產(chǎn)品
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FLU10XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:16
產(chǎn)品型號(hào)：FLU10XMT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：FLU10XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM -
FLU35XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:08
產(chǎn)品型號(hào)：FLU35XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU35XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM -
ELM1314-30F/001 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:35
產(chǎn)品型號(hào)：ELM1314-30F/001 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM1314-30F/001 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A -
FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:25
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1011-12F/101 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1011-12F/101 名稱： IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
F657-4450-8F C波段內(nèi)部匹配FET2023-12-05 20:14
產(chǎn)品型號(hào)：F657-4450-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：F657-4450-8F 名稱：IMFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
SMC2933L6012R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:59
產(chǎn)品型號(hào)：SMC2933L6012R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SMC2933L6012R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN -
SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤放大器2023-12-05 19:52
產(chǎn)品型號(hào)：SMC2933L1512R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SMC2933L1512R 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN -
SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:42
產(chǎn)品型號(hào)：SGCA100M1H 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGCA100M1H 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN -
SG38K30S-D 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:32
產(chǎn)品型號(hào)：SG38K30S-D 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SG38K30S-D 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN -
SG38K30S-DT 高壓塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:25
產(chǎn)品型號(hào)：SG38K30S-DT 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：SG38K30S-DT 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：DFN