電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬） 近日，比亞迪在智能化戰(zhàn)略發(fā)布會上宣布全系搭載 “天神之眼” 高階智駕系統(tǒng)，這一舉措大幅降低了高階智駕的價格門檻。就連起售價不到 7 萬元的入門車型海鷗，也配備了
2025-02-17 01:19:00
2949 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）2月10日比亞迪舉辦了智能化戰(zhàn)略發(fā)布會，宣布全系車型搭載將搭載天神之眼高階智駕，令人震撼的是，天神之眼高階智駕系統(tǒng)在比亞迪旗下10萬級別車型將全系標配，10萬以下
2025-02-11 09:02:234905 
很多人可能覺得PCB信號速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問題會越多，其實不然。我們收到最多的調(diào)試問題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識別不到
2026-01-05 15:46:16
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 探索Amphenol PCD GLADIATOR連接器：專為士兵穿戴應用打造的創(chuàng)新之選 在電子工程領(lǐng)域，連接器的性能對于設備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。特別是在一些特殊應用場景，如士兵穿戴設備中，對連接器
2025-12-11 14:25:19254 功耗及更具成本效益的解決方案，適用于電視、服務器、網(wǎng)通設備、工業(yè)計算機及嵌入式應用等多元市場。 盡管 DDR5 逐漸普及，許多產(chǎn)業(yè)仍依賴 DDR4 穩(wěn)定成熟的生態(tài)系統(tǒng)。華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM 專為這些客戶設計，讓他們在維持既有架構(gòu)的同時，仍能享有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度與更強的系統(tǒng)競
2025-12-03 16:44:28708 
顆粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產(chǎn)品，覆蓋服務器、工作站及個人電腦等全場景領(lǐng)域，滿足各領(lǐng)
2025-11-25 08:27:008131 
本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 日前，瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），這款全新RCD率先實現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s
2025-11-19 15:59:055453 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 新唐科技，全球領(lǐng)先的基板管理控制器（BMC）解決方案供應商，宣布推出 Arbel NPCM8mnx 系統(tǒng)級封裝（SiP）。這款具精巧簡潔設計、高度整合的BMC微系統(tǒng)，專為新世代 AI 伺服器與資料中心平臺量身設計。不但能快速部署系統(tǒng)，還能大幅簡化管理流程，讓整體運作更有效率、更穩(wěn)定。
2025-10-31 17:26:041603 由于FPGA內(nèi)部存儲資源有限，很多時候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進行存儲擴展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進行控制
2025-10-29 07:16:34
DDR使用
在我們的項目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時鐘ui_clk，以此來實現(xiàn)跨時鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測試效果，讀數(shù)正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
4/DDR3顆粒及32Mb PSRAM KGD等先進存儲產(chǎn)品和創(chuàng)新方案亮相，攜手產(chǎn)業(yè)伙伴賦能AI+時代的技術(shù)創(chuàng)新與場景落地。
2025-10-14 17:39:52986 在智能制造的浪潮中，伺服系統(tǒng)作為工業(yè)自動化的核心驅(qū)動單元，其性能直接影響著設備精度、效率與穩(wěn)定性。而伺服增量編碼器，作為伺服系統(tǒng)的“精密之眼”，正以高分辨率、快速響應與低成本優(yōu)勢，成為數(shù)控機床
2025-10-13 08:37:57339 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
所有輸入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動器，可在 DDR3 RDIMM 應用中驅(qū)動端接走線上的 DRAM 信號。時鐘輸出 Yn 和 Yn 以及
2025-09-17 11:25:29724 
的 DDR3U 寄存器 DIMM~DD~的 1.25 V。
所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動器，可在 DDR3
2025-09-16 14:01:11604 
~的 1.25 V。
所有輸入均兼容 1.5 V、1.35 V 和 1.25 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動器，可在 DDR3 RDIMM 應用中驅(qū)動端接走線上的 DRAM 信號
2025-09-15 18:14:58778 
在智能制造的浪潮中，伺服系統(tǒng)作為工業(yè)自動化的核心動力，其定位精度與響應速度直接決定了生產(chǎn)線的效率與產(chǎn)品質(zhì)量。而伺服絕對值編碼器，作為伺服系統(tǒng)的“智慧之眼”，正以不可替代的技術(shù)優(yōu)勢，成為高端裝備制造
2025-09-10 08:38:22578 TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和源極雙數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計，其中空間是關(guān)鍵考慮因素。
該器件保持快速瞬態(tài)響應，最小輸出電容僅為
2025-09-09 14:28:07713 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:53:22687 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37756 
隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，AI伺服器已成為全球科技領(lǐng)域的焦點。然而，除了主板核心設計，AI伺服器的順利運轉(zhuǎn)還依賴于高效的周邊配套設備。如何優(yōu)化電源模組以滿足高速運算與數(shù)據(jù)中心的需求？大聯(lián)大友尚集團聯(lián)合
2025-09-01 15:27:002006 
3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
工業(yè)以太網(wǎng)線連接至網(wǎng)關(guān)的Profinet接口 2. 網(wǎng)關(guān)的EtherCAT主站接口通過EtherCAT專用電纜（帶雙絞屏蔽）連接baumuller伺服器的EtherCAT從站接口 3. 若多軸控制，采
2025-08-14 16:49:39598 
臺北2025年8月8日 /美通社/ -- 作為專業(yè)伺服器設計與制造商，神達控股股份有限公司（股票代號：3706）旗下子公司神雲(yún)科技股份有限公司（MiTAC Computing Technology
2025-08-08 22:16:56410 DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存儲器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預取架構(gòu)，即每個時鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
意法半導體EVLSERVO1伺服驅(qū)動器參考設計提供了一款高度緊湊的解決方案，專為大功率電機控制應用而設計，為開發(fā)者打造了無需妥協(xié)的完整交鑰匙平臺，助力探索、開發(fā)和原型驗證。
2025-08-01 09:40:50756 本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 西門子S7 - 1200系列PLC可編程邏輯控制器（PLC），需與具備CANOPEN通訊功能的伺服驅(qū)動器設備進行連接。西門子的PLC采用PROFINET實時以太網(wǎng)通訊協(xié)議，若要連接CANOPEN設備
2025-07-24 18:01:55420 
ThreadripperPRO9000WX系列，最多擁有96核心192線程，性能全面優(yōu)化。作為AMD官方合作伙伴，江波龍企業(yè)級BG系列DDR5RDIMM率先通過該平臺嚴苛兼容性測試，并被指定為官方工作站
2025-07-23 21:04:21913 
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231043 
的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
緩沖。
src\\\\axi\\\\axi4_ctrl.v: 核心的AXI控制器（我們在上一問中詳細分析過）。它負責將ISP處理完的RGB圖像數(shù)據(jù)流寫入DDR3內(nèi)存，并在需要時再從DDR3中讀出
2025-07-06 15:18:53
AI被形容為「吃電怪獸」絕非夸飾，我們迫切需要更創(chuàng)新的方法來提升能源效率 。USI環(huán)旭電子的電源模組事業(yè)占有舉足輕重的地位，主要應用于兩大高成長領(lǐng)域：電動車（EV）與AI伺服器（AI Server
2025-07-05 16:12:181287 
DDR內(nèi)存占據(jù)主導地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
國奧科技ZR電機以高階性能駕馭中階需求，輕松適配3C電子制造行業(yè)多種裝配與檢測場景
2025-06-20 18:08:50703 
電子組件領(lǐng)導制造供貨商，全新推出 SRP2512CL?和?SRP3212CL?系列屏蔽功率電感器。這兩個全新系列具備低交流阻抗 (ACR) 與低直流內(nèi)阻 (DCR)，可有效降低能量損耗并提升效率
2025-06-16 15:27:091100 
EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)與伺服器在匯川組態(tài)軟件上的配置步驟 匯川組態(tài)軟件在工業(yè)自動化領(lǐng)域具有廣泛的應用，該軟件能夠有效地實現(xiàn)EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)與伺服器的集成配置
2025-06-12 10:06:26924 
隨著計算密集型任務的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標準 DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。
該TPS51200保持快速瞬態(tài)響應，并且需要的最小輸出電容
2025-04-29 09:59:251345 
TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應，并且
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51206 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，具有 VTTREF 緩沖基準輸出。它專為空間是關(guān)鍵考慮因素的低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)系統(tǒng)而設計。該器件可保持
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計 考慮。
TPS51200-EP 保持快速瞬態(tài)響應，并且
2025-04-26 10:26:351335 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。
該器件保持快速瞬態(tài)響應，并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:151053 
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實現(xiàn)突破，推動國產(chǎn)存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應用而設計。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設計，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
工業(yè)自動化和伺服器市場的快速發(fā)展，對高效、安全的信號傳輸和散熱解決方案提出了更高要求。大聯(lián)大詮鼎集團聯(lián)合東芝半導體將全面解析其最新的Digitalisolator產(chǎn)品及伺服器散熱馬達驅(qū)動器方案，助力客戶解鎖工業(yè)與伺服器應用的無限潛能。
2025-03-13 08:00:00817 
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。
2025-03-11 15:22:521249 
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101306 
Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布推出基于Arm Cortex-A7內(nèi)核的SAMA7D65系列微處理器(MPU)，運行頻率高達1 GHz，并提供集成2 Gb DDR3L的系統(tǒng)級封裝(SiP)及片上系統(tǒng)(SoC)兩款型號，專為人機接口(HMI)及高連接性應用設計。
2025-02-28 10:08:191432 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 導遠科技多款定位產(chǎn)品已在比亞迪旗下多種車型實現(xiàn)量產(chǎn)交付，賦能“天神之眼”高階智駕系統(tǒng)。
2025-02-14 10:13:52931 2月10日，比亞迪舉辦智能化戰(zhàn)略發(fā)布會，重磅發(fā)布全民智駕戰(zhàn)略。在整車智能戰(zhàn)略下，比亞迪構(gòu)建起天神之眼技術(shù)矩陣，其全系車型將搭載高階智駕技術(shù)，其中天神之眼 C首批上市21款車型，覆蓋7萬級到20萬級，包括價格親民的海鷗，讓高階智駕人人可享，引領(lǐng)汽車行業(yè)智能化變革。
2025-02-11 13:45:40754 2月10日，比亞迪在智能化戰(zhàn)略發(fā)布會上震撼發(fā)布了其最新研發(fā)的高階智能駕駛輔助系統(tǒng)——“天神之眼”。這一創(chuàng)新成果的發(fā)布，標志著比亞迪在智能駕駛技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要的一步。 據(jù)比亞迪董事長兼總裁王傳福介紹
2025-02-11 09:37:321348 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應用于個人電腦、服務器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
近日，比亞迪宣布將于2月10日19:30在深圳總部隆重召開智能化戰(zhàn)略發(fā)布會。此次發(fā)布會的重頭戲是推介比亞迪自主研發(fā)的“天神之眼”高階智能駕駛系統(tǒng)，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新進一步降低智能駕駛的使用門檻，推動
2025-02-07 10:56:581242 宇樹科技在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域有多方面的涉及和發(fā)展，以下是一些具體信息：
傳感器技術(shù)合作
與傳感器公司合作：宇樹科技與一些傳感器技術(shù)公司有合作，例如奧比中光為宇樹機器狗提供激光雷達及結(jié)構(gòu)光傳感器，這些傳感器
2025-02-04 06:48:00
創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:181754 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運行效率推動AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
全球高速接口IP領(lǐng)域的佼佼者乾瞻科技(InPsytech, Inc.)近日宣布，其Universal Chiplet Interconnect Express(UCIe)系列產(chǎn)品在性能與效率方面
2025-01-21 10:44:01906 乾瞻科技(InPsytech, Inc.)，作為神盾集團旗下硅智財(IP)領(lǐng)域的佼佼者，近日隆重推出了針對汽車產(chǎn)業(yè)的全新IP解決方案。這一創(chuàng)新成果旨在為智能車輛、先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)以及
2025-01-06 10:54:54840
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