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今日看點丨三星研發(fā)出16層堆疊HBM3芯片樣品;Meta推出新款A(yù)I芯片

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臺積電供應(yīng)不足,三星將為AMD提供封裝服務(wù)

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三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術(shù)SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連技術(shù)),能以更小尺寸的封裝,將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
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Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴大客戶群和市場份額

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三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280堆疊3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299

三星發(fā)布首款12堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?!?/div>
2024-02-27 10:36:251877

三星電子成功發(fā)布其首款12堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583

三星發(fā)布首款12堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12產(chǎn)品的高度與其前身8HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:451945

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

Meta擬將自研AI芯片交由三星代工

Meta正在積極拓展其AI技術(shù)領(lǐng)域,尋求與新的芯片代工伙伴合作。據(jù)外媒報道,Meta CEO扎克伯格在近期訪問韓國期間,與三星高層深入探討了AI芯片代工合作的可能性。此舉被看作是Meta為減少對臺積電依賴,進一步推動自研AI芯片發(fā)展的重要一步。
2024-03-08 13:55:301153

三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝

就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調(diào)整。
2024-03-13 13:35:191094

三星HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%!

3月13日消息,據(jù)外媒報道,三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封裝工藝,而非此前堅持使用的非導(dǎo)電薄膜(NCF)技術(shù)。
2024-03-13 13:46:221416

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存,計劃采購

 提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM芯片。HBM作為人工智能(AI芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287

NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8堆疊HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989

三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091912

三星電子力推AI存儲芯片和算力芯片競爭力提升

AI 存儲芯片方面,慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團隊,這是今年成立的第二支HBM專業(yè)隊伍。全力挽救因誤判市場導(dǎo)致業(yè)績下滑的局面。
2024-04-01 10:34:331300

韓美半導(dǎo)體新款TC鍵合機助力HBM市場擴張

TC鍵合機作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備,近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044

三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品,采用290雙重堆疊技術(shù)

作為九代V-NAND的核心技術(shù),雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236增至290,主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解,三星計劃于明年推出第十代NAND芯片,采用堆疊技術(shù)
2024-04-28 10:08:011536

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863

三星電子研發(fā)163D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出163D DRAM,其中美光更是發(fā)展至8水平。
2024-05-22 15:02:201616

三星Meta等公司將用高通驍龍XR2+ Gen 3芯片,追趕蘋果

據(jù)TechRadar 23日報道,三星Meta已確定應(yīng)用高通驍龍XR2+Gen3芯片組于各自的XR頭顯設(shè)備中,以此試圖超越蘋果Vision Pro頭顯。
2024-05-23 10:30:232447

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108

三星HBM研發(fā)受挫,英偉達測試未達預(yù)期,如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求?

據(jù)DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭,但在英偉達主導(dǎo)的HBM市場,三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264

中國AI芯片HBM市場的未來

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726

三星已成功開發(fā)163D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出163D DRAM技術(shù)。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8。
2024-05-29 14:44:071398

三星將于今年內(nèi)推出3D HBM芯片封裝服務(wù)

近日,據(jù)韓國媒體報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存(HBM)的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試

韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了否認,表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)

1. 三星HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn),營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:111375

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星電子HBM3E芯片測試進展引發(fā)市場關(guān)注

8月7日,市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示:“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關(guān)三星的8HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應(yīng),明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635

三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領(lǐng)先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:092602

三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道,雙方正攜手并進,共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-09-09 17:37:511434

三星擴建半導(dǎo)體封裝工廠,專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)

方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,對高性能內(nèi)存有著迫切需求,而三星的定制化HBM4內(nèi)
2024-11-13 11:36:161756

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta
2024-11-21 14:22:441524

特斯拉也在搶購HBM 4

在測試兩家公司的樣品后,特斯拉將選擇其中一家作為HBM4供應(yīng)商。通過使用三星和SK海力士生產(chǎn)的定制HBM4芯片,特斯拉除了減少對Nvidia的AI芯片依賴外,還尋
2024-11-22 01:09:321508

英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片

芯片。作為當前市場上最先進的內(nèi)存技術(shù)之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉達正在對三星提供的兩種不同堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存進行評估,分別是8堆疊和12堆疊。 這兩種堆疊規(guī)格的HBM3E內(nèi)存各具特色。
2024-11-25 14:34:171028

英偉達加速認證三星新型AI存儲芯片

近日,英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露,英偉達正在全力加速對三星最新推出AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著英偉達在AI存儲技術(shù)上的又一次重要布局。 據(jù)黃仁勛介紹,英偉達
2024-11-26 10:22:171129

三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內(nèi)存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106

三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應(yīng)

其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

三星推出抗量子芯片 正在準備發(fā)貨

三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計用以保護移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù),用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉,三星
2025-02-26 15:23:282482

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù),這一舉措無疑將在存儲芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景:HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達,國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005533

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