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標(biāo)簽 > 功率模塊

功率模塊

功率模塊

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功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊,功率模塊的作用用很多,比如:空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分,那作用就是做放大的。如果是在電源,就是做穩(wěn)壓的。

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功率模塊資訊

大面積無(wú)壓燒結(jié)銀在功率模塊系統(tǒng)性焊接的應(yīng)用

大面積無(wú)壓燒結(jié)銀在功率模塊系統(tǒng)性焊接的應(yīng)用 大面積無(wú)壓燒結(jié)銀AS9378作為無(wú)壓燒結(jié)銀技術(shù)的代表性產(chǎn)品,憑借其低溫工藝兼容性、高導(dǎo)熱性、高可靠性及大面積...

2026-03-27 標(biāo)簽:焊接功率模塊 30 0

碳化硅 (SiC) 功率模塊門(mén)極驅(qū)動(dòng)技術(shù):精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護(hù)的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

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碳化硅 (SiC) 功率模塊門(mén)極驅(qū)動(dòng)技術(shù):精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護(hù)的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)深度解析 1. 引言與碳化硅材料的底層物理約束及驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代...

2026-03-22 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅DESAT 56 0

Microchip推出全新BZPACK mSiC?功率模塊,專為惡劣環(huán)境下高要求應(yīng)用而設(shè)計(jì)

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采用Microchip先進(jìn)的 mSiC 技術(shù),具備MB與MC系列碳化硅MOSFET的優(yōu)異性能 Microchip Technology Inc.(微芯科...

2026-03-20 標(biāo)簽:microchip功率模塊 1.3萬(wàn) 0

功率模塊前沿技術(shù)解析:寬禁帶+高集成,引領(lǐng)電力電子新趨勢(shì)

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功率模塊的技術(shù)迭代,始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心,寬禁帶技術(shù)和高集成設(shè)計(jì)是當(dāng)下最核心的發(fā)展方向。對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō),提前掌握前沿技術(shù),才能...

2026-03-19 標(biāo)簽:SiC氮化鎵功率模塊 342 0

如何為您的功率模塊選擇最合適的陶瓷基板?

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在追求更高功率密度、更小體積與極致可靠性的電子封裝領(lǐng)域,陶瓷基板憑借其卓越的絕緣性、導(dǎo)熱性和機(jī)械穩(wěn)定性,已成為功率半導(dǎo)體模塊(如IGBT、SiC模塊)與...

2026-03-17 標(biāo)簽:功率模塊陶瓷基板 72 0

Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

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日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模...

2026-03-17 標(biāo)簽:MOSFETVishay功率模塊 114 0

高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中的精準(zhǔn)測(cè)量

高頻交直流電流探頭克服磁飽和問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),適用于第三代半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試,提升電流測(cè)量精度與效率。

2026-03-13 標(biāo)簽:功率模塊電流探頭第三代半導(dǎo)體 100 0

固態(tài)BDU 的小型化與熱管理:集成功率模塊封裝技術(shù)及 SiC 功率管與能量吸收裝置的共同封裝優(yōu)勢(shì)分析

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2026-03-13 標(biāo)簽:封裝SiC功率模塊 132 0

功率循環(huán)基礎(chǔ)篇(三)——從LESIT到CIPS,功率模塊壽命預(yù)測(cè)的演進(jìn)

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功率循環(huán)(Power Cycling, PC)測(cè)試結(jié)果經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期積累后,人們逐步建立了基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)的壽命模型(Empirical Lifetime Mod...

2026-03-16 標(biāo)簽:測(cè)試功率模塊模型 393 0

高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中的革命性應(yīng)用

高頻交直流探頭克服磁飽和和帶寬限制,實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng),精準(zhǔn)測(cè)量SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程,提升動(dòng)態(tài)測(cè)試與均流分析精度。

2026-03-06 標(biāo)簽:探頭功率模塊交直流 171 0

士蘭微推出新一代灌封功率模塊MiniPack系列和SPD系列

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士蘭微新一代自主研發(fā)、具備自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的灌封解決方案,依托結(jié)構(gòu)優(yōu)化、材料升級(jí)與芯片迭代深度耦合設(shè)計(jì),打造高功率密度、低雜感、高可靠車規(guī)級(jí)功率模塊,全面適...

2026-03-02 標(biāo)簽:新能源汽車功率模塊 546 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,國(guó)內(nèi)首條AI全自動(dòng)智能功率模塊封裝生產(chǎn)線在大慶高新區(qū)的黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司正式投產(chǎn),這條由50余臺(tái)設(shè)備組成的智能產(chǎn)線,不...

2026-03-01 標(biāo)簽:生產(chǎn)線AI功率模塊 6.7k 0

碳化硅(SiC)功率模塊標(biāo)稱電流的定義、物理來(lái)源與工程降額解析

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在現(xiàn)代電力電子與能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,功率半導(dǎo)體器件的物理邊界直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量以及熱設(shè)計(jì)架構(gòu)的復(fù)雜程度。

2026-03-09 標(biāo)簽:功率模塊功率半導(dǎo)體碳化硅 843 0

SiC功率模塊標(biāo)稱電流的奧秘-從原理到封裝

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SiC功率模塊的“標(biāo)稱電流”(在數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常標(biāo)記為連續(xù)漏極電流 ID,或 Inom)是評(píng)估器件功率等級(jí)的核心參數(shù)。

2026-03-09 標(biāo)簽:SiC功率模塊 816 0

Power Integrations推出新款SCALE-iFlex LT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

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Power Integrations的SCALE-iFlex LT即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)用來(lái)優(yōu)化功率模塊的并聯(lián)運(yùn)行,現(xiàn)已提供光纖接口選項(xiàng)。該新功能...

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在儲(chǔ)能變流器向更高功率密度、更高效率演進(jìn)的技術(shù)趨勢(shì)下,功率半導(dǎo)體模塊的封裝性能已成為系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化的關(guān)鍵制約因素。為此,我們正式推出專為儲(chǔ)能PCS平臺(tái)開(kāi)發(fā)的...

2026-02-24 標(biāo)簽:功率模塊儲(chǔ)能PCS 756 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的戰(zhàn)略價(jià)值

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傾佳楊茜-追夢(mèng)赤子心:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的戰(zhàn)略價(jià)值與前沿應(yīng)用解析 在全球能源結(jié)構(gòu)向分布式、清潔化、低碳化轉(zhuǎn)型的宏大歷史背景...

2026-02-24 標(biāo)簽:IGBT功率模塊碳化硅 459 0

海上直流風(fēng)電匯集系統(tǒng)深度分析與碳化硅(SiC)功率模塊的技術(shù)價(jià)值研究報(bào)告

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

2026-02-12 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 397 0

NTC熱敏電阻與電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊

NTC熱敏電阻與電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊

電動(dòng)汽車用SiC碳化硅模塊,隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)份額的不斷擴(kuò)大成為了新能源領(lǐng)域冉冉升起的新星,吸引了越來(lái)越多技術(shù)供應(yīng)商以及汽車企業(yè)的布局與重視。在SiC碳化...

2026-02-11 標(biāo)簽:熱敏電阻NTC功率模塊 1.4k 0

SiC碳化硅功率模塊與配套驅(qū)動(dòng)技術(shù)的系統(tǒng)性變革:從IGBT模塊替代到電力電子架構(gòu)重構(gòu)

SiC碳化硅功率模塊與配套驅(qū)動(dòng)技術(shù)的系統(tǒng)性變革:從IGBT模塊替代到電力電子架構(gòu)重構(gòu)

當(dāng)前,全球電力電子產(chǎn)業(yè)正處于從硅(Si)基器件向?qū)捊麕В╓BG)半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵歷史時(shí)期。隨著“雙碳”戰(zhàn)略的推進(jìn)和工業(yè)裝備電氣化程度的加深,對(duì)電能轉(zhuǎn)...

2026-02-01 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 1.9k 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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