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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些
未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專(zhuān)欄內(nèi)容,全文155...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...
650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析
現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪,以提供更簡(jiǎn)單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng),秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出,從而縮短烹飪時(shí)間...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2.8k 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2.8k 0
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開(kāi)關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開(kāi)關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開(kāi)關(guān) 2.8k 0
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫(xiě)。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清...
高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 2.8k 0
面向汽車(chē)應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車(chē)的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車(chē)中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)二極管IGBT 2.8k 0
長(zhǎng)晶科技IGBT模塊在x-NPC拓?fù)渲械母咝?yīng)用
隨著電力電子技術(shù)在中高壓變頻、新能源發(fā)電及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)因其在效率、諧波和電壓應(yīng)力方面的優(yōu)勢(shì)而備受關(guān)注。其中,x-NPC(Ne...
2026-01-08 標(biāo)簽:電平IGBT長(zhǎng)晶科技 2.8k 0
電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器過(guò)流保護(hù)電路分析
摘要:本文通過(guò)比亞迪公司的專(zhuān)利了解電動(dòng)汽車(chē)、車(chē)載充電器及其過(guò)流保護(hù)電路,其中,車(chē)載充電器包括AC/DC變換器和DC/DC變換器,AC/DC變換器和DC/...
2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)比亞迪IGBT 2.8k 0
電路圖其實(shí)就是最經(jīng)典的Marx電路,通過(guò)并聯(lián)充電,串聯(lián)放電來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的逐級(jí)累加,理論上可以獲得無(wú)窮大的電壓。開(kāi)關(guān)這里選的全是1100V的IGBT,并且用...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 2.8k 0
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
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