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SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一，也是全球DRAM市場的領導者之一。

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SK海力士創(chuàng)新下一代HBM，融入計算與通信功能

SK海力士正引領半導體行業(yè)進入新時代，開發(fā)了一種融合計算與通信功能的下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領先地位，同時進一...

2024-05-29 標簽：半導體 SK海力士 HBM 1.3k 0

中國AI芯片和HBM市場的未來

　然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應商，且已于今年...

2024-05-28 標簽：NVIDIA SK海力士 HBM 2k 0

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標良率

據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標簽：DRAM SK海力士 HBM3E 2.1k 0

美光在得州專利案中敗訴，或需支付32億元賠償金？

　據(jù)路透社報道，得克薩斯州東區(qū)地方法院近日對美光公司與美國存儲企業(yè)Netlist之間的專利訴訟作出判決，判定美光敗訴并需支付總計4.45億美元的賠償款。

2024-05-24 標簽：美光存儲芯片 SK海力士 1.3k 0

韓國26萬億韓元激勵計劃助力芯片業(yè)，力挺三星電子和SK海力士

該計劃包括17萬億韓元的專項投資資金與稅收優(yōu)惠，比韓國財長崔相穆兩周前提議的10萬億韓元高出近一倍。據(jù)悉，韓國將于六月敲定具體實施細則。

2024-05-24 標簽：芯片三星電子存儲芯片 931 0

韓國砸26萬億韓元推動芯片產(chǎn)業(yè)，三星和SK海力士成為最大贏家

韓國發(fā)布價值逾26萬億韓元（合約190億美元）的激勵政策，旨在扶持芯片產(chǎn)業(yè)，尤其對三星電子及SK海力士等龍頭企業(yè)意義重大，助其在競爭日趨激烈的市場環(huán)境下...

2024-05-23 標簽：三星電子芯片產(chǎn)業(yè)SK海力士 1.1k 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%

早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。

2024-05-23 標簽：存儲器 SK海力士 HBM 1.2k 0

SK海力士展示存儲新品：固態(tài)硬盤和內(nèi)存模組涵蓋消費及企業(yè)市場

近日，SK海力士在北京召開的戴爾科技全球峰會上展示了旗下多個存儲產(chǎn)品線中的新款，包括但不限于內(nèi)存及固態(tài)硬盤等類別。

2024-05-22 標簽：PCIe 固態(tài)硬盤 SK海力士 3.8k 0

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸...

2024-05-22 標簽：DRAM SK海力士三星 1.2k 0

三星和SK海力士未恢復增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量

　根據(jù)行業(yè)預估，三星和SK海力士有望在今年擴展產(chǎn)量以應對逐步好轉的半導體市場環(huán)境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。

2024-05-22 標簽：DRAM SK海力士三星 1.1k 0

2024年第一季度SK海力士研發(fā)投入超1萬億韓元

隨著半導體行業(yè)的復蘇，兩大巨頭三星電子和SK海力士紛紛加大了研發(fā)（R&D）費用與基礎設施投資。據(jù)三星電子發(fā)布的最新季度報告，公司在2024年一季...

2024-05-20 標簽：半導體三星電子 SK海力士 1.2k 0

SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEO...

2024-05-20 標簽：臺積電 SK海力士 HBM 1.3k 0

SK海力士代工子公司將為特斯拉生產(chǎn)電源管理芯片

SK海力士旗下的代工子公司SK Key Foundry近日宣布了一項重要計劃，該公司計劃在7月于其位于忠清北道清州的8英寸晶圓廠開始生產(chǎn)電源管理芯片（P...

2024-05-17 標簽：電動汽車特斯拉 SK海力士 1.1k 0

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內(nèi)存，轉向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉型。

2024-05-17 標簽：DDR3 SK海力士三星 1.8k 0

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行，與英偉達展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準，而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入，從而影響了產(chǎn)品的認證進程。

2024-05-17 標簽：SK海力士三星 HBM3 1k 0

SK海力士代工部門為特斯拉供應電源管理芯片

據(jù)了解，預計SK啟方半導體最早將于7月份啟動位于忠清北道清州的8英寸晶圓廠生產(chǎn)線，開始生產(chǎn)適配特斯拉電動車的電源管理芯片。

2024-05-16 標簽：晶圓廠電源管理芯片 SK海力士 1.3k 0

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從...

2024-05-15 標簽：存儲器 SK海力士 HBM 1.7k 0

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4...

2024-05-15 標簽：存儲器 SK海力士 HBM 1.2k 0

SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標簽：DRAM 晶圓 SK海力士 1.1k 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...

2024-05-14 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.8k 0

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