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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅（SiC）在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計(jì)高功率密度，從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1.5k 0

并行連接的SiC MOSFET可以帶來(lái)更多電力

功率器件(如開(kāi)關(guān)、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔(dān)功率，使設(shè)備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響...

2024-06-03 標(biāo)簽：電流 MOSFET SiC 1.5k 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動(dòng)汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 1.5k 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.5k 0

橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和L...

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.5k 0

AI數(shù)據(jù)中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見(jiàn)招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù)，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，并進(jìn)而顯著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 標(biāo)簽：MOSFET 安森美數(shù)據(jù)中心 1.5k 0

使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。

2023-02-19 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體器件 1.5k 0

淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書(shū)標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件...

2025-09-02 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 封裝 1.5k 0

安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系...

2025-06-16 標(biāo)簽：安森美 JFET SiC 1.5k 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

IGBTs給高功率帶來(lái)了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 1.5k 0

SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)和測(cè)試中的最佳實(shí)踐

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點(diǎn)介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標(biāo)簽：并聯(lián)原理圖 JFET 1.5k 0

如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問(wèn)題。

2023-06-13 標(biāo)簽：電容器 MOSFET NAND閃存 1.5k 0

SiC二極管價(jià)格很卷？這家公司找到對(duì)策

最近，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，通用電氣研究所（GE Research）發(fā)布文獻(xiàn)稱，他們已經(jīng)制造出擊穿電壓為3.8kV 的SiC超結(jié)JBS器件，其導(dǎo)通電阻僅...

2023-09-18 標(biāo)簽：二極管 SiC 電荷 1.5k 0

使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案

機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過(guò)采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問(wèn)題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 斷路器 IGBT 1.5k 0

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車載充電器性能

在電動(dòng)汽車中，功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問(wèn)題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率，交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行，因?yàn)樵谳^高頻率下...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 車載充電器 1.5k 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

2024-05-16 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 功率器件 1.5k 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級(jí)

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無(wú)碳化硅無(wú)基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.5k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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