產(chǎn)品
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TC1201P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:03
產(chǎn)品型號(hào)：TC1201P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1201P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1202P0912 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 18:54
產(chǎn)品型號(hào)：TC1202P0912 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1202P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC1202P0710 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 18:46
產(chǎn)品型號(hào)：TC1202P0710 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1202P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC2201 塑料封裝低噪聲PHEMT GaAs FET2023-12-04 18:19
產(chǎn)品型號(hào)：TC2201 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2201 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC1606 2W高線性高效率GaAs功率場(chǎng)效應(yīng) 晶體管2023-12-04 13:41
產(chǎn)品型號(hào)：TC1606 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1606 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC2181 低噪聲高動(dòng)態(tài)范圍 GaAs FET2023-12-04 13:30
產(chǎn)品型號(hào)：TC2181 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2181 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC1501 1W高線性高效率GaAs功率場(chǎng)效應(yīng) 晶體管2023-12-04 13:19
產(chǎn)品型號(hào)：TC1501 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC1501 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip -
TC2381 低噪聲和中等功率 GaAs FET2023-12-04 13:07
產(chǎn)品型號(hào)：TC2381 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2381 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC2281 低噪聲 高動(dòng)態(tài)范圍 GaAs FET2023-12-04 12:56
產(chǎn)品型號(hào)：TC2281 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2281 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Ceramic micro-X -
TC2282 低噪聲陶瓷封裝PHEMT GaAs FET2023-12-04 12:46
產(chǎn)品型號(hào)：TC2282 廠家：Sumitomo 型號(hào)：TC2282 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip