LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中 集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè) 柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計、減少了元件數(shù)量并 減小了布板空間。

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*附件：LMG2610 用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋.pdf

非對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進(jìn)行了優(yōu) 化?？?a target="_blank">編程導(dǎo)通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳 統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側(cè)電流檢測仿真可降低功 耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接 地。

高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器消除了外部解決方案中出 現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關(guān) GaN 自 舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過充， 并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2610 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，支持轉(zhuǎn)換 器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和 過熱關(guān)斷。

LMG2610 的特性介紹：

• 650V GaN 功率 FET 半橋

• 170m? 低側(cè)和 248m? 高側(cè) GaN FET

• 具有低傳播延遲和可調(diào)節(jié)導(dǎo)通壓擺率控制的集成柵極驅(qū)動器

• 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真

• 低側(cè)/高側(cè)柵極驅(qū)動互鎖

• 高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器

• 智能開關(guān)自舉二極管功能

• 高側(cè)啟動：< 8us

• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)

• 通過 FLT 引腳報告實現(xiàn)過熱保護(hù)

• AUX 空閑靜態(tài)電流：240μA

• AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA

• BST 空閑靜態(tài)電流：60μA

• 最大電源和輸入邏輯引腳電壓：26V

• 具有雙散熱焊盤的 9mm x 7mm QFN 封裝

  方框圖：

  

基本參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域：

? 有源鉗位反激式電源轉(zhuǎn)換器
? 交流/直流適配器和充電器
? 交流/直流 USB 墻壁插座電源
? 交流/直流輔助電源