晶圓代工3納米制程量產(chǎn)后，大廠訂單爭(zhēng)霸戰(zhàn)持續(xù)白熱化，究竟目前宣布已量產(chǎn)或計(jì)畫量產(chǎn)的三家大廠臺(tái)積電、三星、英特爾各有何種技術(shù)進(jìn)展與優(yōu)勢(shì)，牽動(dòng)后續(xù)研發(fā)投資進(jìn)展，本報(bào)記者統(tǒng)整各家廠商的官方說(shuō)法，帶讀者一探究竟。

臺(tái)積電：3納米制程需求非常強(qiáng)勁

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臺(tái)積電3納米采鰭式場(chǎng)效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，F(xiàn)inFET）架構(gòu)去年第4季底如期量產(chǎn)后，后續(xù)3納米陣容將持續(xù)擴(kuò)大。臺(tái)積電3納米家族包含N3、N3E、N3P與N3X等，并無(wú)外界原本預(yù)測(cè)的N3B。

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臺(tái)積電去年12月29日在南科舉辦3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，董事長(zhǎng)劉德音致詞時(shí)提到，3納米制程的良率已經(jīng)和5納米量產(chǎn)同期的良率相當(dāng)，3納米技術(shù)將被大量應(yīng)用在推動(dòng)未來(lái)的頂尖科技產(chǎn)品中，其中包括超級(jí)電腦、云端資料中心、高速的網(wǎng)際網(wǎng)路及行動(dòng)裝置等，包含未來(lái)的AR／VR。在5G及高速運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用的大趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)下，臺(tái)積電3納米制程市場(chǎng)需求非常強(qiáng)勁。

臺(tái)積電雖未直接提供3納米良率數(shù)據(jù)，仍是全球首家喊出3納米量產(chǎn)初期良率已和5納米同期相當(dāng)，明顯有別競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手閉口不談良率。

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臺(tái)積電預(yù)定N3E作為3納米家族的延伸，將為智慧手機(jī)和高速運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用提供完整的支持平臺(tái)。臺(tái)積電指出，N3E技術(shù)預(yù)計(jì)2023年下半年量產(chǎn)。

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盡管庫(kù)存調(diào)整仍在持續(xù)，但公司觀察到N3和N3E皆有許多客戶參與，量產(chǎn)第一年和第二年的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案數(shù)量將是N5的兩倍以上。

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臺(tái)積電3納米2022年內(nèi)率先在臺(tái)灣南科量產(chǎn)，以南科晶圓十八廠作為3納米主要生產(chǎn)基地，并無(wú)外傳于竹科生產(chǎn)3納米的狀況，后續(xù)2納米規(guī)劃在竹科與中科先后量產(chǎn)，規(guī)劃共計(jì)六期工程。另外，臺(tái)積電全球研發(fā)中心將于2023年第2季在竹科開(kāi)幕，將可進(jìn)駐8,000位研發(fā)人員。

臺(tái)積電3納米在臺(tái)灣量產(chǎn)成熟后，也將導(dǎo)入美國(guó)新廠。臺(tái)積電指出，該公司除了在臺(tái)灣持續(xù)擴(kuò)建3納米產(chǎn)能，在美國(guó)的第二期建廠亦同步展開(kāi)，預(yù)計(jì)亞利桑那州晶圓廠2026年開(kāi)始生產(chǎn)3納米制程技術(shù)。

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臺(tái)積電預(yù)估，3納米制程技術(shù)量產(chǎn)第一年帶來(lái)的收入將優(yōu)于5納米在2020年量產(chǎn)時(shí)的收益，預(yù)計(jì)3納米制程技術(shù)將在量產(chǎn)五年內(nèi)釋放全世界約1.5兆美元終端產(chǎn)品的價(jià)值。

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三星：拼成為美國(guó)最先進(jìn)晶圓廠

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三星于2022年在6月30日透過(guò)新聞稿宣布，采用環(huán)繞式閘極（GAA）架構(gòu)的3納米量產(chǎn)，該制程首次應(yīng)用于高效能、低功耗的運(yùn)算領(lǐng)域，并計(jì)畫拓展至行動(dòng)處理器。

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三星規(guī)劃，下世代3納米3GAP預(yù)定2023年量產(chǎn)，更先進(jìn)的2納米制程2025年量產(chǎn)，2027年量產(chǎn)1.4納米制程。

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三星是在南韓華城廠區(qū)生產(chǎn)首代3納米制程，后續(xù)并規(guī)劃于平澤廠擴(kuò)充該制程產(chǎn)能。三星預(yù)期，平澤P3新廠整合記憶體以及邏輯IC代工，并于去年5月設(shè)備進(jìn)廠、去年7月到位，按照計(jì)畫將先開(kāi)出NAND芯片產(chǎn)能，后續(xù)才會(huì)開(kāi)出3納米晶圓代工產(chǎn)能。

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三星擴(kuò)充晶圓代工先進(jìn)制程集中南韓本地，后續(xù)計(jì)畫在3納米量產(chǎn)成熟后導(dǎo)入美國(guó)德州廠。三星先前也在2022北美論壇上釋出，最快2026年3納米環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）制程將在美國(guó)生產(chǎn)，未來(lái)目標(biāo)成為美國(guó)最先進(jìn)晶圓廠，這也代表3納米美國(guó)制造競(jìng)爭(zhēng)趨于白熱化。

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招募資料顯示，三星泰勒新廠是三星繼奧斯汀之后，第二個(gè)位于美國(guó)的生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，預(yù)定投資170億美元、2024年下半年投產(chǎn)。由于去年還沒(méi)有泰勒晶圓代工的組織單位，因此新聘用的人力將先掛在三星奧斯汀公司法人下，基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和運(yùn)營(yíng)管理職位剛起步。

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三星和臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)主要在臺(tái)灣、南韓兩地。三星晶圓代工部門官方資訊顯示，在美國(guó)僅有德州設(shè)有12吋廠生產(chǎn)65納米乃至14納米制程，若未來(lái)擴(kuò)充順利，將有美國(guó)第二個(gè)廠，在南韓本地?cái)U(kuò)充也相當(dāng)積極。

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三星已在2022年5月在南韓平澤啟動(dòng)建設(shè)5納米極紫外光（EUV）工廠，先前華城廠區(qū)量產(chǎn)5納米后又率先量產(chǎn)3納米，合計(jì)南韓本地已有至少六大生產(chǎn)基地（包含一個(gè)封裝測(cè)試廠、一個(gè)8吋廠與四個(gè)12吋廠）。

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三星規(guī)劃未來(lái)20年內(nèi)投資1,921億美元，在美國(guó)德州建造11個(gè)新工廠。11個(gè)工廠中有九個(gè)位于泰勒，其余兩個(gè)位于奧斯汀市的莊園獨(dú)立學(xué)區(qū)。三星去年12月已獲得泰勒九個(gè)減稅申請(qǐng)核準(zhǔn)，并正在等待莊園剩余兩個(gè)的批準(zhǔn)。

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英特爾：四年內(nèi)大跨步推展制程

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英特爾提及Intel 4制程導(dǎo)入EUV技術(shù)，帶來(lái)每瓦效能約提升20％，更先進(jìn)的Intel 3制程將于今年下半推出，將應(yīng)用于后續(xù)推出的Xeon處理器，在每瓦效能將改善18％。

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英特爾近期甫推出第四代Intel Xeon可擴(kuò)充處理器（代號(hào)為Sapphire Rapids），在單一封裝結(jié)合最高四個(gè)采用Intel 7制程打造的芯片塊，供應(yīng)資料中心、AI運(yùn)算等應(yīng)用。

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英特爾先前就已展現(xiàn)在制程技術(shù)方面的強(qiáng)烈企圖心與進(jìn)展計(jì)畫，要在四年內(nèi)大跨步發(fā)展五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，除了已經(jīng)推出的Intel 7制程外，Intel 4制程產(chǎn)品規(guī)畫于今年開(kāi)始出貨，Intel 3制程將于2023年下半年準(zhǔn)備生產(chǎn)。后續(xù)Intel 20A制程（相當(dāng)于2納米）預(yù)計(jì)將于2024年上半準(zhǔn)備量產(chǎn)，而Intel 18A制程原預(yù)計(jì)2025年初問(wèn)世，但相關(guān)時(shí)程已提早到2024年下半可以量產(chǎn)。