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igbt

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+關(guān)注1257人關(guān)注

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

文章:3326個(gè) 瀏覽:263413 帖子:485個(gè)

igbt技術(shù)

IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別

我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...

2023-03-31 標(biāo)簽:三極管MOS管IGBT 2.9k 0

碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些

未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標(biāo)簽:MOSFET電感器IGBT 2.9k 0

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專(zhuān)欄內(nèi)容,全文155...

2025-08-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率器件 2.8k 0

關(guān)于IGBT模塊可靠性測(cè)試

關(guān)于IGBT模塊可靠性測(cè)試

作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

2023-06-04 標(biāo)簽:IGBTSAMIGBT模塊 2.8k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)

在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBT晶體管MOS 2.8k 0

650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析

650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析

現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪,以提供更簡(jiǎn)單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng),秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出,從而縮短烹飪時(shí)間...

2021-06-01 標(biāo)簽:IGBT電磁爐 2.8k 0

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高

2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2.8k 0

探秘銅基板:IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

探秘銅基板:IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...

2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2.8k 0

浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開(kāi)關(guān)解決方案

浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開(kāi)關(guān)解決方案

電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開(kāi)關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...

2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開(kāi)關(guān) 2.8k 0

采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案

采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案

本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫(xiě)。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清...

2024-10-01 標(biāo)簽:IGBT變流器風(fēng)能 2.8k 1

IGBT是什么?IGBT的工作原理

IGBT是什么?IGBT的工作原理

IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時(shí),漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。

2023-06-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2.8k 0

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征

上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 2.8k 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...

2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 2.8k 0

面向汽車(chē)應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

面向汽車(chē)應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動(dòng)汽車(chē)的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車(chē)中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...

2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)二極管IGBT 2.8k 0

長(zhǎng)晶科技IGBT模塊在x-NPC拓?fù)渲械母咝?yīng)用

長(zhǎng)晶科技IGBT模塊在x-NPC拓?fù)渲械母咝?yīng)用

隨著電力電子技術(shù)在中高壓變頻、新能源發(fā)電及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)因其在效率、諧波和電壓應(yīng)力方面的優(yōu)勢(shì)而備受關(guān)注。其中,x-NPC(Ne...

2026-01-08 標(biāo)簽:電平IGBT長(zhǎng)晶科技 2.8k 0

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱(chēng);

2024-05-10 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 2.8k 0

電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器過(guò)流保護(hù)電路分析

電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器過(guò)流保護(hù)電路分析

摘要:本文通過(guò)比亞迪公司的專(zhuān)利了解電動(dòng)汽車(chē)、車(chē)載充電器及其過(guò)流保護(hù)電路,其中,車(chē)載充電器包括AC/DC變換器和DC/DC變換器,AC/DC變換器和DC/...

2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)比亞迪IGBT 2.8k 0

一款超高壓脈沖電源設(shè)計(jì)方案介紹

電路圖其實(shí)就是最經(jīng)典的Marx電路,通過(guò)并聯(lián)充電,串聯(lián)放電來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的逐級(jí)累加,理論上可以獲得無(wú)窮大的電壓。開(kāi)關(guān)這里選的全是1100V的IGBT,并且用...

2022-08-06 標(biāo)簽:IGBT脈沖電源 2.8k 0

IGBT的工作原理 影響IGBT可靠性因素有哪些

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...

2023-04-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 2.8k 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車(chē)行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.8k 0

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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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追求巔峰 efans_b69f6b afeng20200928 jf_99582534 jf_35291062 jf_50507575 jf_81865677 jf_69253771 jf_48124471 jf_10001769 jf_42784404 jf_99190008

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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