MAX13050/MAX13052/MAX13053/MAX13054:工業(yè)級高速CAN收發(fā)器的卓越之選 在工業(yè)網絡應用中,CAN(Control Area Network)收發(fā)器扮演著至關重要
2025-12-29 15:10:13
84 TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設計水平的關鍵。今天,我們就來深入
2025-12-29 14:45:10
77 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設計要點 在電子設備不斷追求高效、小型化的今天,功率半導體器件的性能起著至關重要的作用。今天我們就來詳細探討一下
2025-12-29 10:05:15
75 TDK B82804E EP9:IGBT/FET變壓器的卓越之選 在電子工程領域,變壓器作為關鍵的電子元件,其性能直接影響到整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天,我們就來詳細了解一下TDK推出
2025-12-25 14:45:12
160 OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師,我們在設計中常常需要挑選合適的MOSFET來滿足特定的應用需求
2025-12-19 09:35:06
504 SN74CB3Q3257DGVR4位2選1FET總線開關產品型號:SN74CB3Q3257DGVR產品品牌:TI/德州儀器產品封裝:TVSOP16產品功能:4位2選1FET總線開關
2025-12-17 11:15:39
218 
可靠工作;
支持寬范圍輸出電壓應用,特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領域;
支持 High Side 和 Low Side 配置;
<30ns 開通和關斷延時;
智能
2025-10-22 15:34:15
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關頻率下實現(xiàn)高功率密度,而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:02
21877 
MAX2769ETI 是業(yè)界第一款通用的單芯片全球導航衛(wèi)星系統(tǒng)(GNSS)接收機,用于 GPS、GLONASS 以及伽利略導航衛(wèi)星系統(tǒng)。它采用與 MAX2771ETI 相同的先進低功率 SiGe
2025-09-29 13:45:00
int count1;
volatile unsigned int freq = 1000;
volatile unsigned short high_count;
volatile unsigned
2025-09-27 16:50:44
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08
586 
Texas Instruments LMG362x GaN FET與交流-直流電源轉換中最常見的拓撲兼容。這些FET具有可編程導通壓擺率,可提供EMI和振鈴控制,與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比,電流檢測
2025-08-13 15:28:09
591 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅動器
2025-08-13 15:13:49
777 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護,適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅動器集成在
2025-08-13 14:56:51
759 
你好我的項目中使用MAX14802CCM+替代繼電器使用,在電路中有高電壓存在,使用方式如下圖:
電路中一片MAX14802CCM+使用雙8路模擬開關利用軟件同時切換其中2錄測試1-8路負載參數(shù),請問這樣連接對器件有損傷?另外如果反向對調電源是否會燒壞芯片?
2025-08-13 07:07:40
德州儀器(TI)的HSS-HCMOTHERBRDEVM智能保險絲評估模塊是一款專為高邊開關(High-Side Switch)設計的硬件開發(fā)平臺,適用于汽車電子、電源分配模塊及車身控制等領域。該模塊
2025-08-06 09:25:31
709 同步整流芯片U7714是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關,可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作,系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置,兼顧了系統(tǒng)性能和成本。
2025-07-16 15:23:47
2445 
CCG 8 和 CCG 6 的 CFP 版本的硬件和固件堆棧是否支持使用外部提供商路徑 FET?
2025-07-16 07:23:03
~行業(yè)領先水平的超高精度過充檢測功能有助于進一步提高安全性~ 日清紡微電子推出的單節(jié)鋰離子電池保護IC “高邊FET驅動類型的NB7123系列”和“低邊FET驅動類型的NB7130系列”?擁有行業(yè)
2025-07-11 15:53:43
455 
過14s。
2. high_duty_min_interval和high_duty_max_interval這樣設置以后,藍牙的interval是如何表現(xiàn)的?
3. 這個adv值的設置范圍是多少
4.
2025-07-08 07:43:09
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動器,帶高側電平轉換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:07
2906 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設計??删幊痰膶ㄞD換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44
656 
,系統(tǒng)上支持High Side 和 Low Side配置,兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U711XW的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力,可支持斷續(xù)工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。
2025-06-27 15:58:43
710 
Analog Devices MAX22204步進電機驅動器是一款兩相步進電機驅動器。它集成了兩個65V、3.8A~MAX~ 的H橋。H橋FET具有非常低的阻抗,可實現(xiàn)高驅動效率和最低限度的熱量
2025-06-23 14:58:41
740 
Analog Devices MAX25262/MAX25263車用2A/3A微型降壓轉換器提供高達2A/3A電流的集成高側和低側開關。MAX25262/MAX25263在3.5V至65V的輸入
2025-06-22 14:12:50
682 
Analog Devices MAX17645同步降壓直流-直流轉換器 集成了FET和補償元件。這些轉換器采用小型解決方案尺寸。小尺寸可減少元件數(shù)量,有助于降低系統(tǒng)的整體設計成本。Analog Devices MAX17645同步降壓直流-直流轉換器的環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+125°C。
2025-06-19 09:24:00
706 
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:33
1271 
大家好,我用MAX13487制作的485板,AB信號是這個樣子的,A信號(黃色),不能上拉到5v,B信號(藍色)不能下拉到0V。請問是什么原因?
這是電路原理圖
謝謝。
2025-06-17 12:48:43
一個步進電機。MAX22211 IC在雙H橋配置中集成了超低阻抗FET,其典型R ~ON~ (高側 + 低側)為0.25?。MAX22211具有嵌入式電流驅動調節(jié) (CDR) 功能,具有可調的斬波電流 (I ~TRIP~ )。
2025-06-16 15:34:50
655 2.5V 到 22V 的穩(wěn)定電壓,支持 100% 占空比。
電流能力:可支持 1A 持續(xù)輸出電流,內置 120mΩ High - side PMOS 和 80mΩ Low - side NMOS
2025-06-16 14:20:52
直流電機、一個步進電機或各種負載組合。MAX22208 IC采用四路H橋配置,集成了超低阻抗FET,其典型R ~ON~ (高側加低側)為0.3Ω。
2025-06-15 14:44:00
622 
Analog Devices Inc. MAX22210步進電機驅動器集成了兩個36V、3.8AMAX半橋。H橋FET具有非常低的阻抗,可實現(xiàn)高驅動效率并最大限度地減少產生的熱量。典型總R
2025-06-14 14:52:09
807 
Analog Devices Inc. MAX22207評估套件提供可靠設計,用于評估MAX22207有刷直流電機驅動器。 MAX22207 IC在全橋配置中集成了低阻抗FET,適用于36V
2025-06-14 10:27:41
629 FET,具有0.3Ω的典型R ~ON~ (高側+低側)。該套件包含接頭、測試點和接線端子,用于連接MAX22202電機驅動器PWM輸入、電流檢測輸出、電源輸入和電機驅動器輸出。板載ICM7556提供
2025-06-14 10:15:57
697 螺線管、兩個有刷直流電機、單個步進電機或各種負載組合。MAX22213驅動器在四通道H橋配置中集成了低阻抗場效應晶體管 (FET),典型導通電阻( ~RON~ ,高側加低側)為0.25Ω。該評估套件設有
2025-06-12 10:24:57
712 
high-side, high-voltage, power MOSFET with a current limit of 3.5A, typically. The wide 5V to 100V
2025-06-06 16:58:04
Analog Devices Inc. MAX77972EVKIT評估套件是經過預組裝和測試的表面貼裝PCB。Analog Devices Inc. MAX77972EVKIT套件用于評估集成FET
2025-06-06 11:19:27
687 
Analog Devices Inc. MAX77972 FET充電器是一款獨立的AccuCharge?降壓充電器,可在13.7V輸入電壓和高達16V保護下工作。這款FET充電器支持高達3.15A
2025-06-05 09:15:27
793 
本手冊記錄了德州儀器MSP-FET430閃存仿真工具(FET)。FET是MSP430超低功耗微控制器的開發(fā)工具。這里描述了并行端口接口和USB接口這兩種可用接口。本手冊描述了FET的設置和操作,但
2025-05-30 14:53:56
0 的靈活配置支持獨立充電。MAX17335的理想二極管電路支持快速響應系統(tǒng)瞬變和適配器移除,在CHG FET上具有低壓降。
2025-05-30 14:40:45
896 
Analog Devices Inc. MAX17616/A評估套件采用MAX17616或MAX17616A電子保險絲設置,工作電壓范圍為5V至28V。MAX17616AEVKIT#具有2A自動重試
2025-05-28 11:51:10
639 
新手求助:我現(xiàn)在在設計一款正弦波信號發(fā)生器,輸出頻率2khz左右,幅值2Vpp左右,這是我的電路圖,但是按照這個接線和器件安排,焊好后MAX038在通電±5V,沒有波形且發(fā)燙嚴重,請大家?guī)臀曳治鲆幌?,感謝!
2025-05-27 16:45:14
“我可以并聯(lián) MULTICH_CONNECT_PCB SINK_FET_EN和SAFE_POWER_EN輸出來切換同一個MOSFET嗎?
2025-05-27 07:30:03
;quot;RTD_high"));
}
if(fault & MAX31865_FAULT_LOWTHRESH) {
display.setCursor
2025-05-26 18:52:58
。3.3V降壓穩(wěn)壓器提供用于上拉和邏輯電壓,以便在電路板上運行LED指示燈。adi MAX17617EVKIT具有額外的外部N溝道場效應晶體管(FET),用于反向導通保護。
2025-05-26 11:07:54
774 
工作電壓,具有2A自動重試電流限制。3.3V降壓穩(wěn)壓器為上拉和邏輯提供電壓,以便在電路板上運行LED指示燈。adi MAX17617AEVKIT還包含一個額外的外部N溝道場效應晶體管(FET),用于反向導通保護。
2025-05-23 14:57:30
691 
我們有一個關于 VBUS_FET_EN 電源路徑行為的問題。
如果 BCR hw 設置為 VBUS_MIN = 5V,VBUS_MAX = 9V,ISNK_COARSE + ISNK_FINE
2025-05-23 08:09:50
BCR 具有 SINK_FET_EN 和 SAFE_PWR_EN 引腳來控制POWER_DRILL2GO消耗路徑。
如果 PD 合約不匹配,BCR 是否仍會打開 SINK_FET_EN POWER_DRILL2GO路徑?或者只打開 SAFE_PWR_EN POWER_DRILL2GO路徑?
2025-05-23 08:01:10
PD IC 是否可以通過 I2C 與處理器傳達電纜方向信息?
如果我們直接連接 VBUS_IN 而不使用 VBUS_FET_EN 負載開關,會對我們的系統(tǒng)產生任何影響嗎?
2025-05-20 07:39:54
。
首先在stacks選項中,我們點擊New Thread
然后在Name后填入max6675。
接下來我們在這個thread中添加 New Stack中的r_sci_spi。
之所以選擇sci
2025-05-09 19:02:55
ADA4350是用于光電監(jiān)測器或其它傳感器的模擬前端,其輸出電流與檢測的參數(shù)或電壓輸入成比例,系統(tǒng)要求用戶在極精密增益水平之間做出選擇,從而使其動態(tài)范圍達到最大。
ADA4350集成了FET
2025-05-09 10:26:26
802 
我正在使用帶有 USB PD Sink 示例的CY7113 #。 如何控制輸出 FET?
我發(fā)現(xiàn)必須設置 CY_APP_SINK_FET
2025-05-06 06:49:29
pt100和max31865測室溫跳變比較大,會從23.04跳到23.47,23.75反復跳變超過了0.5的誤差范圍,在VDD和GND之間加上0.1和10的濾波電容也不行,該怎么解決
2025-04-30 23:34:37
, which integrates a 90m? high-side MOSFET.
The SL3075, adopting the peak current mode control, supports
2025-04-29 14:18:11
采用ESOP-8 封裝,芯片底部設計有 功率散熱焊盤與SW管腳連接,可以有效的幫 助芯片散熱。
產品特征l
內置30V MOS l
輸入范圍4.5V-27V l
內置38mΩ High-side
2025-04-29 09:43:04
同步整流ic U7268是一款高性能副邊同步整流控制器,當配合外置MOS使用時,可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且內置有VDD高壓供電
2025-04-27 11:20:30
756 
。1. 可壓接導線數(shù)量:-D-436-38的壓接筒每側最多可壓接2根導線(Side 1 Max No Of Wires: 2,Side 2 Max No Of Wires: 2)。-這意味著整個接頭
2025-04-11 10:15:55
本文介紹了High-K材料的物理性質、制備方法及其應用。
2025-04-08 15:59:41
3398 
。上圖中ZVS綠色部分針對的是Q2而言,紅圈ZVS針對Q1而言。注意看ZVS電壓先到零,那么ZCS呢? 2. ZVS實現(xiàn)機制
在全橋或半橋拓撲中,常見的上下管(High-Side和Low-Side
2025-04-08 14:21:19
在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時候,系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V,此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片,所以請教下用于光電信號放大轉換(主要考慮信噪比和帶寬)一般我們用哪種工藝的芯片,
CMOS,Bipolar,FET這三種工藝的優(yōu)缺點是什么?
2025-03-25 06:23:13
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個
2025-03-19 17:16:29
1165 目錄 什么是光隔離探頭? 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應用場景 寬禁帶半導體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試(high-side
2025-03-19 09:09:16
1614 
本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢,以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-12 17:00:21
2498 
width :432 height :240
interval :25 fps
video / dev /video2
usb 1-1.3: reset high - speed USB device
2025-03-06 09:08:32
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28
987 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:01
1089 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47
923 
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 15:16:11
924 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23
727 
LMG3100 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,LMG3100R017 為 126A/1.7m
2025-02-21 11:19:52
1061 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動,采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:21
1049 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動,采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40
907 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57
881 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36
829 
that delivers up to 2A of continuous current to the
load. It integrates a high-side, high-voltage, power
2025-02-19 17:51:53
Nexperia(安世半導體)融合其近20年來在高質量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產經驗,推出全新CCPAK GaN FET產品組合。基于此久經考驗的封裝技術,CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領先的性能。
2025-02-19 13:45:01
1011 德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫,主要探討了 GaN FET(氮化鎵場效應晶體管)在人形機器人中的應用優(yōu)勢,旨在說明其如何解決人形機器人伺服系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)。 *附件
2025-02-14 14:33:33
1507 
電子發(fā)燒友網站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:22
0 電子發(fā)燒友網站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:24:19
2 電子發(fā)燒友網站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 08:30:51
0 電子發(fā)燒友網站提供《CBT3251 FET多路復用器/多路分解器規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-11 17:24:05
0 電子發(fā)燒友網站提供《CBT3253 FET多路復用器/多路分解器規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-11 17:23:04
0
在DDC232使用中,CONV是用來選擇Side ASide B ,CONV信號的高電平時,如果VALID信號有效,那么DOUT輸出的只是Side A的數(shù)據(jù)么?Side A對應的是模擬輸入的第幾通道?以上條件下,DOUT的格式是怎么樣的?
2025-02-11 07:46:53
電子發(fā)燒友網站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-10 16:22:37
1
我用的是high-speed、SPI、Discrete模式,8個通道加電壓現(xiàn)在只有通道1數(shù)據(jù)正常輸出,通道2~8一直為0,找不出問題來,請大家?guī)兔
2025-02-10 07:23:13
,
也可以接AT24C64D這樣的EEPROM可擦寫的存儲設備。
以下代碼的作用就是生成驅動I2C操作的驅動時鐘dri_clk=1Mhz。
系統(tǒng)時鐘是50MHz,因此對系統(tǒng)分頻就需要計算到25的計數(shù)器
2025-01-21 10:40:20
我使用msp430運行一個程序時,出現(xiàn)“Error initializing emulator: No USB FET was found”,請問這個該怎么解決呢?
之前在ti.com上看到相關
2025-01-16 07:59:10
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也可以接AT24C64D這樣的EEPROM可擦寫的存儲設備。
以下代碼的作用就是生成驅動I2C操作的驅動時鐘dri_clk=1Mhz。
系統(tǒng)時鐘是50MHz,因此對系統(tǒng)分頻就需要計算到25的計數(shù)器
2025-01-11 15:06:41
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