TI推出其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的車用GaN FET

工程師可以使車用充電器和工業(yè)電源實現(xiàn)兩倍的功率密度和更高效率

2020年11月10日，北京訊——德州儀器（TI）今天推出了面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），進一步豐富拓展了其高壓電源管理產(chǎn)品線。與現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅(qū)動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，并將電源磁性器件的尺寸減少59％。TI利用其獨有的GaN材料和在硅（Si）基氮化鎵襯底上的加工能力開發(fā)了新型FET，與碳化硅（SiC）等同類襯底材料相比，更具成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。

電氣化正在改變汽車行業(yè)，消費者越來越需要充電更快、續(xù)航里程更遠的車輛。因此，工程師亟需在不影響汽車性能的同時，設(shè)計出更緊湊、輕便的汽車系統(tǒng)。與現(xiàn)有的Si或SiC解決方案相比，使用TI的新型車用GaN FET可將電動汽車（EV）車載充電器和DC/DC 轉(zhuǎn)換器的尺寸減少多達50％，從而使工程師能夠延長電池續(xù)航，提高系統(tǒng)可靠性并降低設(shè)計成本。在工業(yè)設(shè)計中，這些新器件可在更低功耗和更小電路板空間占用的情況下，在AC/DC電力輸送應(yīng)用（例如超大規(guī)模的企業(yè)計算平臺以及5G電信整流器）中實現(xiàn)更高的效率和功率密度。

Strategy Analytics的動力總成、車身、底盤和安全服務(wù)總監(jiān)Asif Anwar表示：“GaN等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)無疑為電力電子設(shè)備（尤其是高壓系統(tǒng)）帶來了更穩(wěn)定的性能。德州儀器歷經(jīng)十多年的投資和開發(fā)，提供了獨有的整體解決方案——將內(nèi)部硅基氮化鎵（GaN-on-Si）器件的生產(chǎn)、封裝與優(yōu)化的硅基驅(qū)動器技術(shù)相結(jié)合，從而能在新應(yīng)用中成功采用GaN?！?/p>

德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：“工業(yè)和汽車應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力，設(shè)計人員必須提供能在終端設(shè)備長久的生命周期內(nèi)可靠運行的電源管理系統(tǒng)。憑借超過4，000萬個小時的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用測試，TI的GaN技術(shù)為工程師提供了能滿足任何市場需求的可靠的全生命周期保障?！?/p>

以更少的器件實現(xiàn)翻倍的功率密度

在高電壓、高密度應(yīng)用中，電路板空間最小化是設(shè)計中的重要目標(biāo)。隨著電子系統(tǒng)變得越來越小，其內(nèi)部組件也必須不斷縮小并更加緊湊。TI的新型GaN FET集成了快速開關(guān)驅(qū)動器以及內(nèi)部保護和溫度感應(yīng)功能，使工程師能夠在電源管理設(shè)計中減小電路板尺寸、降低功耗的同時實現(xiàn)高性能。這種集成再加上TI GaN技術(shù)的高功率密度，使工程師能夠在通常的離散解決方案中減少10多個組件。此外，在半橋配置中應(yīng)用時，每個新型30mΩ FET均可支持高達4 kW的功率轉(zhuǎn)換。

創(chuàng)造TI更高功率因數(shù)校正（PFC）效率

GaN具有快速開關(guān)的優(yōu)勢，可實現(xiàn)更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。在過去，要獲得快速的開關(guān)性能，就會有更高的功率損耗。為了避免這種不利后果，新型GaN FET采用了TI的智能死區(qū)自適應(yīng)功能，以減少功率損耗。例如，在PFC中，智能死區(qū)自適應(yīng)功能與分立式GaN和SiC金屬氧化物硅FET（MOSFET）相比，可將第三象限損耗降低多達66％。智能死區(qū)自適應(yīng)功能也消除了控制自適應(yīng)死區(qū)時間的必要，從而降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時長。更多信息請閱讀應(yīng)用說明“通過智能死區(qū)自適應(yīng)功能實現(xiàn)GaN性能最大化”。

更大限度提高熱性能

采用TI GaN FET的封裝產(chǎn)品，其熱阻抗比性能最接近的同類產(chǎn)品還要低23％，因此可使工程師使用更小的散熱器，同時簡化散熱設(shè)計。無論應(yīng)用場景如何，這些新器件均可提供更大的散熱設(shè)計靈活性，并可選擇底部或頂部冷卻封裝。此外，F(xiàn)ET集成的數(shù)字溫度報告功能還可實現(xiàn)有源電源管理，從而使工程師能在多變的負載和工作條件下優(yōu)化系統(tǒng)的熱性能。

封裝、供貨情況

目前TI.com.cn上已提供四種新型工業(yè)級600V GaN FET的預(yù)生產(chǎn)版本，采用12mm x 12mm方形扁平無引腳（QFN）封裝。TI預(yù)計工業(yè)級器件LMG3425R030將于2021年第一季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)。評估模塊可于TI.com.cn購買。TI.com.cn上提供多種付款方式、信貸額度以及快速、可靠的運輸選項。

新型LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1 650V車用GaN FET的預(yù)生產(chǎn)版本和評估模塊預(yù)計將于2021年第一季度在TI.com.cn上發(fā)售。

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電源管理(147734) 電源管理(147734)
德州儀器(144758) 德州儀器(144758)
場效應(yīng)晶體管(20445) 場效應(yīng)晶體管(20445)
氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)
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200V交流伺服驅(qū)動器的三相高PWM逆變器全部設(shè)計資料

的 FET 和柵極驅(qū)動器。GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間

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GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

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GaN FET重新定義電源電路設(shè)計

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GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成實現(xiàn)高性能

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TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅(qū)動器進行共同封裝，我們能夠在一個模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降

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方波波形開關(guān)節(jié)點概述

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TI同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54290，具備集成FET

TI同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54290，具備集成FET 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首款雙通道輸出的完全同步 SWIFT電源管理集成電路。該 TPS54290 1.5 A/2.5 A 轉(zhuǎn)換器可簡化采用 12 V 電源

2010-01-29 08:49:45

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Maxim推出業(yè)內(nèi)首款2串HB LED驅(qū)動器

Maxim推出業(yè)內(nèi)首款2串HB LED驅(qū)動器 Maxim推出業(yè)內(nèi)僅有的2串HB (高亮度) LED驅(qū)動器MAX16838，理想用于汽車電子。器件集成一路升壓或SEPIC開關(guān)轉(zhuǎn)換器、2路線性吸電流調(diào)節(jié)器以

2010-02-03 10:55:47

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TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，

2010-02-23 09:26:57

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TI宣布推出一款LED照明驅(qū)動器參考板

TI宣布推出一款LED照明驅(qū)動器參考板　　德州儀器 (TI) 聯(lián)合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED 照明驅(qū)動器參考板，幫助解決成本、調(diào)光以及效率三大問題。該 TPS92010 LED 燈

2010-04-12 13:54:05

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TI宣布推出一款完整LED照明驅(qū)動器參考板

TI宣布推出一款完整LED照明驅(qū)動器參考板　　德州儀器（TI）聯(lián)合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驅(qū)動器參考板，幫助解決成

2010-04-15 09:35:45

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TI推出低側(cè)柵極驅(qū)動器LM5114

德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。

2012-02-11 09:59:08

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Intersil推出業(yè)內(nèi)首款集成ADC驅(qū)動器的40V低噪聲精密儀表放大器

Intersil公司今天宣布，推出一款新型40V低噪聲儀表放大器，這是業(yè)內(nèi)首款集成模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）電平轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動器的精密放大器。

2012-07-10 16:56:19

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TI面向汽車安全推出支持集成型電源管理與CAN接口的電機驅(qū)動器

日前，德州儀器（TI）宣布推出 3 款最新器件進一步豐富業(yè)界首個汽車電機驅(qū)動器系列，幫助 TI 客戶設(shè)計符合 ISO26262 功能安全要求的汽車應(yīng)用。該 DRV32xx-Q1 系列目前包含 4 款支持內(nèi)建診斷功能的三相位無刷前置 FET 電機驅(qū)動器。

2013-07-18 15:39:56

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TI推出業(yè)界首款 100 V 高壓側(cè) FET 驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池

近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。

2016-02-22 11:22:43

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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應(yīng)晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。

2016-05-05 14:41:39

1153

用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

2016-05-09 17:06:56

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TI 推出新一代雙通道支持前后燈 LED 驅(qū)動器

TI新近推出汽車產(chǎn)業(yè)首款前燈雙通道開關(guān) LED 驅(qū)動器與唯一一款支持后燈單短路 LED 檢測的線性 LED 驅(qū)動器。與市場上其它 LED 驅(qū)動器不同，該 TPS92630-Q1

2017-04-27 07:01:11

1114

PI進入電機驅(qū)動器市場推出首款BridgeSwitch IHB的電機驅(qū)動器

近日，專注于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的Power Intergration（PI）宣布進入電機驅(qū)動器市場，并推出首款BridgeSwitch集成半橋電路（IHB）的電機驅(qū)動器IC產(chǎn)品。該產(chǎn)品繼承了PI一直以來優(yōu)秀的產(chǎn)品基因，并加入了一些對于電機驅(qū)動獨特的理解。

2019-01-27 10:12:57

2826

利用TI的600V GaN FET功率級實現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合

2019-08-07 10:17:06

2913

100V高側(cè)FET驅(qū)動器驅(qū)動高壓電池簡介

達拉斯， 2月。 1,2016 //PRNewswire/- 德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）今日推出首款用于高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高端FET驅(qū)動器，提供先進的功率保護

2019-08-07 15:12:18

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具有集成式驅(qū)動器的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

功率密度對比 GaN FET：新的集成系統(tǒng) 大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅(qū)動器分開封裝，

2022-01-12 16:22:47

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GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感

作者: 德州儀器設(shè)計工程師謝涌；設(shè)計與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin 導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN

2022-01-26 15:11:02

2728

具有集成式驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

具有集成式驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

2022-10-28 12:00:20

意法半導(dǎo)體推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵晶體管柵極驅(qū)動器

2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

2023-09-07 10:12:13

2054

意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能具有卓越的安全性和可靠性

近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

2023-09-12 09:01:31

1250

具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載

2024-03-21 10:20:58

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:40:13

600V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 14:17:13

600V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 15:27:07

650V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:41:30

650V 50m? 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:40:05

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 09:50:39

650V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 11:31:11

具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 10:40:57

具有集成式驅(qū)動器和保護功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 11:02:33

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

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2024-03-29 09:18:53

集成FET與外部FET：電機驅(qū)動器的性能比較

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2024-09-10 10:54:58

變速電機驅(qū)動器受益于集成GaN

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2025-01-24 13:51:21

新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器

新品2EP1xxR-頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動電源用20V全橋變壓器驅(qū)動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅(qū)動電源用全橋變壓器驅(qū)動器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優(yōu)化

2025-01-24 17:04:39

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TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋

集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè) 柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計、減少了元件數(shù)量并減小了布板空間。點擊下載*附件：LMG2610 用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN

2025-02-20 15:26:09

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TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN

2025-02-20 16:04:13

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TI LMG3624 具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-20 16:35:36

831

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

2025-02-20 16:54:57

883

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。

2025-02-21 09:19:40

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TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計

2025-02-21 09:28:21

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LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測介紹

LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 10:54:37

798

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器介紹

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m

2025-02-21 11:19:52

1063

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動器和保護介紹

LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 13:42:42

726

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。

2025-02-21 14:14:05

806

LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-21 14:37:23

728

應(yīng)用筆記：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，LMG3100R017 為 126A/1.7m

2025-02-21 15:16:11

925

技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和零電流檢測

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 17:46:47

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技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET

2025-02-24 13:32:11

727

技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3425R030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達

2025-02-25 13:51:37

683

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

2025-06-04 14:44:58

1135

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊

個半橋，無需外部電平轉(zhuǎn)換器。GaN FET和驅(qū)動器元件具有內(nèi)置電源軌欠壓鎖定 (UVLO) 保護和內(nèi)部自舉電源電壓箝位功能，可防止過驅(qū)動 (>5.4V)。Texas Instruments

2025-07-06 16:41:07

2906

德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:20:47

820

德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:29:38

770

TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級，集成驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動器的集成簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。支持半橋和兩個獨立的開關(guān)拓撲、可配置的死區(qū)時間和可配置的直通互鎖保護，有助于支持各種應(yīng)用和實現(xiàn)。

2025-08-06 16:44:48

898

LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在

2025-08-13 14:56:51

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LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

和保護功能集成在8mm x 5.3mm QFN封裝中。LMG3612 GaN FET具有低輸出電容電荷，可減少電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)所需的時間和能量。該晶體管的內(nèi)部柵極驅(qū)動器可調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓以獲得最優(yōu)GaN

2025-08-13 15:13:49

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突破功率密度邊界：TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護功能，可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。

2025-09-19 11:06:08

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“芯”品發(fā)布 | 高可靠GaN專用驅(qū)動器，便捷GaN電源設(shè)計

芯品發(fā)布高可靠GaN專用驅(qū)動器，便捷GaN電源設(shè)計GaN功率器件因為其高工作頻率和高轉(zhuǎn)化效率的優(yōu)勢，逐漸得到電源工程師的青睞。然而增強型GaN功率器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V，驅(qū)動窗口相較于傳統(tǒng)

2025-11-11 11:46:33

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