半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用，是現(xiàn)代設(shè)計中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計時，這種電路的優(yōu)勢才能得到實現(xiàn)。
2020-08-31 13:43:31
1543 
及碳化硅制造挑戰(zhàn)。 ? ?? 寬禁帶半導(dǎo)體 顧名思義，寬禁帶半導(dǎo)體（例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)），是通過其最重要的電氣特性“禁帶”來描述的一類半導(dǎo)體。禁帶是價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。類似硅的半導(dǎo)體具有相對較窄的禁
2025-01-05 19:25:292602 
什么才是電源測試工程師所關(guān)注的測試難點？走訪了百位測試工程師，泰克將工程師的測試痛點總結(jié)出來。
2020-02-27 17:13:321507 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013829 
工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵?b class="flag-6" style="color: red">器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:534300 
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴苛應(yīng)用中。
2020-05-11 10:20:511125 ? ? 碳化硅 為寬禁帶材料，具有高導(dǎo)熱系數(shù)、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)異的材料特性，因此適合作為高耐壓、高溫、高頻及抗輻射等操作的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的材料基礎(chǔ)。 ?? ?寬禁帶半導(dǎo)體器件
2022-11-17 15:28:073911 
[摘要]我們?知道?測試?寬?帶?5G IC?非常?有?挑戰(zhàn)?性，?因而?撰寫?了?《5G?半導(dǎo)體?測試?工程?師?指南》?來?幫助?您?解惑。?如果?您?是?sub-6 GHz?和?mmWave
2020-09-01 15:41:51
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進口替代將成為必然趨勢，國內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來成長空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說給電源行業(yè)帶來顛覆性的變化。對于設(shè)計工程師來說卻帶來了非常大的測試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件
2021-05-20 11:17:57
可靠性保駕護航！
一、嚴謹細微，鑄就精準測試之魂
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺采用先進的高精度傳感器和精密的測量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類材料
2025-10-10 10:35:17
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
在接下來的幾周內(nèi)，安森美半導(dǎo)體的專家將在路上，幫助設(shè)計工程師在美國和加拿大的五個地點解決他們的電源應(yīng)用挑戰(zhàn)。安森美半導(dǎo)體的電力研討會側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請您與我們的電源專家會面，探討
2018-10-29 08:57:06
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到
2020-11-18 06:30:50
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
，幫助工程師避免只關(guān)注設(shè)計忽略整體效率? 可以進行諧波標準預(yù)一致性測試，縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期? 結(jié)合光隔離ISOVu探頭可以對寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN進行特性分析驗證參與小調(diào)研，還有機會活動精美禮品
2018-07-25 15:48:08
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
半導(dǎo)體封裝工程師發(fā)布日期2015-02-10工作地點北京-北京市學歷要求碩士工作經(jīng)驗1~3年招聘人數(shù)1待遇水平面議年齡要求性別要求不限有效期2015-04-16職位描述1、半導(dǎo)體光電子學、微電子
2015-02-10 13:33:33
求全新的測試工具和全新的方法，針對特定應(yīng)用優(yōu)化性能，確?？煽啃?。鑫磊：你覺得泰克為電源工程師及演進方式提供了哪些支持？Seshank：泰克為功率電子設(shè)計提供完善的全套儀器和軟件解決方案，從元器件測試到
2018-06-14 14:28:19
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
`泰科天潤招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進展，包括研究文獻、新設(shè)計、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？
2021-06-17 06:45:48
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點新加坡學歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機械、自動化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點新加坡學歷要求本科 研究生 博士 專業(yè)應(yīng)用材料、機械、自動化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
PFD1KE評估板：助力工程師快速開發(fā)與驗證在電子設(shè)計領(lǐng)域，選擇合適的元器件和開發(fā)工具至關(guān)重要。Microchip Technology推出的PFD1KE評估板為工程師提供了一個高效的解決方案，幫助
2024-10-06 16:42:01
這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:192099 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2017-11-25 16:19:434426 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:206060 行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041 近日，2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機構(gòu)、知名企業(yè)負責人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會減少，結(jié)果會直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項目開工活動在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟南國際醫(yī)學中心，是濟南實施北跨發(fā)展和新舊動能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 泰克公司源自工程師，為工程師而生。在20世紀40年代，未來的浪潮是示波器，它為工程師提供了從無線電波到計算機電路板中電子信號的一切可視化測量。
2019-05-27 11:51:051203 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計，驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0028 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013308 
針對電源設(shè)計的研發(fā)需求和市場反饋，泰克為行業(yè)提供全流程測試方案。從初期的器件選擇到最終的產(chǎn)品認證多個測試環(huán)節(jié)，泰克的專業(yè)測試方案都會為電源工程師的工作保駕護航，生產(chǎn)優(yōu)秀的電源產(chǎn)品。
2020-09-30 09:12:541357 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:481987 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261297 工程師的噩夢。 結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進行第三代半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計。工程師在設(shè)計電源產(chǎn)品時，優(yōu)化上下管的驅(qū)動條件，從
2020-10-30 03:52:111116 現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022 今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042987 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0013731 
泰克在華南地區(qū)首臺DPT1000A在深圳美浦森半導(dǎo)體正式交付。DPT1000A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，一經(jīng)推出就受到廣大科研和企業(yè)用戶的強烈關(guān)注。
2021-08-19 10:15:162476 
泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
有限公司、泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、北京郵電大學、三安光電有限公司等知名企業(yè)及高?？蒲性核餐窒?b class="flag-6" style="color: red">寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新進展。
2021-12-23 14:06:342830 
第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。
2021-12-23 15:11:383437 對于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534542 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 效率的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創(chuàng)新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應(yīng)用的性能需求，包括極端功率和工作溫度以及對以緊湊外形實現(xiàn)更快、高效、
2022-08-08 10:16:491930 
。目前，從市場領(lǐng)域來看，寬禁帶半導(dǎo)體材料已于快充、新能源汽車、光伏、風電、高鐵等多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。其中，氮化鎵主要面向PD電源類居多，而碳化硅主要應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域。 但從使用情況來看，相比于其他材料，寬禁帶半導(dǎo)體
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810871 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:466543 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
點擊藍字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
，今日宣布其實驗室經(jīng)過全面升級后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中國區(qū)分銷業(yè)務(wù)總經(jīng)理宋磊為本次盛會做了開幕致辭，同時我們有幸邀請到了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉博士，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
2024-05-16 17:14:30591 
功率電子學在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當今，氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 
下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381689 擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試
2024-07-23 15:43:311609 
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料因其獨特的電子和光學特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063202 SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學特性，如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586011 近年來，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多
2024-10-09 11:12:351254 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-11-20 16:21:412093 
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
近日，泰克科技與遠山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應(yīng)對當今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計，需要精心的設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。
2025-08-25 14:53:231334 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其動態(tài)特性的精準測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能，為SiC器件的動態(tài)參數(shù)測試
2025-10-17 11:42:14231 
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