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臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC，是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司，成立于1987年，是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)（晶圓代工）企業(yè)，總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元，晶圓代工市占率46%，為全球第一。

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臺(tái)積電資訊

今日新聞：LG將發(fā)布120英寸激光投影儀臺(tái)積電3nm工藝2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

臺(tái)積電現(xiàn)在是蘋果A12芯片、高通驍855芯片、華為麒麟980芯片的OEM制造商。在明年初，他們將主要通過增加極紫外光刻（EUV）技術(shù)，對(duì)現(xiàn)在的7納米工藝...

2018-12-21 標(biāo)簽：智能手機(jī)臺(tái)積電華為 5.1k 0

中微半導(dǎo)體的5nm等離子體蝕刻機(jī)將用于臺(tái)積電全球首條5nm工藝生產(chǎn)線

但在過去，由于大陸并不具備可量產(chǎn)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的能力，基本上都是依靠進(jìn)口，而美歐等國為防止中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，多年以來一直對(duì)該領(lǐng)域?qū)嵭屑夹g(shù)封鎖。由于半...

2018-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電 PCB設(shè)計(jì) 1.9萬 0

2018年大陸開工建設(shè)的主要特色工藝生產(chǎn)線有哪些

隨著聯(lián)電、格芯相繼宣布放棄競(jìng)逐先進(jìn)制程以及臺(tái)積電宣布新建8英寸晶圓廠，集成電路制造業(yè)發(fā)展風(fēng)向似乎開始轉(zhuǎn)變：先進(jìn)制程不再是唯一制勝點(diǎn)，8英寸廠仍大有所為。...

2019-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體中芯國際臺(tái)積電 5k 0

臺(tái)積電2020年上半年7納米+制程進(jìn)入量產(chǎn)的消息獲得證實(shí)

雖然，全球晶圓代工頭臺(tái)積電在日前的 2018 年第 4 季法說會(huì)中，拋出了 2019 年第 1 季營(yíng)收將季衰退 2 成的震撼彈，不過，針對(duì)先進(jìn)制程的演進(jìn)...

2019-01-22 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV 2.8k 0

2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高三星或?qū)⒎闯_(tái)積電

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新統(tǒng)計(jì)，2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高，有望突破600億美元大關(guān)，年成長(zhǎng)達(dá)5%（2017年成長(zhǎng)8.1%）。

2019-01-08 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓 3.5k 0

AMD5nm工藝不再一家獨(dú)享將分給臺(tái)積電和三星兩家

AMD今年將推出采用7nm工藝的第二代EPYC霄龍、第三代Ryzen銳龍?zhí)幚砥?，其中后者已?jīng)在CES 2019上公開首秀，性能追評(píng)i9-9900K，功耗...

2019-01-23 標(biāo)簽：amd 三星電子臺(tái)積電 844 0

臺(tái)積電和三星角逐7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場(chǎng)

目前來看，在資本與技術(shù)拉高進(jìn)入門檻下，GlobalFoundries(GF)退場(chǎng)、代工并非本業(yè)的英特爾則放棄代工業(yè)務(wù)，7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場(chǎng)已成為臺(tái)...

2018-12-21 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 3.7k 0

臺(tái)積電積極布建5奈米晶圓廠,明年晶圓廠支出金額將逆勢(shì)出現(xiàn)高達(dá)24％的年成長(zhǎng)率

且有鑑于近期的市場(chǎng)情勢(shì)，下滑幅度恐將較原先預(yù)期更為劇烈；報(bào)告指出，2018年下半年及2019年上半年晶圓設(shè)備銷售金額分別將下滑13及16個(gè)百分點(diǎn)，直至2...

2018-12-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓廠 2.6k 0

臺(tái)積電宣布五年計(jì)劃:打造IBM-Q云量子計(jì)算平臺(tái)

摩爾規(guī)律指引的“科技大爆炸”時(shí)代已經(jīng)過去，但未來計(jì)算可能比我們想象的更快到來。作為全球頂級(jí)的硬件生產(chǎn)商之一，臺(tái)積電（TSMC）剛剛宣布了與臺(tái)灣地區(qū)“科技...

2019-01-01 標(biāo)簽：臺(tái)積電量子 3k 0

臺(tái)積電加速推進(jìn)3nm工藝防止對(duì)手三星加快投資腳步

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm工廠通過環(huán)境評(píng)測(cè)，依據(jù)原定時(shí)程，全球第一座3nm廠可望在2020年動(dòng)工，最快2022年底量產(chǎn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。

2018-12-20 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓 3k 0

根據(jù)19日臺(tái)灣地區(qū)環(huán)保署所召開的環(huán)評(píng)大會(huì)決議，晶圓代工龍頭臺(tái)積電預(yù)計(jì)斥資新臺(tái)幣6，000億元，于南科興建3納米廠的計(jì)劃，在經(jīng)濟(jì)部能源局、水利署、以及臺(tái)電...

2018-12-20 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 3.1k 0

中國自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電將用于生產(chǎn)線

5納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的二萬分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺(tái)積電計(jì)劃明年進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。最近，中微半導(dǎo)體公司收到一個(gè)...

2019-01-01 標(biāo)簽：臺(tái)積電等離子 4.7k 0

臺(tái)積電8英寸產(chǎn)能擴(kuò)充半導(dǎo)體大廠跟風(fēng)

除了臺(tái)積電的8英寸廠廠能因?yàn)槭袌?chǎng)的需求提高，其他半導(dǎo)體大廠都紛紛提升8英寸廠的產(chǎn)能。

2018-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電晶圓 3.9k 0

我國自研5nm等離子體蝕刻機(jī)通過臺(tái)積電驗(yàn)證將被臺(tái)積電采用

作為全球頭號(hào)代工廠，臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始試產(chǎn)。

2018-12-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 2k 0

臺(tái)積電降價(jià)搶單其他晶圓代工廠商或同樣面臨降價(jià)壓力

臺(tái)積電于一年一度的供應(yīng)鏈論壇中發(fā)布眾多訊息，包含各界最關(guān)注的先進(jìn)制程狀態(tài)，7nm仍為臺(tái)積電重點(diǎn)成長(zhǎng)產(chǎn)品線，隨著越來越多國際芯片大廠導(dǎo)入，未來7nm將會(huì)持...

2018-12-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 2.2k 0

8英寸晶圓開始受到重視各企業(yè)開設(shè)新工廠

根據(jù)韓國媒體《ETnews》的報(bào)道指出，近年來在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）及車用電子需求的帶動(dòng)下，晶圓制造的產(chǎn)能需求開始由12英寸廠轉(zhuǎn)移到8英寸廠上，這也促成了晶...

2018-12-18 標(biāo)簽：中芯國際臺(tái)積電晶圓 3.4k 0

中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)獲臺(tái)積電驗(yàn)證

在臺(tái)積電宣布明年將進(jìn)行5納米制程試產(chǎn)、預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)的同時(shí)，國產(chǎn)設(shè)備亦傳來好消息。日前上觀新聞報(bào)道，中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電...

2018-12-18 標(biāo)簽：集成電路臺(tái)積電中微半導(dǎo)體 1.1萬 0

臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)急需工程師3000人左右,美光為招攬人才月薪46K起跳

美光不僅在其facebook粉絲團(tuán)上張貼征才訊息，也在人力網(wǎng)站積極招募，所需的人才包含工業(yè)工程、技術(shù)改良工程、精準(zhǔn)工程生產(chǎn)、先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移工程、制程整合工...

2018-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電存儲(chǔ)器納米 4.6k 0

英特爾的10nm是如何成為燙手山芋的？

無疑這收獲了業(yè)界潮水般的質(zhì)疑，為何其10nm一直難以出師？有分析稱，10nm工藝之難產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵是最初指標(biāo)定的太高。相比14nm工藝，10nm工藝的晶體...

2018-12-18 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電深度學(xué)習(xí) 3.3k 0

亞馬遜、特斯拉紛紛進(jìn)入，為什么技術(shù)巨頭都開始自研芯片了？

亞馬遜網(wǎng)站于11月在其AWS re：Invent大會(huì)上對(duì)外公布了已知的定制芯片項(xiàng)目列表。Google自研TPU早已人盡皆知，特斯拉也加入這個(gè)陣營(yíng)，開發(fā)第...

2018-12-14 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電特斯拉 2k 0

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HTC Vive是由HTC與Valve聯(lián)合開發(fā)的一款VR頭顯（虛擬現(xiàn)實(shí)頭戴式顯示器）產(chǎn)品，于2015年3月在MWC2015上發(fā)布。由于有Valve的SteamVR提供的技術(shù)支持，因此在Steam平臺(tái)上已經(jīng)可以體驗(yàn)利用Vive功能的虛擬現(xiàn)實(shí)游戲。2016年6月，HTC推出了面向企業(yè)用戶的Vive虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔套裝—Vive BE（即商業(yè)版），其中包括專門的客戶支持服務(wù)。
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