據(jù)韓國媒體報(bào)道，SK海力士計(jì)劃于2026年起量產(chǎn)第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E，這比原定計(jì)劃提早了一年時(shí)間。高級(jí)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook日前在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲(chǔ)研討會(huì)上透露了此信息。

他進(jìn)一步指出，盡管HBM家族產(chǎn)品通常以每兩年一次的速度更新?lián)Q代，但自第五代產(chǎn)品HBM3E以來，其產(chǎn)品周期已經(jīng)縮短為一年。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計(jì)劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實(shí)現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。

值得注意的是，混合鍵合技術(shù)旨在通過消除芯片間的凸塊來增加DRAM的堆疊數(shù)量。SK海力士曾表示，將使用Advanced MR-MUF（先進(jìn)大規(guī)模回流模制底部填充）技術(shù)直至HBM4。

Kim Kwi-wook表示，他們正在研究如何將混合鍵合技術(shù)與主流工藝相結(jié)合，但目前的良率并不理想。若客戶需求超過20層的產(chǎn)品，由于厚度限制，他們或需探索新的工藝路徑。

業(yè)界觀察家預(yù)測(cè)，SK海力士有望首次將10納米制程的第六代（1c）DRAM應(yīng)用于HBM4E，從而大幅提升存儲(chǔ)容量。