91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>EDA/IC設(shè)計(jì)>華邦電子宣布將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程技術(shù)研發(fā)

華邦電子宣布將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程技術(shù)研發(fā)

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC

聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB,可為高級(jí)通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬,滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求,以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091614

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171894

聯(lián)華電子13.5億美元注資內(nèi)地,只開(kāi)啟40、55nm制程

聯(lián)華電子在未來(lái)5年將投資13.5億美元在廈門創(chuàng)建一個(gè)新工廠,這個(gè)合資工廠總投資達(dá)62億美元,用55nm40nm工藝生產(chǎn)12英寸芯片月產(chǎn)量可達(dá)50000個(gè)。另外兩個(gè)合作伙伴分別是廈門市政府和福建電子信息集團(tuán)
2014-10-10 09:42:412962

電子芯聞早報(bào):三星、臺(tái)積電、Intel 決戰(zhàn)10nm制程

在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后,三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面,預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272

電25納米微縮版制程研發(fā)近完成 將于第二季度試產(chǎn)

存儲(chǔ)器廠商電25納米微縮版制程研發(fā)近完成,將于第二季在臺(tái)中廠試產(chǎn),也會(huì)與客戶就產(chǎn)品驗(yàn)證先展開(kāi)合作,以便未來(lái)高雄廠完成裝機(jī),生產(chǎn)良率就能拉升至一定水準(zhǔn)。
2021-03-21 08:34:365621

今日看點(diǎn)丨微軟將在日本投資29億美元;臺(tái)積電JASM熊本廠設(shè)立微芯科技專用40nm產(chǎn)線

科技專用的40nm制造生產(chǎn)線。 ? JASM是臺(tái)積電在日本熊本縣的控股制造子公司,40nm工藝將幫助微芯提高供應(yīng)鏈彈性。微芯在美國(guó)擁有一系列傳統(tǒng)硅制造業(yè)務(wù),與臺(tái)積電的交易包括投資額外技術(shù)以提高內(nèi)部制造能力和產(chǎn)能,同時(shí)建立更多地域選擇性和供應(yīng)鏈多樣性,涵蓋晶圓廠、代工廠、封裝測(cè)
2024-04-10 10:55:251373

電子:聚焦邊緣AI,以技術(shù)創(chuàng)新,突破高帶寬與低功耗并存難題

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近日,在華電子與恩智浦聯(lián)合技術(shù)論壇(深圳站)同期舉行的媒體溝通會(huì)上,電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪就電子目前的產(chǎn)品布局、技術(shù)突破,以及當(dāng)前存儲(chǔ)行業(yè)備受關(guān)注的供需情況
2025-12-04 09:15:519088

10nm、7nm制程到底是指什么?宏旺半導(dǎo)體和你聊聊

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm,而最近據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41

193 nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司,江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23

40nm讀取信道芯片RC9500怎么樣?

日前,LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500,旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開(kāi)始向硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20

Flash技術(shù)問(wèn)題咨詢

有沒(méi)有Flash技術(shù)支持的壇友,或者有應(yīng)用過(guò)W25M02GV的壇友。想請(qǐng)教一下關(guān)于W25M02的應(yīng)用問(wèn)題。
2019-12-27 08:46:12

mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器

這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個(gè)產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個(gè)M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04

”杯移動(dòng)電源設(shè)計(jì)大賽獲獎(jiǎng)結(jié)果揭曉

電子工程師與業(yè)界專家及廠商進(jìn)行探 討交流的機(jī)會(huì),提高對(duì)技術(shù)知識(shí)的應(yīng)用 和產(chǎn)品商業(yè)化的認(rèn)知,為此:特舉辦“ ”杯移動(dòng)電源電源設(shè)計(jì)大賽。旨 在充分發(fā)揮電源工程師的創(chuàng)新精神與移 動(dòng)電源的高效設(shè)計(jì)。大賽
2012-05-25 11:57:04

”杯移動(dòng)電源設(shè)計(jì)大賽問(wèn)題總結(jié)-規(guī)則流程篇

電子發(fā)燒友網(wǎng)主辦,深圳市科技有限公司贊助,華強(qiáng)PCB支持的“”杯移動(dòng)電源設(shè)計(jì)大賽于5月24日開(kāi)始報(bào)名,眾多電源工程師報(bào)名火爆。截至6月1日,短短一星期時(shí)間已有360名電源工程師報(bào)名參加
2012-06-01 16:55:29

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

關(guān)于晶圓廠中光電技術(shù)的應(yīng)用

今天看見(jiàn)一個(gè)技術(shù)名稱叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM,小弟請(qǐng)教各位大神,在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系,以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么??
2012-05-24 21:43:46

喜訊!電子宣布完成新一輪3.1億元融資

近日,深圳電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱:電子宣布完成C++輪股權(quán)融資,金額3.1億元人民幣。 本輪融資由鵬瑞產(chǎn)投和啟賦資本領(lǐng)投,云沐資本及多家新老股東跟投,云沐資本擔(dān)任長(zhǎng)期獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)。 在當(dāng)
2024-10-10 09:19:35

最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm

10月7日,沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15

求一份tsmc 7nm standard cell library

求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25

賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通過(guò)全生產(chǎn)驗(yàn)證

【來(lái)源】:《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】:<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05

重慶回收ic 重慶收購(gòu)ic

重慶回收ic重慶收購(gòu)ic,大量回收ic,深圳帝歐電子求購(gòu)ic,帝歐趙生聯(lián)系電話***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐電子有多年
2021-12-02 19:08:12

重慶回收ic,重慶收購(gòu)ic

重慶回收ic重慶收購(gòu)ic,大量回收ic,深圳帝歐電子求購(gòu)ic,帝歐趙生聯(lián)系電話***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐電子有多年
2020-11-04 16:13:24

重慶收購(gòu)ic,大量回收ic

重慶回收ic重慶收購(gòu)ic,大量回收ic,深圳帝歐電子求購(gòu)ic,帝歐趙生聯(lián)系電話***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。深圳帝歐電子有多年
2021-09-27 19:07:26

銳成芯微宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP

40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案,并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持,銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56

40nm工藝的電路技術(shù)

40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度,半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:1314

高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDe

高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn) Avago Technologies(安高科技)日前宣布,已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23971

Altera宣布Altera 40-nm Arria II

Altera宣布Altera 40-nm Arria II GX FPGA通過(guò)PCI-SIG的PCIe Express 2.0規(guī)范測(cè)試 Altera公司宣布,其40-nm Arria II GX FPGA符合
2009-07-30 08:13:09898

三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片 三星近日宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700

40nm制程代工廠良率普遍低于70%

40nm制程代工廠良率普遍低于70% 據(jù)業(yè)者透露,包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359

臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題

臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題  據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示,臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259

賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過(guò)全生產(chǎn)驗(yàn)證

賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過(guò)全生產(chǎn)驗(yàn)證 全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商聯(lián)華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:511024

賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入

賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn) 賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:171145

Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品

Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品  南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片  三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。   這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106

臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu)

臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu) AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡,我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50903

提高90納米串行閃存產(chǎn)能

提高90納米串行閃存產(chǎn)能 電子股份有限公司宣布,該公司已售出超過(guò)十億枚SpiFlash串行閃存器件,達(dá)到了一個(gè)重大的業(yè)界里程碑。此外,電子宣布其設(shè)在臺(tái)中
2010-04-13 09:42:28864

針對(duì)SiP市場(chǎng)推出32bit SDR/DDR利基型內(nèi)存

電子針對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)市場(chǎng),推出最新65奈米制程32bit帶寬 32M / 64Mb SDR / DDR 利基型內(nèi)存
2011-04-07 10:50:211833

電子推出W989D6C系列512Mbit行動(dòng)內(nèi)存

電子(Windbond)以65奈米 Buried World Line 制程,推出四款512Mbit的行動(dòng)內(nèi)存,使行動(dòng)內(nèi)存除了移動(dòng)電話產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域之外
2011-04-07 10:56:101411

Broadcom推出首款40nm Wi-Fi和藍(lán)牙組合芯片BCM43142

單芯片BCM43142是業(yè)界首款適用于筆記本電腦和上網(wǎng)本的40nm Wi-Fi藍(lán)牙組合芯片。該新芯片實(shí)現(xiàn)了Wi-Fi Direct互連與就近配對(duì)的無(wú)縫結(jié)合,極大地簡(jiǎn)化了家庭中的無(wú)線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:2410665

燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片在中芯國(guó)際驗(yàn)證成功

燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331746

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出首款用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)

瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù),針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:131116

意法愛(ài)立信發(fā)布首個(gè)40nm制造工藝的CG2905平臺(tái)

意法·愛(ài)立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開(kāi)創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度,推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:382705

制程工藝是什么?

,CPU的功耗也就越小。本專題我們將介紹道幾種nm級(jí)制程工藝,如:20nm、22nm、28nm、40nm、45nm、60nm制程工藝。
2012-09-09 16:37:30

搶先攻占IC制造商機(jī) 聯(lián)電發(fā)力14納米制程技術(shù)

聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,
2012-11-05 09:17:531124

展訊推出40nm單芯片手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531

1月28日,展訊通信宣布,其首款集成了無(wú)線連接的單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531正式商用,該平臺(tái)集成了FM與藍(lán)牙功能,以幫助2.5G手機(jī)制造商降低手機(jī)設(shè)計(jì)成本。
2013-01-29 10:23:5620522

Spansion公司和聯(lián)華電子公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)40nm工藝技術(shù)

聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布,將展開(kāi)40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:341203

Spansion和電子簽署授權(quán)協(xié)議

—全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日宣布公司已與全球領(lǐng)先的專用存儲(chǔ)器供應(yīng)商電子(Winbond Electronics Corporation)(TSE: 2344)簽署一份交叉授權(quán)協(xié)議,允許雙方使用彼此的閃存專利組合。
2014-09-24 10:57:571254

臺(tái)積電3nm制程研發(fā)提速 預(yù)計(jì)2022年完成量產(chǎn)

根據(jù)英特爾發(fā)布的產(chǎn)品規(guī)劃路線,自己的14nm技術(shù)將要在處理器上連續(xù)使用三代而不進(jìn)行提升,而在制程這方面的研發(fā),臺(tái)積電顯然更勝一籌,前段時(shí)間臺(tái)積電剛剛確定年底將量產(chǎn)10nm、2019年將上馬5nm制程
2016-10-10 15:43:361003

賽普拉斯采用UMC工藝生產(chǎn)的40nm eCT Flash MCU現(xiàn)已出貨

全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(以下簡(jiǎn)稱“UMC”)于今日宣布,賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 (eCT?) 閃存微控制器(MCU),現(xiàn)已開(kāi)始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582708

中芯國(guó)際出樣40nm工藝的ReRAM意義何在?

作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國(guó)際(SMIC)的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片,并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)。
2017-01-17 09:40:004521

Crossbar公司與中芯國(guó)際合作的結(jié)晶:40nm的ReRAM芯片

目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作,發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中,中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:554016

臺(tái)積電7nm開(kāi)始量產(chǎn) 5nm制程將于明年年底投入量產(chǎn)

在21日臺(tái)積電舉辦技術(shù)研討會(huì),CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),同時(shí)他還透露臺(tái)積電的5nm制程將會(huì)在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。
2018-07-02 14:46:443626

展訊推出集成無(wú)線連接40nm單芯片平臺(tái)

的2G 、3G 和4G無(wú)線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一,今日宣布其首款集成了無(wú)線連接的手機(jī)基帶平臺(tái)-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531集成了FM與藍(lán)牙,更高
2018-11-14 20:39:01983

應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm成熟工藝的SoC設(shè)計(jì)的USB3.0 IP解決方案

”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567749

三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開(kāi)發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力

包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開(kāi)發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布,其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54636

關(guān)于SMIC和14nm之間的關(guān)系分析和應(yīng)用

雖然從技術(shù)水平上看,臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù),格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù),而中芯國(guó)際,28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),目前良率較低,技術(shù)處于逐步成熟階段,不過(guò)在40nm制程
2019-09-03 16:08:3630634

臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)啟動(dòng),預(yù)計(jì)2024年可實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

,6nm、5nm、4nm、3nm 等都已勢(shì)如破竹準(zhǔn)備量產(chǎn),而其對(duì)手臺(tái)積電在較早前就宣布3nm制程發(fā)展相當(dāng)順利,后續(xù)的2nm工藝研發(fā)開(kāi)始啟動(dòng),預(yù)計(jì) 2024年就能夠投產(chǎn)。
2019-08-26 12:29:003380

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營(yíng)收主力,中芯國(guó)際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:026371

中芯國(guó)際在成熟制程工藝上已反超三星

本周,Counterpoint Research給出了按成熟制程(節(jié)點(diǎn)≥40nm)產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單,如下圖所示。
2021-02-04 09:24:183925

成熟制程工藝有哪些?淺談成熟制程的優(yōu)勢(shì)

本周,Counterpoint Research給出了按成熟制程(節(jié)點(diǎn)≥40nm)產(chǎn)能排序的全球晶圓代工廠商Top榜單,如下圖所示。
2021-02-04 09:48:3013081

瑞薩電子宣布將于明年元旦開(kāi)始漲價(jià)

近日,瑞薩電子開(kāi)始對(duì)外宣布漲價(jià),或將于明年元旦開(kāi)始漲價(jià)。瑞薩工廠基本是超負(fù)荷工作,并且供應(yīng)近一年一直緊張,再加上由于全球缺芯片原因?qū)е鹿?yīng)商大幅增加了成本。
2021-10-19 16:15:352338

臺(tái)積電將啟動(dòng)1.4nm制程研發(fā),欲保持其領(lǐng)先地位

據(jù)臺(tái)媒今日?qǐng)?bào)道稱,臺(tái)積電將于今年8月開(kāi)始3nm制程的量產(chǎn),不過(guò)由于英特爾在芯片制程上步步緊逼的緣故,臺(tái)積電決定將要開(kāi)啟1.4nm制程研發(fā)。 臺(tái)積電原計(jì)劃是在2025年完成2nm制程的量產(chǎn),但英特爾
2022-05-10 15:21:541832

富士康計(jì)劃新建12英寸晶圓廠,將鎖定28nm40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來(lái)西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm40nm制程,并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后,每個(gè)月能夠提供4萬(wàn)片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:033392

美日聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體,計(jì)劃2025年生產(chǎn)2nm制程技術(shù)

為了減小對(duì)臺(tái)積電的依賴,美日雙方開(kāi)始聯(lián)手研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù),近日據(jù)報(bào)道稱,日本計(jì)劃最早在2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體制造基地,并與美國(guó)聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術(shù)。 目前全球半導(dǎo)體加工領(lǐng)域最先進(jìn)的企業(yè)是中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積
2022-06-16 14:43:132170

中科院攻克2nm芯片技術(shù),中國(guó)2nm制程取得突破

現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上,臺(tái)積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息,臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了,而在中國(guó)大陸,芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程
2022-06-22 10:40:5136754

中國(guó)臺(tái)積電研發(fā)2nm芯片

據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電正在研發(fā)先進(jìn)的2nm制程工藝,在北美技術(shù)論壇上,臺(tái)積電也是首次宣布,它們的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片量產(chǎn)。
2022-06-22 16:39:012465

2021年NOR閃存銷售額比飆升63%

是 2021 年最大的 NOR 閃存供應(yīng)商,銷售額超過(guò) 10 億美元,市場(chǎng)份額為 34.8%。IC Insights 表示,去年的大部分 NOR 產(chǎn)品都采用了 40nm 工藝技術(shù)
2022-06-27 11:11:361285

中國(guó)突破2nm芯片技術(shù) 臺(tái)積電2nm芯片量產(chǎn)

  臺(tái)積電公布了下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息,同時(shí)預(yù)計(jì)N2工藝將于2025年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-06-30 17:09:413542

臺(tái)積電2nm芯片預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

  臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公開(kāi)了未來(lái)先進(jìn)制程的信息,其3nm芯片將于2022年內(nèi)量產(chǎn),而首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的2nm制程工藝芯片,預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-07-01 18:31:092164

臺(tái)積電2nm和3nm制程工藝

臺(tái)積電首度推出采用GAAFET技術(shù)的2nm制程工藝,將于2025年量產(chǎn),其采用FinFlex技術(shù)的3nm制程工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)。
2022-07-04 18:13:314079

NOR Flash制程工藝技術(shù)市場(chǎng)格局及技術(shù)演進(jìn)

電子認(rèn)為,對(duì)于NOR Flash而言,45nm很可能是最后一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)了,與之相比,SLC NAND Flash還有制程微縮空間,在24nm之后,至少還可以進(jìn)一步微縮一代制程。
2023-01-31 09:51:474345

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

三星電子2nm制程工藝計(jì)劃2025年量產(chǎn) 2027年開(kāi)始用于代工汽車芯片

外媒在報(bào)道中提到,根據(jù)公布的計(jì)劃,三星電子將在2025年開(kāi)始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:511

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

電子W77Q安全閃存獲得ISO/SAE 21434認(rèn)證

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商電子今日宣布,TrustME W77Q 安全閃存系列已獲得權(quán)威認(rèn)證——ISO/SAE 21434。電子現(xiàn)為全球首家獲得此認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存供應(yīng)商。
2023-08-09 11:08:521821

臺(tái)積電即將宣布日本第二個(gè)晶圓廠項(xiàng)目,采用6/7nm制程

目前臺(tái)積電正迅速擴(kuò)大海外生產(chǎn)能力,在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本市建設(shè)工廠,并宣布了在德國(guó)建廠的計(jì)劃。臺(tái)積電在亞利桑那州第一座晶圓廠此前計(jì)劃延期,預(yù)計(jì)2025年上半年將開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝;第二座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片。
2023-11-23 16:26:481000

:創(chuàng)新MEMS技術(shù),改善電子煙痛點(diǎn)  

傳統(tǒng)電子煙存在許多痛點(diǎn),而的創(chuàng)新型MEMS技術(shù)和孔科微電子電子煙PCBA方案妥善解決了這些問(wèn)題。的MEMS傳感器集成咪頭電子煙芯片具有高容錯(cuò)率和防粘柱功能,顯著提高了口感和使用效率。
2023-12-20 16:05:161689

傾力挺進(jìn)DDR3市場(chǎng),抓住轉(zhuǎn)單商機(jī)

自DDR2時(shí)期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域,而隨著制程升級(jí)至DDR3階段,該公司開(kāi)始加大對(duì)DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠今年引入了20納米設(shè)備,產(chǎn)能逐漸釋放,未來(lái)將成為制程DRAM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。
2024-05-13 10:03:251198

天準(zhǔn)科技發(fā)布40nm明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體高端檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域,蘇州矽行半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“矽行半導(dǎo)體”)再次傳來(lái)振奮人心的消息。近日,該公司宣布其面向40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備TB1500已圓滿完成
2024-07-16 11:08:101588

ST宣布40nm MCU交由華虹代工!

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠合作,計(jì)劃于2025年底在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器(MCU).
2024-11-21 15:41:561482

ST宣布華虹代工 生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的MCU

11月21日,意法半導(dǎo)體(ST)宣布與中國(guó)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃 ,將與華虹合作在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的MCU! 意法半導(dǎo)體表示,它正在與中國(guó)第二大定制芯片制造商華虹合作,到2025年底在
2024-11-26 01:05:001224

意法半導(dǎo)體40nm MCU將由華虹代工

近日,歐洲芯片巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)宣布了一項(xiàng)與中國(guó)第二大晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃。雙方將攜手在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器(MCU),以助力ST實(shí)現(xiàn)中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)。
2024-12-03 12:42:151389

電子存儲(chǔ)芯片驅(qū)動(dòng)智能汽車升級(jí)

電子作為全球第五大車用存儲(chǔ)廠商,憑借自主晶圓廠與中低容量產(chǎn)品矩陣,精準(zhǔn)定位高速增長(zhǎng)賽道。在近期 OFweek 2025 汽車電子技術(shù)在線會(huì)議中,電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪解讀了三大技術(shù)核心,分享了智能汽車存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的最新洞察。
2025-04-02 09:38:141685

智啟存儲(chǔ)未來(lái),電子攜三大產(chǎn)品矩陣亮相2025慕尼黑上海電子

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商電子(以下簡(jiǎn)稱“”)今日正式亮相2025年慕尼黑上海電子展(N5館309展位),以“芯存綠意·共創(chuàng)未來(lái)”為主題,全面呈現(xiàn)其在車用電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及邊緣計(jì)算
2025-04-15 15:30:29763

創(chuàng)飛芯40nm HV工藝OTP IP完成上架

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531315

電子推出先進(jìn) 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 專為工業(yè)與嵌入式應(yīng)用而生

2025 年 12 月 3日,中國(guó)蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM,該產(chǎn)品采用自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù),提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714

40nm MCU交給華虹!ST宣布最新合作計(jì)劃,“芯”供應(yīng)鏈為何轉(zhuǎn)移?

生產(chǎn)40nm制程的MCU,以支撐其中長(zhǎng)期營(yíng)收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),這是意法半導(dǎo)體MCU業(yè)務(wù)經(jīng)歷了在中國(guó)市場(chǎng)的份額下滑后,做出了最新市場(chǎng)動(dòng)作。 ? 意法半導(dǎo)體強(qiáng)調(diào),在中國(guó)當(dāng)?shù)赜兄圃炷芰?,這對(duì)于維持該公司的電動(dòng)車芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力非常重要。意法半導(dǎo)體首席
2024-11-22 09:06:393637

已全部加載完成