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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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選型手冊(cè):VS6016HS-A N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、...
2025-12-24 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 404 0
在60V-200V中壓功率電子領(lǐng)域,無論是工業(yè)自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng),還是新能源場景下的儲(chǔ)能變流,都對(duì)MOSFET提出了“大電流承載、低能量損耗、小封裝適配...
2025-11-04 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 403 0
選型手冊(cè):MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝,適用...
選型手冊(cè):VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,...
選型手冊(cè):MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電...
選型手冊(cè):MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備...
選型手冊(cè):VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...
2025-12-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 397 0
選型手冊(cè):VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN3333封裝,適配雙路低...
2025-12-10 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 397 0
選型手冊(cè):VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...
2025-12-10 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 396 0
選型手冊(cè):VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配...
選型手冊(cè):MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛...
選型手冊(cè):MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載...
選型手冊(cè):MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力...
選型手冊(cè):VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等...
2025-12-23 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 386 0
選型手冊(cè):VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。...
2025-12-29 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 384 0
中科微電ZK150G002P:高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破
在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中,N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力,成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場對(duì)器件的耐壓等級(jí)、電流承載能力提...
2025-11-06 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 384 0
選型手冊(cè):VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 381 0
選型手冊(cè):VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)...
2025-12-09 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 380 0
MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN506-8L封裝形式,聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電池管理等場景,以...
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