立年電子科技產(chǎn)品

• TC1301P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:44

  

  產(chǎn)品型號：TC1301P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1301P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1301P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:24

  

  產(chǎn)品型號：TC1301P0912 廠家：Sumitomo 型號：TC1301P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1101P070 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:14

  

  產(chǎn)品型號：TC1101P070 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P070 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1101P0710 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:09

  

  產(chǎn)品型號：TC1101P0710 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P0710 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1101P0912 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:02

  

  產(chǎn)品型號：TC1101P0912 廠家：Sumitomo 型號：TC1101P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1102 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:54

  

  產(chǎn)品型號：TC1102 廠家：Sumitomo 型號：TC1102 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1102P0811 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:38

  

  產(chǎn)品型號：TC1102P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1102P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1102P0912 超低噪聲GaAs FET2023-12-04 19:30

  

  產(chǎn)品型號：TC1102P0912 廠家：Sumitomo 型號：TC1102P0912 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1201 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:19

  

  產(chǎn)品型號：TC1201 廠家：Sumitomo 型號：TC1201 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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• TC1201P0811 低噪聲和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:11

  

  產(chǎn)品型號：TC1201P0811 廠家：Sumitomo 型號：TC1201P0811 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：Chip

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