開關(guān)。
ADRF5301 專為 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 應(yīng)用而開發(fā)。該器件具有 1.4 dB 的低
2025-03-05 09:51:19822 
隨著全球能源需求的增長(zhǎng)，開發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池，并通過(guò)優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291199 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002814 2月14日,九號(hào)公司宣布將深度融合DeepSeek,開啟智能出行新篇章。作為兩輪電動(dòng)車行業(yè)內(nèi)首個(gè)率先布局DeepSeek的企業(yè),這一創(chuàng)新技術(shù)的接入將全面提升九號(hào)產(chǎn)品的智能化水平,用戶的智能交互體驗(yàn)將大幅提升,讓用戶體驗(yàn)更為便捷與高效。
2025-02-15 10:57:511692 隨著全球數(shù)字化與智能化浪潮的不斷推進(jìn)，數(shù)字轉(zhuǎn)型已成為各行各業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的必由之路。廣東九聯(lián)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“九聯(lián)科技”）憑借其深厚的AI技術(shù)積累與戰(zhàn)略布局，正引領(lǐng)企業(yè)智能化升級(jí)。近日
2025-02-12 15:46:30858 近日，財(cái)聯(lián)社第七屆投資年會(huì)圓滿閉幕。作為引領(lǐng)市場(chǎng)風(fēng)向標(biāo)的活動(dòng)，本屆年會(huì)吸引了眾多行業(yè)領(lǐng)軍人物與會(huì)，共同探索市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)與機(jī)遇。會(huì)議期間， “資本市場(chǎng)最具價(jià)值影響力企業(yè)獎(jiǎng)”一系列獎(jiǎng)項(xiàng)相繼揭曉，，九
2025-02-11 13:16:38825 本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
開啟智能服務(wù)新紀(jì)元 2025·九聯(lián)科技 ? 在當(dāng)今快速發(fā)展的數(shù)字化時(shí)代，人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)已經(jīng)深刻影響著各行各業(yè)，成為企業(yè)提升效率、創(chuàng)造價(jià)值的關(guān)鍵力量。作為一款行業(yè)領(lǐng)先的智能平臺(tái)，DeepSeek
2025-02-10 09:03:291435 本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299 
云服務(wù)大容量硬盤價(jià)格多少錢因類型、性能和存儲(chǔ)容量而異。高效云盤年費(fèi)用通常在數(shù)百元至數(shù)千元之間，SSD云盤價(jià)格略高，年費(fèi)用在數(shù)千元左右，而ESSD云盤因高性能需求，年費(fèi)用可達(dá)數(shù)千至數(shù)萬(wàn)元。UU云小編認(rèn)為云服務(wù)大容量硬盤價(jià)格具體價(jià)格受供應(yīng)商、地域和促銷活動(dòng)影響。
2025-02-08 10:07:261203 ，如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)？ 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù)，在真空環(huán)境中通過(guò)微波激發(fā)氣體（氫氣、甲烷、氮?dú)猓?，讓碳原子?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破： 甲烷濃度：降低甲烷比例（從
2025-02-07 10:47:441892 解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑
晶硅切割液中，潤(rùn)濕劑對(duì)切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯，品質(zhì)有保障，供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型？歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
Poly-SEs技術(shù)通過(guò)在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層，有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻，同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中，Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200 最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479 
上時(shí)，光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)，從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅，根據(jù)硅材料的不同，可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268 
過(guò)去一年中，智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難，共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中，我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年，智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng)，
2025-01-21 17:15:431152 非常有效。這些器件使用Skyworks成熟的硅技術(shù)，使PIN二極管具備嚴(yán)格管理的I區(qū)特性。APD0505至APD1520二極管的低電容和低電阻特別適合需要插入損耗和快速開關(guān)速度的開關(guān)應(yīng)用。針對(duì)需要高功率
2025-01-20 09:31:55
我現(xiàn)在正在開發(fā)AFE5803，想問(wèn)下AFE5803怎樣將LVDS輸出配置成2-lane模式(見附件)。
2025-01-14 08:39:24
ccs4.2如何將采集到的數(shù)據(jù)導(dǎo)出成dat文件
2025-01-14 08:08:40
模擬的關(guān)鍵部件是來(lái)自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過(guò)100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
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