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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SG38K30S-DT1 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:19

    產(chǎn)品型號：SG38K30S-DT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SG38K30S-DT1 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:09

    產(chǎn)品型號：F658-H130M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-H130M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • F658-E030MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:11

    產(chǎn)品型號：F658-E030MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： F658-E030MK 名稱： GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • F658-E070MK 高壓-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:04

    產(chǎn)品型號：F658-E070MK 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：F658-E070MK 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • SGNL015Z2K-RT DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-05 12:55

    產(chǎn)品型號：SGNL015Z2K-RT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-RT 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地 ：日本 封裝：DFN

  • SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT2023-12-05 12:52

    產(chǎn)品型號：SGNL015Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • SGNL005Z2K-R 5.0GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 12:42

    產(chǎn)品型號：SGNL005Z2K-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL005Z2K-R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN

  • FHX35LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 12:29

    產(chǎn)品型號：FHX35LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • FHX13LGT 超低噪聲HEMT2023-12-05 12:21

    產(chǎn)品型號：FHX13LGT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX13LGT 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：LG

  • FHX14X 是一款超高電子遷移率 晶體管2023-12-05 10:56

    產(chǎn)品型號：FHX14X 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX14X 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip